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epc gan fet 文章 进入epc gan fet技术社区

汽车启动/停止系统电源方案

  • 为了限制油耗,一些汽车制造商在其新一代车型中应用了“启动/停止”(Start/Stop)功能。当汽车停下来时,这些创新的新系统关闭发动机;而当驾驶人的脚从刹车踏板移向油门踏板时,就自动重新启动发动机。这就帮助降低市区驾车及停停走走式的交通繁忙期时的油耗。
  • 关键字: MOSFET  二极管  PCB  稳压器  P-FET  

如何针对反向转换器的FET关断电压而进行缓冲

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 反向转换器  FET  关断电压  缓冲  漏极电感  

解读GaN on GaN LED破效率与成本“魔咒”

  • 发光二极体(LED)的发光效率远高于传统光源,耗电量仅约同亮度传统光源的20%,并具有体积小、寿命长、效率高、不...
  • 关键字: GaN  on  GaN  LED    

阳光电源西部抢装拉动EPC与逆变器业务

  •   阳光电源公司发布2013年三季度业绩预告:归属于母公司净利润1.05~1.18亿元,同比增涨70~90%,前三季度EPS为0.32~0.36元,非经常性损益0.42亿,主要包括募集资金利息收入及政府补助。第三季度EPS为0.15~0.19元。   点评分析:   公司三季度业绩超市场预期。主要原因是在8月底国内光伏补贴政策落实,并且明确西部地区的集中式电站标杆电价将在明年下调,西部地面电站出现抢装潮,对国内公司逆变器及电站EPC两大主业都有非常强的拉动作用。   由于四季度仍然是全年收入确认高峰
  • 关键字: EPC  逆变器  

功率半导体的革命:SiC与GaN的共舞(二)

  • GaN和SiC将区分使用  2015年,市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且,届时GaN类功率元件 ...
  • 关键字: 功率  半导体  SiC  GaN  

应变工程项目大幅提高了绿色LED的光输出

  • 中国科学院近日发布的一份报告称,中国研究人员利用应变工程已将150mA的电流注入了530nm发光的二极管(LED),光的...
  • 关键字: LED    GaN    MOCVD  

Si基GaN功率器件的发展态势分析

  • 2013年9月5日,首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开,来自中科院半导体研究所、南...
  • 关键字: Si基  GaN  功率器件  

大尺寸磊晶技术突破 GaN-on-Si基板破裂问题有解

  • 近年来氮化镓(GaN)系列化合物半导体材料已被证实极具潜力应用于液晶显示器(LCD)之背光模组、光学储存系统、高频 ...
  • 关键字: 大尺寸  磊晶技术  GaN-on-Si  基板破裂  

硅基GaN LED及光萃取技术实现高性价比照明

  • 传统的氮化镓(GaN)LED元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底,因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为...
  • 关键字: GaN    LED    光萃取技术  

功率器件的利器 GaN

  •   GaN是什么?   什么是GaN?GaN中文名:氮化嫁,用化学元素来解释就是V族化合物。六方晶系铅锌矿型结构,为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m,电子迁移率 (1.25~1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。   GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SIC、金刚石等半导体材料一起,被
  • 关键字: GaN  功率器件  

富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品

  • 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off),相比于同等耐压规格的硅功率器件,品质因数(FOM)可降低近一半。
  • 关键字: 富士通  功率器件  GaN  MB51T008A  

SiC和GaN是“下一代”还是“当代”?

  •   SiC企业不断增多,成本不断下降”一文中,作者根津在开篇写道:“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为,随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布,在学会和展会的舞台上,这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。   那么,在使用功率半导体的制造现场,情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段,仍属于“下一代”,但在功率半导体使用者的心目中,此类产品已逐渐由
  • 关键字: SiC  GaN  

经典FET输入甲类前级

  • 经典FET输入甲类前级本电路是参照《无线电与电视》杂志2000第一期的《电池供电高级纯A类分立件前级放大 ...
  • 关键字: FET  甲类前级  

未来十年GaN和SiC功率半导体市场将以18%的速度稳增

  •   在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。   据有关报告称,至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测,未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。   SiC肖特基二极管已存在十多年,SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
  • 关键字: GaN  半导体  SiC  

未来十年GaN和SiC功率半导体市场将以18%的速度稳增

  •   在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。   据有关报告称,至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测,未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。   SiC肖特基二极管已存在十多年,SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
  • 关键字: GaN  半导体  SiC  
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