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600v氮化镓(gan)功率器件 文章 进入600v氮化镓(gan)功率器件技术社区

GaN 时代来了?

  • 随着特斯拉宣布其下一代 EV 动力总成系统的 SiC 组件使用量减少 75%,预计第三代化合物半导体市场状况将发生变化,GaN 被认为会产生后续替代效应。据业内消息人士透露,这有望使台积电、世界先进半导体 (VIS) 和联华电子受益,它们已经进行了早期部署,并继续扩大其 8 英寸加工 GaN 器件的产能。GaN 和 SiC 的比较GaN 和 SiC 满足市场上不同的功率需求。SiC 器件可提供高达 1200V 的电压等级,并具备高载流能力,因此非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场和大型三相电网
  • 关键字: GaN  SiC  

用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保护

  • 当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路,这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功率应用中实施。实现这一壮举的方法是提高电子设备的功率密度。硅基MOSFET具有较低的开关速度和热效率;因此,如果不增加尺寸并因此影响功率密度,它们就不能用于高功率应用。这就是基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 用于制造高功率密度电子产品的地方,适用于各行各业的不同应用。当今的行业需要紧凑且速度更快的电子电路,这些电路可以在高性能计算机、电动汽车、数据中心和高功率电机驱动等高功
  • 关键字: GaN  HEMT  短路保护  

英飞凌将收购氮化镓系统公司(GaN Systems)

  • 【2023 年 03 月 03日,德国慕尼黑和加拿大渥太华讯】英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)和氮化镓系统公司(GaN Systems)联合宣布,双方已签署最终协议。根据该协议,英飞凌将斥资 8.3 亿美元收购氮化镓系统公司。氮化镓系统公司是全球领先的科技公司,致力于为功率转换应用开发基于氮化镓的解决方案。该公司总部位于加拿大渥太华,拥有 200 多名员工。  英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示:“氮化镓技术为打造更加
  • 关键字: 英飞凌将  氮化镓系统公司  GaN Systems  氮化镓产品  

几个氮化镓GaN驱动器PCB设计必须掌握的要点

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器,能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓(以下简称“GaN”)功率开关。之前我们简单介绍过氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要,本文将为大家重点说明利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路必须考虑的 PCB 设计注意事项。本设计文档其余部分引用的布线示例将使用含有源极开尔文连接引脚的 GaNFET 封装。VDD 电容VDD 引脚应有两个尽可能靠近 VDD 引脚放置的陶瓷电容。如图 7 所示,较低值的高频旁路电
  • 关键字: 安森美  GaN  驱动器  PCB  

氮化镓GaN驱动器的PCB设计策略概要

  • NCP51820 是一款 650 V、高速、半桥驱动器,能够以高达 200 V/ns 的 dV/dt 速率驱动氮化镓(以下简称“GaN”) 功率开关。只有合理设计能够支持这种功率开关转换的印刷电路板 (PCB) ,才能实现实现高电压、高频率、快速dV/dt边沿速率开关的全部性能优势。本文将简单介绍NCP51820及利用 NCP51820 设计高性能 GaN 半桥栅极驱动电路的 PCB 设计要点。NCP51820 是一款全功能专用驱动器,为充分发挥高电子迁移率晶体管 (HEMT) GaNFET 的开关性能而
  • 关键字: 安森美  GaN  PCB  

纳芯微新品,专门用于驱动E−mode(增强型)GaN 开关管的半桥芯片NSD2621

  • 前言现阶段的大多数 GaN 电源系统都是由多个芯片组成。GaN 器件在电路板上组装前采用分立式的元件组装会产生寄生电感,从而影响器件的性能。例如驱动器会在单独的芯片上带有驱动器的分立晶体管,受到驱动器输出级和晶体管输入之间以及半桥开关节点之间的寄生电感的影响,同时GaN HEMT 具有非常高的开关速度,如果寄生电感未被抑制,将会导致信号传输的波动。近日,纳芯微推出了两款全新的GaN相关产品,分别是GaN驱动NSD2621,一颗高压半桥栅极驱动芯片,专门用于驱动E−mode(增强型)GaN 开关管;集成化的
  • 关键字: GaN  纳芯微  半桥驱动芯片  

大功率器件的散热设计

  • 随着电子技术的不断发展,大功率器件的发热功耗越来越大、热流密度不断增加。产品散热设计对产品的可靠性有着至关重要的影响。随着电子技术的不断发展,大功率器件的发热功耗越来越大、热流密度不断增加。产品散热设计对产品的可靠性有着至关重要的影响。要对大功率器件进行良好的散热设计,首先要了解功率器件的热性能指标,然后通过选择合适的散热方式,正确的风道设计以及对散热器进行必要的优化分析,最后规范、正确的安装散热器使器件达到最佳的散热效果。1、器件的热性能参数器件厂家会提供器件的焊接温度、封装形式、工作温度范围、器件结点
  • 关键字: 功率器件  

功率器件的保护措施包括什么?

  • 功率器件即输出功率比较大的电子元器件,是电子元件和电子器件的总称,是功率放大器。功率放大是利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。主要由电子元件业、半导体分立器件和集成电路业等部分组成。功率电子器件大量被应用于电源,伺服驱动,变频器,电机保护器等功率电子设备。接下来主要介绍功率器件的保护措施。1、保险丝法这是一种传统的保护方法。保险丝常串接在电路的电源输入端用以控制整个电路的总电流。其工作原理是靠电路出现故障后增大的故障电流流过保险丝时导致其发热升温自行熔
  • 关键字: 功率器件  

常用的功率元器件大全

  • 常用的功率元器件有哪些?电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。1. MCT (MOS Con
  • 关键字: 功率器件  

纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K

  • 纳芯微全新推出GaN相关产品,包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K,均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。其中,NSD2621是一颗高压半桥栅极驱动芯片,专门用于驱动E−mode(增强型)GaN 开关管;NSG65N15K是一颗集成化的Power Stage产品,内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管。NSD2621产品特性: 01. SW引脚耐压±700V 02. 峰值驱动电流2A/-4A 03.&n
  • 关键字: 纳芯微  GaN  

功率器件:新能源产业的“芯”脏

  • 功率半导体器件,也称为电力电子器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。逆变(直流转换成交流)、整流(交流转换成直流)、斩波(直流升降压)、变频(交流之间转换)是基本的电能转换方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽车是功率器件增量需求主要来源01 下游应用领域广泛,新能源汽车为主作为电能转化和电路控制的核心器件,功率器件下游应用十分广泛,包括新能源(风电、光伏、储能和电动汽车)、消费电子、智能电网、轨道交通等,根据每个细分领域性能要求
  • 关键字: 功率器件  IGBT  MOSFET  国产替代  

第三代半导体功率器件在汽车上的应用

  • 目前碳化硅(SiC)在车载充电器(OBC)已经得到了普及应用,在电驱的话已经开始逐步有企业开始大规模应用,当然SiC和Si的功率器件在成本上还有一定的差距,主要是因为SiC的衬底良率还有长晶的速度很慢导致成本偏高。随着工艺的改进,这些都会得到解决。同时SiC由于开关速度比较快,衍生出来的问题在应用里还没有完全的暴露出来,随着SiC的终端客户在这方面的应用经验越来越丰富,SiC的使用也会趋于成熟。接下来,安森美(onsemi)汽车主驱功率模块产品线经理陆涛将和您聊聊关于未来SiC在新能源汽车上的普及及应用。
  • 关键字: 安森美  功率器件  汽车  

基于安森美半导体高频率准谐振NCP1342搭配GaN的65W PD电源适配器

  • 电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间,而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸,但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下,硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人,以及再生能源至数据中心技术,功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质,在电子迁移率远远高于硅,输出电容也大大小于硅,致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►产品实体图►方案方块图►核心技术优
  • 关键字: 安森美  NCP1342  PD  QR  高频率  GaN  

基于安森美半导体有源钳位的NCP1568搭配GaN的65W PD电源适配器

  • 电源适配器曾在电子产品中占据相当大的空间,而市场对于高功率密度的需求也正日益增高。过去硅(silicon)电源技术的发展与创新曾大幅缩减产品尺寸,但却难有更进一步的突破。在现今的尺寸规格下,硅材料已无法在所需的频率下输出更高的功率。对于未来的5G无线网络、机器人,以及再生能源至数据中心技术,功率将是关键的影响因素。GaN作为款能带隙材质,在电子迁移率远远高于硅,输出电容也大大小于硅,致使其可工作在更高频率以致变压器尺寸可以做的更小来实现更高功率的小尺寸电源。►场景应用图►展示板照片►方案方块图►核心技术优
  • 关键字: 安森美  有源钳位  NCP1568  GaN  PD电源  适配器  

世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案

  • 安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来,硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓(GaAs)和砷化镓、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体,它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
  • 关键字: NCP51820  安森美  半导体  电源供应器  GaN MOS Driver  
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600v氮化镓(gan)功率器件介绍

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