简介
一提到电源设计，大多数工程师都会感到挠头，他们往往会问，“从哪里入手呢?”。首先必须确定电源的拓扑——包括降压、升压、flyback、半桥和全桥等。
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intersil FET DC/DC
1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅衬底 GaN
Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，...
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MOCVD GaN LED芯片
摘要：氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点，使其具有带宽宽，高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点，使用了Agilent ADS等仿真软件，进行电路仿真设计，设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
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GaN S波段 宽带 放大器
摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
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设计 探测器 红外 量子 GaN
您可以通过周期性地收集大量的ADC输出转换采样来生成FFT图。一般而言，ADC厂商们将一种单音、满量程模拟...
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FET
现在；一台台电源，几乎都能发现FET的影子。几乎每个电源工程师都用过这东西，或用来逆变；或用来整流；或就当个开关...
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FET
CISSOID，在高温半导体方案的领导者推出了一个行星家族(高温度晶体管及开关)的新成员.火星是一个高温度30V小讯号P-FET场效应管, 适合于-55 ° C至+225° C高温可靠运作. 由于它耐于极端温度,只有14pF的输入电容值及于+225° C下最高只有400nA闸极漏电流. 所以这30V晶体管非常适合于高温度传感器介面,例如压电传感器或保护放大器.
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CISSOID P-FET
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4 GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
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设计 功率放大器 GaN 一种
图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上，因
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进行 缓冲 电压 关断 转换器 FET 如何
A change in the forward voltage (VF) for a string of series-connected, high-brightness LEDs (HB LEDs) can indicate deterioration or complete failure of one or more of the LEDs. Accordingly, this circu
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switch-mode monitoring Diagnose cycle
目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN LED 衬底 功率型
e-mode gan fet介绍
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