汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。但是，虽然基于沟槽的架构可以降低导通电阻并提高载流子迁移率，但它们也带来了更高的复杂性。对于 SiC 功率器件制造商来说，准确测量外延层生长和这些沟槽中注入层深度的能力是相当重要的，特别是在面临不断增加的制造复杂性时。今天我们分享一下来自Onto Innovation 应用开发总监Nick Keller的文章，来重点介绍下SiC 功率器
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效氮化镓（GaN） 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克股票代码：QRVO）合作开发 GaN 在电机控制应用中的参考设计和评估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）应用中的使用，打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLD
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄的双面冷却封装，外形尺寸仅为10x10 mm，并采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（Rth(JC)），可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行，
电动汽车 (EV) 市场的快速增长推动了对下一代功率半导体的需求，尤其是对碳化硅 (SiC) 半导体的需求尤为强劲。事实上，至少在本世纪下半叶之前，SiC功率器件可能会供不应求。而随着 SiC 衬底应用于 SiC 功率器件，衬底质量和制造技术方面取得了哪些进步，以提高器件性能、减少缺陷并增强可靠性？为了优化未来 SiC 功率器件的衬底特性，还需要哪些改进和发展？SiC的可靠性挑战SiC 是硅和碳的化合物，与硅相比有许多优点。SiC 芯片可以在更高温度下运行，并能有效处理更高电压，从而增强电动汽车的功率密度
TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power
Device市场分析报告》显示，尽管纯电动汽车（BEV）销量增速的明显放缓已经开始影响到SiC供应链，但作为未来电力电子技术的重要发展方向，SiC在汽车、可再生能源等功率密度和效率极其重要的应用市场中仍然呈现加速渗透之势，未来几年整体市场需求将维持增长态势，预估2028年全球SiC
Power Device市场规模有望达到91.7亿美金。Tesla和比亚迪是两个备受瞩目的BEV品牌，近期均报告了令人失望的销售数据，其中Tesla在1
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