友达光电1月20日宣布， 与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下简称FET)及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器(field emission displays;FED)技术，该公司为全球FED技术的领导者。友达在此交易中，将取得FET显示技术及材料的专利、技术、发明，以及相关设备等资产。
FED技术在快速反应时间、高效率、亮度和对比度方面不但能与传统CRT相
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友达 FED FET
台湾友达科技近日宣布，他们已经与FET公司以及FET日本公司达成了协议，友达将出资收购FET公司的部分资产，并将因此而获得FET公司的部分专利技术。FET公司目前在FED场射显示技术(Field Emission Display)领域占据领先地位，索尼公司目前拥有FET公司39.8%的股份。友达并表示，其收购的内容将包括FED场射面板相 关技术专利，FED技术实施方案，以及FED面板生产用设备等。
FED场射面板兼具CRT显示器和LCD显示器的优势，其工作原理与CRT显示器完全相同，同样采用
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友达 FED FET
Mouser 今日宣布，Mouser 的EPCOS授权分销区域拓展至亚洲和欧洲。从2009年10月开始，EPCOS与TDK公司联合成立了新的TDK-EPC公司(简称TDK-EPC)，销售旗下TDK和EPCOS品牌产品。是TDK-EPC公司是电子元件、模块和系统领域的全球性的公司
TDK-EPC产品组合包括陶瓷、铝电解和薄膜电容器、铁氧体和电感器、声表面波(SAW)滤波器和模块等高频元件、压电和保护元件以及传感器等。正是有了这些产品系列，TDK-EPC能够进军日益增长的信息和通信技术以及汽车、工业
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Mouser 电子元件 TDK-EPC
Strategy Analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场预测2008-2013”。报告总结，2008年半绝缘砷化镓(SI GaAs)外延衬底市场年增长率达到22%，但 Strategy Analytics 预计2009年该市场将持平或转负增长。借助下一代蜂窝手机平台上嵌入多砷化镓(GaAs)器件，以及来自其它市场对砷化镓 (GaAs) 器件的需求，半绝缘砷化镓 (SI GaAs) 外延衬底市场在2010年将恢复增长。
一直
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GaAs 外延衬底 FET HBT
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降压转换器，该器件将宽泛的输入、轻负载效率以及更小的解决方案尺寸进行完美结合，可实现更高的电源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制机制的 1 MHz DC/DC 转换器，与同类竞争产品相比，该器件在将外部输出电容需求数量降至 32% 的同时，还可实现快速瞬态响应。该转换器充分利用自动跳过模式与 Eco-mode 轻负载控制机制，帮助设计人员满足能量之星/90Plus 标准的要求，从而可实现整个负载范围内的高
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TI FET 转换器 TPS51315
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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时装 RFID EPC 瑞典
使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
2009年1月22日，中国北京——Analog Devices, Inc.（纽约证券交易所代码: ADI），全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出一款业界最快的场效应晶体管(FET)运算放大器——ADA4817。这款产品工作频率高达1GHz，设计用于高性能的便携式医疗诊断设备和仪器仪表设备。与竞争器件相比，可提供两倍的带宽，同时噪声降低一半。它已被领先的医疗、测试和测量设备公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰减探头和其它医疗设备。与ADA4
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ADI 运算放大器 FET ADA4817
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条码标识 RFID标识 EPC 非接触
无线技术将向着更快更好的方向发展，不仅能提供更高的速率、提升小区边缘的吞吐量，而且能够减少时延，从而改善面向IP化的业务质量。
无线技术承载高速数据业务
宽带无线移动的发展对技术提出了更高的要求，这不仅体现在LTE/LTE-Advanced、802.16m等承载高速数据业务的无线技术上，还体现在支持广泛接入的无线核心网络上。从核心网络来看，它不仅支撑原有蜂窝的传统系统，面向未来的发展还将支持更加广泛的有线接入技术和其他原有的固定无线接入技术。从其发展状况来看，一方面在业务控制层面有
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无线技术 宽带 LTE EPC
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FET TI IC－bq2407x
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台风 RFID EPC
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。
开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。
IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面
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IR 功率器件 GaN 终端
RFID(Radio Frequency ldentification、射频识别)技术是一种利用无线射频通信实现远距离识别的非接触自动识别技术。与现代物流领域普遍使用的条码技术相比，它在读写距离、保密性、智能化、环境适应能力以及使用寿命方面都有显著的优势。
目前，世界范围内针对RFID的物流应用存在两种编码体系，一种是日本UID(Ubiquitous ID)中心提出的UID编码体系，另一种是美国EPC(Electmnic Production Code．电子产品代码)环球协会提出的EPC电子产品
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RFID 射频 UID EPC 物流
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