- 在当今社会，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上个月发生的案例来说：英国伦敦一位名叫DamilolaTaylor的十岁男孩...
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GaN LED
- 1、引言 行波管放大器（TWTA）具有宽频带、高增益、高效率等优点，被广泛应用于微波通信、雷达和电子对抗等技术领域中。 TWTA由空间行波管（TWT）和电子功率调节器（EPC）组成。EPC[1,2]是由大量电子元器件和高
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及其 影响 分析 参数 分布 高频 变压器 EPC
- 超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压，已成为大功率LED的关键材料之...
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LED GaN MOSFET
- 简介
一提到电源设计，大多数工程师都会感到挠头，他们往往会问，“从哪里入手呢?”。首先必须确定电源的拓扑——包括降压、升压、flyback、半桥和全桥等。
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intersil FET DC/DC
- 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅衬底 GaN
- Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，...
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MOCVD GaN LED芯片
- 相对于标准系列，新元件采用了更为均质的陶瓷材料，在提高稳定性的同时，还允许高达280℃的回流焊接和波峰焊接加工。凭借上述性能，超级系列PTC产品已通过AEC-Q200 Rev-C标准验证，可满足汽车电子应用的苛刻要求。
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TDK-EPC SMD-PTC 方案
- 摘要：氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
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GaN S波段 宽带 放大器
- 摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
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设计 探测器 红外 量子 GaN
- 摘要：本文简述了物联网EPC技术并分析了Savant中间件软件系统的主要功能和框架结构。在深入研究EPCgloabal后，借鉴EPCgloabl的中间件标准ALE，给出了一种Savant中间件软件系统的设计思路，并从逻辑上验证了该系统的完
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设计 中间件 EPC RFID 基于
- TDK-EPC：服务铁路应用的产品与解决方案2009年生产电子元件的两大巨头日本TDK与德国爱普科斯合并，TDK在消费电...
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TDK EPC
epc gan fet介绍
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