Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，进一步壮大其不断扩展的电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基于GaN的反激式转换器而设计，用于PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式插座、条形插座、工业电源和辅助电源等设备以及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用。 NEX806xx/NEX808xx是准谐振/多模反激式控制器，可在宽VCC范围(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自适应同步整流控制器。这些IC可与N
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Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式转换器
如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）并称为第三代半导体界的“双雄”。其中，SiC在高耐压和大电流应用方面优势突出，近年来在新能源汽车、可再生能源等功率电子领域风头无两；而GaN则凭借出色的击穿场强特性和电子饱和速度，提供出色的低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能，在
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Mouser GaN
新闻亮点：● 德州仪器增加了GaN制造投入，将两个工厂的GaN半导体自有制造产能提升至原来的四倍。● 德州仪器基于GaN的半导体现已投产上市。● 凭借德州仪器品类齐全的GaN集成功率半导体，能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。● 德州仪器已成功开展在12英寸晶圆上应用GaN制造工艺的试点项目。德州仪器 (TI)近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，
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德州仪器 氮化镓 GaN
在应对消费类电器、楼宇暖通空调(HVAC)系统和工业驱动装置的能耗挑战中，业界积极响应，通过实施诸如季节性能效比(SEER)、最低能效标准(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等项目推进建立系统能效评级体系。变频驱动器(VFD) 可为加热和冷却系统提供出色的系统效率，特别是在这些系统具有范围非常宽的精确速度控制的情况下。VFD使用逆变器控制电机转速，并进行高频脉宽调制(PWM)开关，可获得真正的可变速度控制。虽然这些逆变器目前是使用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效
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202409 三相集成GaN 电机驱动器 GaN
8月13日，新洁能发布公告称，拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN
功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。此次延期是受宏观环境等不可控因素的影响，项目的工程建设、设备采购及人员安排等相关工作进度均受到一定程度的影响，无法在计划时间内完成。据悉，此次延期项目属新洁能二厂区扩建项目，项目总投资约2.23亿元，2022年开建，原计划2024年建设完成。项目建成后，将实现年产 SiC/GaN 功率器件2640万只。新洁能称，本次募投项目延期仅涉及项目进度的
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新洁能 SiC GaN 功率器件 封测
根据TrendForce集邦咨询最新报告《2024全球GaN Power
Device市场分析》显示，随着英飞凌、德州仪器对GaN技术倾注更多资源，功率GaN产业的发展将再次提速。2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。AI应用普及，GaN有望成为减热增效的幕后英雄AI技术的演进，带动算力需求持续攀升，C
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CAGR GaN 功率元件
8月15日消息，根据TrendForce集邦咨询最新报告显示，随着英飞凌、德州仪器对GaN技术倾注更多资源，功率GaN产业的发展将再次提速。2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。报告显示，非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。
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英飞凌 德州仪器 GaN 功率元件
IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新报告显示，随着英飞凌、德州仪器等对 GaN（氮化镓）技术倾注更多资源，功率 GaN 产业的发展将再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市场规模约 2.71 亿美元（IT之家备注：当前约 19.39 亿元人民币），到 2030 年有望上升至 43.76 亿美元（当前约 313.14 亿元人民币），CAGR（复合年均增长率）达 49%。据介绍，消费电子是功率 GaN 产业的主战场，并由快速充电器迅速延伸至家电、智能手
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功率器件 GaN
IT之家 8 月 8 日消息，英飞凌今日宣布，其位于马来西亚的居林第三厂区（Kulim 3）一期正式启用。该阶段聚焦碳化硅（SiC）功率半导体的生产，也将关注氮化镓（GaN）外围晶圆。▲ 英飞凌居林第三厂区英飞凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建设计划，投资额达 20 亿美元（IT之家备注：当前约 143.43 亿元人民币），可创造 900 个高价值工作岗位。英飞凌此后又在 2023 年 8 月宣布了价值 50 亿美元（当前约 358.57 亿元人民币）的 Kulim 3 二期计划
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英飞凌 碳化硅 功率器件
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：11号馆D14）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的碳化硅
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罗姆 SiC 氮化镓 GaN
潮流就是即便你放弃了我，也不妨碍我越来越火。距离特斯拉宣布放弃碳化硅已经过去了一年，这个市场非但没有被抛弃，反而以 GaN、SiC 为代表的第三代半导体发展备受关注：Yole 数据显示，2026 年 GaN 市场规模预计可达 6.72 亿美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半导体市场规模有望突破 60 亿美元。预测是人算不如天算，第三代半导体优势已经被讲的翻来覆去了，市场的反馈是最真实和残酷的—很火但不是主流。碳化硅与新能源车能不能齐飞？新能源是第三代半导体应用的重要驱动力。新能源车的最大
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GaN SiC
近年来，随着科技的不断进步和全球对绿色低碳发展的需求日益增长，半导体行业迎来了前所未有的发展机遇。氮化镓（GaN）作为一种新型半导体材料，以其高功率、高效率、耐高温等特性，在消费电子、电动汽车、可再生能源等多个领域展现出巨大的应用潜力。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌在氮化镓领域持续深耕，通过战略布局、技术创新、市场应用拓展等不断巩固其市场地位。近日，英飞凌在上海慕尼黑展会期间举办了一场专门的氮化镓新品媒体沟通会，会上英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生以及英飞凌科技
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氮化镓 英飞凌 GaN Systems
氮化镓材料相较于硅基材料，显著优势体现在节能、成本节约及材料省用上。其核心亮点在于其超快的开关速度，在硅、碳化硅与氮化镓三者中独占鳌头。这一特性直接促进了开关频率的大幅提升，进而允许大幅缩减被动元器件及散热器的尺寸与数量，有效降低了物料消耗，彰显了氮化镓在物料节省方面的卓越能力。此外，在效率层面，氮化镓与碳化硅并驾齐驱，通过实现极低的导通阻抗（即单位面积上可达到的最小电阻），相较于硅材料实现了数量级的优化。这种高效的导电性能，是氮化镓提升系统效率的关键所在。综合上述两方面优势，氮化镓的应用不仅促进了系统性
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氮化镓 GaN
由于功率模块的设计和几何形状可以实现 EMI 建模，从而使设计人员能够在设计流程的早期预测和了解其系统中的 EMI 反应。相邻或共用导电回路的电子器件容易受到电磁干扰 (EMI) 的影响，使其工作过程受到干扰。要确保各电气系统在同一环境中不干扰彼此的正常运行，就必须最大限度地减少辐射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半导体器件在工作期间需要进行快速开关，因此通常会产生传导型 EMI。在开关状态转换过程中，器件两端的电压和流经器件的电流会迅速改变状态。开、关状态间
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WOLFSPEED 功率器件 EMI
本文要点• 氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。• 氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。• 氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是两种宽禁带半导体，彻底改变了传统电力电子技术。氮化镓技术使移动设备的快速充电成为可能。氮化镓器件经常用于一些转换器和驱动器应用氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。通过氮化镓材料的电流比通过硅半导体的电流速度更快，因此处理速度也更快。本文将探讨氮化镓材料以及氮化镓技术如何颠覆整个行业。氮化
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GaN
600v氮化镓（gan）功率器件介绍
您好，目前还没有人创建词条600v氮化镓（gan）功率器件!
欢迎您创建该词条，阐述对600v氮化镓（gan）功率器件的理解，并与今后在此搜索600v氮化镓（gan）功率器件的朋友们分享。
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