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三菱化学计划扩增LED用GaN基板产能

  •   因照明用LED需求大增,三菱化学计划在2014年初将LED用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。   目前,三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产的GaN基板,生产的产品直径为2寸,月产能分别为1,000片、数百片。   而为了要达到稳定获利的水平,有必要将产品尺寸扩大至4-6寸,所以,三菱化学计划借由调整水岛事业所现有设备的制程,开始生产直径为4寸的GaN基板,月产能为200-300片,并计划凭借新设生产设备或增设厂房等措施,开始生产6寸GaN基板,将GaN基板产能扩增至现行的2-3倍
  • 关键字: LED  GaN  

eGaN FET与硅功率器件比拼之六:隔离型PoE-PSE转换器

  • 隔离型砖式转换器被广泛应用于电信系统,为网络设备供电,这些转换器可以提供各种标准尺寸及输入/输出电压范围...
  • 关键字: eGaN  FET  硅功率器  转换器  

正确的同步降压FET时序设计

  • 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率,时序优化正变得越来越重要。在开关期间,存在两个过渡阶...
  • 关键字: 同步降压  FET  时序设计  

GaN类功率元件,高耐压成功率半导体主角

  • 采用Si基板降低成本,通过改变构造改善特性那么,GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在...
  • 关键字: GaN类功率半导体  功率半导体  GaN  

电源设计小贴士46:正确地同步降压FET时序

  • 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率,时序优化正变得越来越重要。在开关期间,存在两个过渡阶段:低...
  • 关键字: FET    MOSFET    电源设计小贴士    德州仪器  

富士通半导体明年计划量产GaN功率器件

  •   上海,2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。   与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
  • 关键字: 富士通  功率器件  GaN  

富士通明年计划量产氮化镓功率器件

  • 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。
  • 关键字: 富士通  功率器  GaN  

电源设计:正确地同步降压 FET 时序

  • 由于工程师们都在竭尽所能地获得其电源的最高效率,时序优化正变得越来越重要。在开关期间,存在两个过渡阶段:低...
  • 关键字: 电源设计  同步降压  FET  时序  

UHF RFID读写器编解码模块的FPGA实现

  • 本文首先对EPC C1G2协议中的相关内容作了简要介绍,对编解码系统的架构以及各个组成模块的FPGA实现作了重点说明,最后给出了Modelsim软件仿真结果,以及在读写器工作时使用Signaltap逻辑分析仪抓取的数据。
  • 关键字: FPGA  UHF RFID  EPC C1G2协议  编解码  FM0  miller码  

德州仪器推出最灵活PFET高侧负载开关

  • 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引脚封装中集成功率 PFET 与控制 NFET 的高侧负载开关。该 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的业界最宽泛电源电压支持,是分立式 FET 开关的最灵活替代产品。
  • 关键字: TI  TPS27081A  FET  

LTE/EPC网络信令风暴的抑制方案

  • 0 前言无线网络架构演进到LTE/EPC架构时,网络变得更加得扁平,信令消息直接在eNodeB和MME之间传递,没有RNC来收敛汇聚,随着LTE部署规模的扩大,一个MME要控制上万个eNodeB,和这么多eNodeB进行信令交互,MME的压力
  • 关键字: 方案  抑制  风暴  网络  LTE/EPC  

功放为智能手机提供最佳效率

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 智能手机  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

将光电FET光耦用作一个线性压控电位器

  • 光电FET可以用作一只可变电阻,或与一只固定电阻一起用作电位器。H11F3M光电FET有7.5kV的隔离电压,因此能够安全地控制高压电路参数。但这些器件的非线性传输特性可能成为问题(图1)。为了校正这种非线性,可以采用一
  • 关键字: FET  光电  电位器  光耦    

基于优化变换器的FET开关来改善能量效率

  •  在计算和消费电子产品中,效率已经有了显著的提高,重点是AC/DC转换上。不过,随着80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现,设计人员开始认识到,AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。  AC/DC平均系统
  • 关键字: 改善  能量  效率  开关  FET  优化  变换器  基于  

设计主电源和备用电源之间的FET-OR电路开关

  • 图1为一具有“二极管或”功能的电路,用于主电源和备用电源之间必须自动切换的场合,包括电池供电存储器电...
  • 关键字: 主电源  备用电源  FET-OR  
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