1 SiC、GaN相比传统方案的优势虽然硅功率器件目前占据主导地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的热特性，适用于需要高效率和高输出的应用，而GaN 功率器件具有出色的射频频率特性，能满足要求高效率和小尺寸的千瓦级应用。最为重要的一点，SiC 的击穿场是硅的10 倍。由于这种性质，SiC 器件的块层厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外，SiC 的导热系数大约是硅的3 倍，因此它能提供更高的散热能力
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202310 东芝 SiC GaN
ST（ 意法半导体） 关注电动汽车、充电基础设施、可再生能源和工业应用，将最新一代STPOWER SiC MOSFET和二极管部署在这些应用领域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得业界最低的通态电阻，可以实现能效和功率密度更高的产品设计。ST 还提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增强型HEMT 开关管用于开发超快速充电和高频功率转换应用，功率损耗很小。与硅基芯片相比，SiC 和GaN 等宽带隙材料特性可让系统变得尺寸更小，重量更轻，开关和导通损耗更低，从而提高能效。Gianfranc
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202310 意法半导体 SiC GaN
过往产品的充电装置多由各家厂牌使用各自的接口，导致装置汰换时将造成许多浪费。由于USB的普及，市面大部分的产品都透过此接口传输数据，进而促使人们欲提升USB供电能力的想法。过去即使透过USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，则电子产品需要较长的时间来充电。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年发表第一版USB Power Delivery规范 (USB Power Delivery Specifi
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ST 意法半导体 GAN 第三代半导体 Power and energy PD 协议 快充
无论是在太空还是在地面，这些基于 GaN 的晶体管都比硅具有新的优势。
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GaN 晶体管
全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform)，不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿，更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年发表的 3.2kW 人工智能(AI) 服务器电源供应器来看，改采用最新第四代平台，不仅效率超过钛金级能效标准，功率密度更从 100W/in3提升至&nbs
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GaN Systems 氮化镓
据日经中文网，日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI开发出了以低成本制造使用氮化镓(GaN)的功率半导体材料的技术。制造成本可以降至传统制法的十分之一以下。如果能够量产，用于快速充电器等用途广泛，有利于普及。功率半导体装入充电器、小型家电以及连接纯电动汽车(EV)马达与电池的控制装置，用于控制电力等。如果使用GaN，可以控制大量的电力。根据TrendForce集邦咨询研究报告显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率
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日本 GaN 材料 成本
_____减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资，特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告，到 2050 年，几乎所有道路运输都将实现电气化，预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的，包括比硅器件更快
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宽禁带 SiC GaN 双脉冲测试
几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源，它从交流电网中获取电能，并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着全球范围内功耗的增加，AC/DC 电源转换过程中的相关能源损耗成为电源设计人员整体能源成本计算的重要一环，对于电信和服务器等“耗电大户”领域的设计人员来说更是如此。氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据
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ti GaN 图腾柱 PFC 电源
【中国上海 – 2023年8月3日】氮化镓功率半导体全球领导厂商 GaN Systems 今宣布与上海安世博能源科技策略结盟，共同致力于加速并扩大氮化镓功率半导体于电动车应用的发展。安世博能源科技为电源行业领导厂商，拥有完整电源供应器、电动车充电模块及车载充电器产品解决方案。结合 GaN Systems 尖端的氮化镓功率器件、在车用领域所累积的应用实绩，与安世博能源科技在高功率电源系统设计及批量生产的卓越能力，此次策略合作将为中国电动车行业带来突破性革新。氮化镓功率半导体将在实现下世代电动车对尺寸微缩、轻
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GaN Systems 安世博 氮化镓 电动车
2023年8月3日，中国 -意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。该系列先期推出的两款产品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工业级650V常关G-HEMT™ 晶体管，采用PowerFLAT 5x6 HV贴装封装，额定电流分别为15A和25A，在25°C时的典型导通电阻(RDS(on))分别为7
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意法半导体 PowerGaN 氮化镓 GaN
几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源，它从交流电网中获取电能，并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着全球范围内功耗的增加，AC/DC 电源转换过程中的相关能源损耗成为电源设计人员整体能源成本计算的重要一环，对于电信和服务器等“耗电大户”领域的设计人员来说更是如此。氮化镓 (GaN) 可提高能效，减少 AC/DC 电源损耗，进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如，借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC)，即使效率增益仅为 0.8%，也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据
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TI GaN PFC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的一次侧电源*1，开发出集650V GaN HEMT*2和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年来，为了实现可持续发展的社会，对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求。针对这种需求，GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。然而，与Si MOSFET相
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ROHM AC适配器 GaN HEMT Si MOSFET
氮化镓器件是第三代半导体中的典型代表，具有极快的开关速度，能够显著提升功率变换器的性能，受到电源工程师的青睐。同时，极快的开关速度又对其动态特性的测试提出了更高的要求，稍有不慎就会得到错误结果。传统氮化镓器件多用于消费类电子市场，研发高压氮化镓器件将有助于在电力电子、新能源和电动汽车行业开拓新的应用市场。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高压硅基氮化镓功率器件的厂家。这次测试的1200伏TO-252封装的氮化镓器件GPIHV15DK，在市场上具有标志性意义，传统的氮化镓功率器件最高电压普
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GaN HEMT 功率器件 动态特性测试
汽车的智能化和电动化趋势，势必带动车用半导体的价值量提升，其中功率半导体和模拟芯片便迎来了发展良机。先看功率半导体，车规功率半导体是新能源汽车的重要组件，无论整车企业还是功率半导体企业都在瞄准这一赛道。新能源汽车电池动力模块都需要功率半导体，混合动力汽车的功率器件占比增至 40%，纯电动汽车的功率器件占比增至 55%。再看车规模拟芯片，模拟芯片在汽车各个部分均有应用，包括车身、仪表、底盘、动力总成及 ADAS，主要分为信号链芯片与电源管理芯片两大板块。如今，新能源汽车在充电桩、电池管理、车载充电、动力系统
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功率半导体 SiC GaN 模拟芯片
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