随着对 GaN 半导体的需求持续增长，Infineon Technologies AG 已准备好利用这一趋势，巩固其作为 GaN 市场领先集成器件制造商 （IDM） 的地位。今天，该公司宣布其在 300 毫米晶圆上的可扩展 GaN 制造正在按计划进行。随着 2025 年第四季度向客户提供第一批样品，该公司已做好充分准备来扩大其客户群并巩固其作为领先 GaN 巨头的地位。作为电力系统的领导者，该公司掌握了所有三种相关材料：Si、SiC 和 GaN。GaN 半导体具有更高的功率密度、更快的开关速度和更低的功率
虽然台积电计划到 2027 年退出氮化镓 （GaN） 晶圆代工业务，但行业巨头英飞凌正在加大努力，这标志着 GaN 领域的重大转变。哪些因素可能推动了这些不同的策略？根据《科创板日报》的报道，中国英诺赛科董事会主席罗伟伟解释说，氮化镓晶圆生产可能不太适合传统的代工模式。为什么 GaN 不适合代工模型正如报告中所引用的，Luo 解释说，传统的功率半导体器件结构相对简单，不会对代工服务产生强劲的需求。特别是对于 GaN 功率器件，这种模型没有提供足够的投资回报 （ROI），并且缺乏代工厂与其客户之间通常看到的
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOL
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和T
EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总线和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件满足了对紧凑、高效和抗辐射功率转换日益增长的需求。EPC7030MSH专为在极端辐射和热条件下运行的前端 DC-DC 转换器和电力推进系统而设计。文档显示，该器件的额定工作电压为 300 V，线性能量传输 （LET） 为 63
麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺，将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站：他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管，切出每个单独的晶体管，然后使用低温工艺将所需数量的晶体管键合到硅芯片上，以保持两种材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此产生的器件可以从紧凑的高速晶体管中获得显著的性能提升。此外，通过将 GaN 电路分离成可以分布在硅芯片上的分立晶体管，新技术能够降低整个系统的温度。研究人员使用这种
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