- 在我国绿色能源产业发展的推动下，功率半导体已经成为建设节约型社会、促进国民经济发展、践行创新驱动发展战略的重要支撑。
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功率半导体 GaN
- 如果说中央处理器(CPU)是一台计算机的心脏，功率半导体就是电机的心脏，它可以实现对电能的高效产生、传输、转换、存储和控制。我国发布《中国制造2025》，勾勒出未来十年产业转型升级的整体方向与发展规划，在此过程中，功率半导体发挥的作用不可替代。
然而，与集成电路产业相似，我国功率半导体产业的发展水平与国际先进水平也存在着巨大差距。人们常拿我国每年集成电路进口额与石油进行比较，其实如果按比例计算，我国功率半导体的进口替代能力可能更弱。随着“节能减排”、“开发绿色
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功率半导体 GaN
- 充电和电池管理对智能手机来说，仍是关键的功能，未来多年将持续有创新。有线和无线充电的改进可能大大扩展便携式产品的使用，我们不断提升此功能的极限。充电系统要求供电产品(如壁式适配器)或无线充电发射器和接收器(如智能手机和平板电脑)的设计都具高能效。安森美半导体专注于这两大应用，提供完整、优化和高能效的充电方案，以满足所有这些产品的功率要求。 市场对于更快充电时间、更大电池容量和更小适配器的要求，把智能手机和平板电脑的供电能力推到传统半导体器件不可行的地步。新一代系统将需要氮化镓(GaN)方案取代传统M
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安森美 GaN
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- 1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
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GaN SiC
- MACOM GaN在无线基站中的应用 用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。氮化镓显而易见的技术优势(包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小)使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窝频段。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高，但是MACOM公司
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GaN MACOM
- 有鉴于全球环保意识抬头，碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)两种功率转换材料备受瞩目。其中，碳化矽掌握早期开发优势，其功率模组在再生能源与车用电子领域，商机已纷纷涌现。而主要锁定低功率市场的氮化镓，则将缓步进军中功率市场。
可以弥补天然能源不足缺口的再生能源设备，为聚焦于中功率、高功率应用的碳化矽创造大量需求。另一方面，近期丰田汽车(Toyota)在电动车中导入碳化矽(SiC)元件的测试结果也已出炉，其在改善能源效率、缩小电源控制系统(PCU)尺寸上的效果，明显胜过矽元件。
台达电技术长暨总
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SiC GaN
- 图为BurstMode电压控制电路，当S43电平>C54(此时C54和电平C96相等为0.84V)，时，Burst_on信号为低电平，关断功率管;当S43
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Burst Mode 电压控制
- 松下被动元件展区，松下位于德国的器件解决方案部门被动元件团队产品市场经理Mustafa Khan介绍了electronica期间刚刚问世的导电性聚合物混合铝电解电容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更优，例如比ZC系列更高的容量和高纹波电流。 ZK和ZC产品在125C下可工作4000小时。三种类型产品都有更低的ESR(等效串联电阻)和LC，可用于LED、汽车、电力电子、电信等场合。 松下集团汽车&工业系统公司介绍了其网上工具--LC Simulator，可加速
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松下 X-GaN
- 该电路采用衰减场效应晶体管(FET)分流信号到地面。这个R2是用来控制输出级(衰减等级),但是你可以用其他来源的电压信号来控制网格的FET如DAC输出,这是一种负面的信号电压会(你可以用DAC采用对称与供电系统)。使用FET...
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FET 压控衰减器
- 实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。
该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓(SiC)工艺——QGaN15。QGaN15工艺令晶体管工作频率高达25 GHz，支持芯片级设计，通过K频段应用提供频率更
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Qorvo GaN
- 2010年，供应商发布了第一波基于GaN技术的功率半导体。但直到最近，这种产品的可用性依然不高，价格也高昂不下，GaN技术一直在寻找理想的应用空间。随着时间的推移，这些器件预计将逐步应用到电动汽车、移动设备的快速充电适配器、无线充电和其他系统中，GaN基功率半导体器件正在电源市场上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
- 功耗是当今电子设计以及测试中最热门也是竞争最激烈的领域之一。这是因为人们对高能效有强烈需求，希望能充分利用电池能量，帮助消减能源帐单，或者支持空间敏感或热量敏感型应用。在经过30年的发展之后，硅MOSFET发
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GaN 测试
- 首先介绍一下这样做的优点：采用低的晶振和总线频率使得我们可以选择较小的单片机满足时序的要求，这样单片机的工作电流可以变得更低，最重要的是VDD到VSS的电流峰值会更小。
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单片机 FET 穿通电流 工作频率
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