- 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
- 2009年1月22日，中国北京——Analog Devices, Inc.（纽约证券交易所代码: ADI），全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最新推出一款业界最快的场效应晶体管(FET)运算放大器——ADA4817。这款产品工作频率高达1GHz，设计用于高性能的便携式医疗诊断设备和仪器仪表设备。与竞争器件相比，可提供两倍的带宽，同时噪声降低一半。它已被领先的医疗、测试和测量设备公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰减探头和其它医疗设备。与ADA4
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ADI 运算放大器 FET ADA4817
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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FET TI IC－bq2407x
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布，成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比，该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10，显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能，并降低能耗。
开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术，历经5年研发而成的成果。
IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面
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IR 功率器件 GaN 终端
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值...
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GAN 蜂窝 话音质量
- TPS54377 是一款输入电压为 3V ～6V 的 DC/DC 转换器，具有可将电压步降至 0.9V 的集成的 FET。其转换频率为同步频率并可调至 1.6MHz，以减少外部组件数量且有助于确定频谱噪声频带。该器件在整个温度范围内均可提供高达 3A 的输出电流并可支持 4A 的峰值输出电流。其具有电源状态良好指示、启动、可调慢启动、电流限制、热关断以及 1% 的参考精度等特性。TPS54377 可用于宽带、联网和通信基础设施、分布式电源系统以及 DSP、FPGA 和 ASIC 的 POL 稳压。
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TI 转换器 DC/DC FET
- Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：
1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率
3. 在免授权的5.8G
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三极管 WiMAX Cree GaN
- 研究人员介绍，他们第一次在200mm硅（111）晶圆上沉积了无裂缝的AlGaN/GaN结构。高清晰XRD测量显示出很高的晶体质量，并且研究人员还报告了“出色的”表面形貌和均匀性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron应用实验室的300mmCRIUS金属-有机化学气相外延（MOVPE）反应腔中生长的。
“对实现在大尺寸硅晶圆上制作GaN器件的目标来说，在200mm硅晶圆上生长出
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硅晶圆 GaN 200mm MEMC
- 要预测客户对一款手机性能的接受程度，从而预测手机设计的品质，需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值的工具，本文将介绍如何进行此类测试。
UMA/GAN是一种能让移动电话在传输话音、数据、既有话音也有数据或既无话音也无数据时在蜂窝网络(例如 GERAN--GSM/EDGE 无线接入网)和IP接入网络(例如无线 LAN)之间无缝切换的系统。作为网络融合发展过程中一项里程碑式的技术，UMA/GAN能让手机用户得以享受固定宽带网提供的服务。UMA/GAN最初叫做免许可移动接入(UMA)网，之后被3
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移动电话 UMA GAN SEGW WLAN
- 由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外”LED材料生长设备研制取得突破，我国首台具有自主知识产权的并能同时生长6片外延片的MOCVD设备研制成功。
该设备在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器(LD)、紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率电子器件领域具有广泛应用。MOCVD是半导体照明上游关键设备，目前国内半导体照明产业的研发和生产所需设备全部依赖进口。在此之前，杰生电气已先后研发出2英寸单片和2英寸3片的
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青岛杰生电气 MOCVD LED LD GaN
- 当输入至输出的开销电压(overhead voltage)和/或充电电流较高时，线性电池充电器的功耗相当大。以一般的便携式DVD播放器(双节锂离子电池组、12V车载适配器、1.2A额定充电电流)为例，其线性充电器的平均功耗超过5W。 bq241xx系列开关充电器是对过热问题的简便解决方案。内置功率FET能够提供高达2A的充电电流。同步PWM控制器的工作频率为1.1MHz，输入电压最高可达18V，非常适用于由单节、双或三节电池组供电的系统。该系列开关充电器具有的高电压、高电流、高效率等优异特性，并且
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FET 锂离子开关充电器 电源
- Intersil 公司宣布推出新的、高效、2A 集成式 FET 步降 DC/DC 开关稳压器系列，支持广泛的工作输入电压，并且可以处理高达 100V 的瞬态尖峰。 ISL8560 支持 9V 至 60V 的输入电压以及 1.21V 至 55V 的可编程输出电压；而 ISL8540 支持 9
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模拟技术 电源技术 Intersil FET 稳压器 电源
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