最先进的电子硬件在大数据革命面前都显得有些“捉襟见肘”，这迫使工程师重新思考微芯片的几乎每一个方面。随着数据集的存储、搜索和分析越来越复杂，这些设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。铁电场效应晶体管（FE-FETs）是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质，在其中植入场效应和电荷积累，实现了长期稳定的记忆效应。与传统存储器相比，它具有低功耗、高速度、高密度等优势。因此，一个成功的FE-FET设计可以大大降低传统器件的尺寸和能量使
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半导体芯片 FE-FET
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑，加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路，Transphorm 的 SuperG
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Transphorm SuperGaN FET 驱动器
“现在的新车，只要能用碳化硅的地方，便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体（ST）曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下，在全球半导体行业的逆流中，第三代半导体正闪烁着独特的光芒，作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上，各方纷纷加大马力，坚定下注，一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日，科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示，2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下，全球半导体产业进入下行周
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第三代半导体 SiC GaN
中国北京，2023年5月31日—— 全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展，泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自动可重复的、高精度测量功能。下一代功率转换器设计师现在能够利用WBG-DPT解决方案，满怀信心地迅速优化自己的设计。WBG-DPT解决方案能够在泰克4系、5系、6系MSO示波器上运行，并能够无缝集成到示波器测量系统
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泰克 示波器 双脉冲测试 SiC GaN
加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体，领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统，以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比，这些应用可受益于1
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Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常关型 氮化镓.三相电力系统
碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管，但需要使用低热阻封装，比如 TO-247。然而，此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文，了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商，它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、
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Qorvo 开尔文 FET
案例聚焦新一代替代硅技术 (加利福尼亚州，埃尔塞贡多）-- 氮化镓（GaN）技术的全球领导者宜普电源转换公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）于今日向美国联邦法院和美国国际
贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的
四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下统称英诺赛科）侵犯。 这些专利
涉及宜普公司独家的增强型氮化
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宜普电源 EPC 英诺赛科 氮化镓 GaN
2023 年 5 月 19 日，中国——意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振(QR)反激式功率转换器。这个尺寸紧凑、高集成度的产品设计的目标应用包括USB-PD充电器、家电、智能建筑控制器、照明、空调、智能表计和其他工业应用的开关式电源(SMPS)。 每个器件都集成了脉宽调制 (PWM) 控制器和650
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意法半导体 GaN 功率转换芯片
全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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ROHM 650V GaN HEMT
2023 年 5月 16 日，中国 —— 意法半导体发 L6983i 10W 隔离降压 (iso-buck) 转换器芯片具有能效高、尺寸紧凑，以及低静态电流、3.5V-38V 宽输入电压等优势。L6983i适合需要隔离式 DC-DC 转换器应用，采用隔离降压拓扑结构，需要的外部组件比传统隔离式反激式转换器少，并且不需要光耦合器，从而节省了物料清单成本和 PCB面积。 L6983i 的其他优势包括 2µA 关断电流，集成软启动时间可调、内部环路补偿、电源正常指示，以及过流保护、热关断等保护功能。扩
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意法半导体 隔离式降压转换器 功率转换 IGBT SiC GaN 晶体管栅极驱动
基于氮化镓器件的EPC9186逆变器参考设计增强了高功率应用的电机系统性能、精度、扭矩和可实现更长的续航里程。宜普电源转换公司(EPC)新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器。EPC9186支持14 V~ 80 V的宽输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用。EPC9186在每个开关位置使用四个并联的EPC2302，可提供高达200 Apk的最大输出电流。EPC9186包含所有必要的关键功能电路
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EPC GaN FET ARMS 电机驱动器
奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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Nexperia E-mode GAN FET
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度达到 3.4eV，是最具代表性的第三代半导体材料。除了更宽的禁带宽度，氮化镓还具备更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率，以及更优的抗辐照能力，这些特性对于电力电子、射频和光电子应用有独特优势。GaN 产业上游主要包括衬底与外延片的制备，下游是 GaN 芯片元器件的设计和制造。衬底的选择对于器件性能至关重要，衬底也占据了大部分成本，因而衬底制备是降低 GaN 器件成本的突破口。衬底GaN 单晶衬底以 2-4 英寸为主，4 英寸已实现商用，6 英寸
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GaN-on-Si 氮化镓
作为提供不间断连接的关键，许多数据中心依赖于日益流行的半导体技术来提高能效和功率密度。 氮化镓技术，通常称为 GaN，是一种宽带隙半导体材料，越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。 了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限 德州仪器 GaN 产品线负责人 David Snook 表示：“氮化镓是提高功率密
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氮化镓 GaN 电源管理
随着世界各地的电力消耗持续增长，高电压技术领域的创新让设计工程师能够开发出更高效的解决方案，使电气化和可再生能源技术更易于使用。 “随着人均用电量的持续增长，可持续能源变得越来越重要，”TI 副总裁及高电压产品部总经理 Kannan Soundarapandian 表示。“以负责的方式管理能源使用非常重要。我们不能浪费任何一毫焦1的能量。这就是为什么高电压技术的创新是实现能源可持续的关键。” 随着电力需求的增加（在 2 秒内将电动汽车 (EV) 从 0mph加速到 60mph
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高电压技术 电动汽车 GaN IGBT
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