- 因照明用LED需求大增,三菱化学计划在2014年初将LED用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。
目前,三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产的GaN基板,生产的产品直径为2寸,月产能分别为1,000片、数百片。
而为了要达到稳定获利的水平,有必要将产品尺寸扩大至4-6寸,所以,三菱化学计划借由调整水岛事业所现有设备的制程,开始生产直径为4寸的GaN基板,月产能为200-300片,并计划凭借新设生产设备或增设厂房等措施,开始生产6寸GaN基板,将GaN基板产能扩增至现行的2-3倍
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LED GaN
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eGaN FET 硅功率器 转换器
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同步降压 FET 时序设计
- 上海,2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。
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富士通 功率器 GaN
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电源设计 同步降压 FET 时序
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TI TPS27081A FET
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FET 光电 电位器 光耦
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epc gan fet介绍
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