- / 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。为什么引入结构函数?在功率器件的热设计基础系列文章 《功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法》 和 《功率半导体芯片温度和测试方法》 分别讲了功率半导体结温、芯片温度、壳温和散热器温度的测试方法,用的
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英飞凌 功率器件 热设计 结构函数
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