离线电源是最常见的电源之一，也称为交流电源。随着旨在集成典型家用功能的产品数量的增加，对所需输出能力小于1瓦的低功率离线转换器的需求也越来越大。对于这些应用程序，最重要的设计方面是效率、集成和低成本。在决定拓扑结构时，反激通常是任何低功耗离线转换器的首选。但是，如果不需要隔离，这可能不是最好的方法。假设终端设备是一个智能灯开关，用户可以通过智能手机的应用程序进行控制。在这种情况下，用户在操作过程中不会接触到暴露的电压，因此不需要隔离。对于离线电源来说，反激拓扑是一个合理的解决方案，因为它的物料清单（BOM
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BOM FET VDD
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化镓 GaN
随着硅与化合物半导体材料在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈，不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展......
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宽禁带 半导体 SiC GaN
作为 Qorvo 产品的全球授权分销商，贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 很高兴地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全线产品均可在贸泽官网上在线订购。Qorvo的Custom MMIC产品组合包括 高性能氮化镓 (GaN) 和砷化镓 (GaA) 单片微波集成电路 (MMIC) ，适用于各种航空航天、国防和商业应用。Qorvo是一家知名的射频和毫米波创新解决方案制造商，致力于实现一个万物互联的世界。Qorvo最近
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MMIC GaN
EPC公司进一步更新了其广受欢迎的教育视频播客系列，上载了六个视频，针对器件可靠性及基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的各种先进应用，包括面向人工智能的高功率密度运算应用，面向机械人、无人机及车载应用的激光雷达系统，以及Ｄ类放音频放大器。宜普电源转换公司 （EPC）更新了其广受欢迎的 “ 如何使用氮化镓器件 ” 的视频播客系列。刚刚上载的六个视频主要分享实用范例，目的是帮助设计师利用氮化镓技术设计面向人工智能服务器及超薄笔记本电脑的先进 DC/DC转换器 、
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GaN 音频放大器
日前，宜普电源转换公司（EPC）依据《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》第三版教科书的增订内容，更新了首7个、合共14个教程的视频播客，与工程师分享采用氮化镓场效应晶体管及集成电路的理论、设计基础及应用，例如激光雷达、DC/DC转换及无线电源等应用。宜普电源转换公司（EPC）更新了其广受欢迎的 “ 如何使用氮化镓器件 ” 的视频播客系列。该视频系列的内容是依据最新出版的 《氮化镓晶体管–高效功率转换器件》 第三版教科书的内容制作。合共14个教程的视频播客系列旨在为功率
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GaN 播客
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 ( Mouser Electronics ) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化镓 (GaN) 功率级。这款 600V、500 mΩ的器件具有集成栅极驱动器和强大的保护功能，可让设计人员在电源转换系统中实现更高的效率，适用于高密度工业和消费类电源、高压电池充电器、光伏逆变器和多电平转换器等应用。贸泽电子备货的TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种
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GaN UVLO
在所有电力电子应用中，功率密度是关键指标之一，这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限，设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓（GaN）来提供方案。对于新技术而言，GaN本质上比其将取代的技术（硅）成本低。GaN器件与硅器件是在同一工厂用相同的制造程序生产出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每个晶片可以生产更多的器件，从而降低了每个晶片的成本。GaN有许多性能优势，包括远高于硅的电子迁移率（3.4eV对比1.1eV），这使其具有比硅高1000倍的电子传导效率的潜力。值得注
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LDN GaN
领先的汽车供应商MARELLI近日宣布与美国一家专注于重新定义功率转换的半导体公司Transphorm达成战略合作。通过此协议，MARELLI将获得电动和混合动力车辆领域OBC车载充电器、DC-DC 转换器和动力总成逆变器开发的尖端技术，进一步完善MARELLI在整体新能源汽车技术领域的布局。Transphorm被公认为是氮化镓(GaN)技术的领导者，提供高压电源转换应用的最高效能、最高可靠性的氮化镓(GaN)半导体，并拥有和汽车行业（尤其是日本）直接合作的成功经验。获得这一技术对正在探索电力传动系统业务
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OBC GaN
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商Qorvo®, Inc.近日推出全球性能最高的宽带功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的这款功率放大器是专为通信应用和测试仪表应用而设计，拥有多项性能突破：它能够在 2-20 GHz 的频率范围提供业界领先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信号增益和 20-35% 的功率附加效率。这种组合为系统设计人员带来提高系统性能和可靠性所需的灵活性，同时减少了元件数量、占用空间和成本。Qorvo 高性能解决方案业务
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GaN 功率放大器
奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。 GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域，这意味着车辆行驶里程更长，而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在，GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC，成为插电式混合动力汽车
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Nexperia GaN EV逆变器
小米集团和纳微（Navitas）宣布，其GaNFast充电技术已被小米采用，用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化镓（GaN），这是一种新的半导体材料，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100％的充电。
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小米 GaN 纳微半导体
近日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化镓功率器件 MOSFET 器件
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
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Cree 射频 GaN on SiC磊晶技术
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