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GaN 恩智浦 氮化镓 射频功率晶体管
- 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。
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科锐 放大器 GaN
- 图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上，因此
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缓冲 方法 进行 电压 FET 关断 转换器
- 与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
- 所有关于医疗应用的产品在要求高可靠性的同时，仍然需要提供终端用户想要的新技术与功能。由于各医疗设备...
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智能MOSFET 医疗电子 FET
- 电路的功能定时器专用IC有NE555和C-MOS单稳态多批振荡器4538B等。然后用FET输入型OP放大器也可用途长时间定时电路。本电路采用其他模拟电路中使用的双OP放大器余下的一个来组成定时器，这样可以减少IC的数量，事先了
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FET 输入 OP放大器 模拟
- 硅上GaN LED不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40%。硅衬底在
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GaN LED 分析
- 电路的功能本电路是一种使用双FET的2象限乘法电路最大输入电压为10V，2象限乘法运算与幅度调制（AM）等效，可作为低频调制电路使用。电路工作原理本电路利用了FET的沟道电阻变化，以TT15、TT16特性相同为前提条件，O
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VCA FET 幅度调制 乘法运算
- 音响发烧友在孜孜不倦的追求目标，就是自己的音响器材有更纯真更自然的音质表现，单端纯甲类功放，音质醇厚,偶次 ...
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单端 FET 甲类 功放
- 电路的功能场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，
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VOO 检验 电路 VP FET 结合 使用 万用表
- 隔离式FET脉冲驱动器原理及设计三相控制整流器和变换器、矩阵循环换流器以及级联功率级一般都含有大量功率 ...
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隔离式 FET 脉冲驱动器
- 电路的功能在VCA（电压控制放大器）。由反馈环路组成电路时，通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中，是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
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FET 结型 电压控制 放大器电路
- 在严苛的汽车环境中，各种功率场效应晶体管(power FET，功率FET)，被一贯地认为可承受极端的温度变化和热机械应力。间歇性短路、寒冷的运行环境、高压电弧或有噪声性短路，连同电感负载及多次短路久而久之会让该器件疲损，致使其进入开路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
- 在计算和消费电子产品中，效率已经有了显著的提高，重点是AC/DC转换上。不过，随着80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现，设计人员开始认识到，AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。 AC/DC平均系统
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改善 能量 效率 开关 FET 优化 变换器 通过
- 如果你想要得到显著的掺杂剖面结构及低阻值的p型GaN，那么就要考虑把你的载体气体由氢气置换成氩气。作者：Vla...
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GaN LED
epc gan fet介绍
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