- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
- 关键字：
SiC GaN
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就
- 关键字：
GaN 功率半导体
- 韩国蔚山科技大学(UNIST)的研究人员们宣称开发出一种可大量生产硼/氮共掺杂石墨烯奈米微板的方法，从而可实现基于石墨烯的场效电晶体(FET)制造与设计。
由Jong-BeomBaek主导的研究团队们采用一种BBr3/CCl4/N2的简单溶剂热反应，大量生产硼/氮共掺杂石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。
石墨烯自2004年经由实验发现后，已经开发出各种方法来制造基于石墨烯的FET，包括掺杂石墨烯打造成石墨烯状的奈米带，以及利用氮化硼作为支柱。在各种控制石墨烯
- 关键字：
石墨烯 FET
- 为了限制油耗，一些汽车制造商在其新一代车型中应用了“启动/停止”(Start/Stop)功能。当汽车停下来时，这些创新的新系统关闭发动机;而当驾驶人的脚从刹车踏板移向油门踏板时，就自动重新启动发动机。这就帮助降低市区驾车及停停走走式的交通繁忙期时的油耗。
- 关键字：
MOSFET 二极管 PCB 稳压器 P-FET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
- 关键字：
反向转换器 FET 关断电压 缓冲 漏极电感
- 发光二极体(LED)的发光效率远高于传统光源，耗电量仅约同亮度传统光源的20%，并具有体积小、寿命长、效率高、不...
- 关键字：
GaN on GaN LED
- GaN和SiC将区分使用 2015年，市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且，届时GaN类功率元件 ...
- 关键字：
功率 半导体 SiC GaN
- 中国科学院近日发布的一份报告称，中国研究人员利用应变工程已将150mA的电流注入了530nm发光的二极管（LED），光的...
- 关键字：
LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南...
- 关键字：
Si基 GaN 功率器件
- 传统的氮化镓（GaN）LED元件通常以蓝宝石或碳化硅（SiC）为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为...
- 关键字：
GaN LED 光萃取技术
- GaN是什么?
什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化学元素来解释就是V族化合物。六方晶系铅锌矿型结构，为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被
- 关键字：
GaN 功率器件
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。
- 关键字：
富士通 功率器件 GaN MB51T008A
- SiC企业不断增多，成本不断下降”一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。
那么，在使用功率半导体的制造现场，情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段，仍属于“下一代”，但在功率半导体使用者的心目中，此类产品已逐渐由
- 关键字：
SiC GaN
- 经典FET输入甲类前级本电路是参照《无线电与电视》杂志2000第一期的《电池供电高级纯A类分立件前级放大 ...
- 关键字：
FET 甲类前级
e-mode gan fet介绍
您好，目前还没有人创建词条e-mode gan fet!
欢迎您创建该词条，阐述对e-mode gan fet的理解，并与今后在此搜索e-mode gan fet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
