- IGBT是功率器件技术演变的最新产品，是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势，IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集合了高频、高压、大电流三大技术优势。IGBT能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。IGBT被公认为是电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是未来应用发展的必然
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功率器件 IGBT
- 三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)日前在参加2014年PCIM亚洲展时，估计功率器件市场在整体经历了2012年的业绩下滑后，市场正在逐渐恢复并升温，预计到2016年，整体业绩可以回复到2011年的历史高峰。
为了满足市场需要，三菱电机功率半导体制作所总工程师佐藤克己先生表示，三菱电机持续每年投入产品研发，降低产品的重量、尺寸和损耗，最终实现提升性能和降低成本。现时集中发展第7代IGBT模块、混合碳化硅产品、工业用DIPIPMTM、以及新的IPM系列。
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三菱电机 功率器件
- 日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，将参加在上海举行的“上海国际电力元件、可再生能源管理展览会”(PCIM Asia 2014 )。本次展会于2014年6月17日至19日在上海世博展览馆拉开帷幕，东芝半导体&存储产品公司此次将展示其最新的、应用在电力领域的技术和产品。
展示产品简介:
IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)
东芝在IGBT的基础上成功研发出&
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东芝 功率器件 光耦
- 通过对众多公司的访问，发现数字电源是增长很快的领域;功率器件的效能在提升，封装是其创新的一个重要部分;电源模块正面向特定的应用和客户，提供端到端的解决方案;电源芯片向微纳功耗和能量采集领域挺进;电源测试在从单台仪器向整体解决方案转型。
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电源 功率器件 电源管理 能量采集 201404
- 为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体（FET）；其中，采用Cascode结构的...
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Cascode GaN 场效应管
- GaN被认为是下一代的功率元件，被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日，来自英飞凌的MarkMuenzer表示，其前景虽好，但是还没到广泛使用的时候，因它还有很多未被探索出来的部分。
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GaN.功率元件
- 本文介绍了一种“总体分布、局部集中”式的轿车车门控制器设计方案，即以安森美半导体系统基础芯片NCV7462和...
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前车门控制器 感应电阻器 功率器件
- 虽然电动汽车完全成为主流还需要一定的时间，但一些制造商深信面向大众市场的零排放汽车时代已经来临。当谈到针对未来交通开发的技术时，电动汽车和电池产业毫无疑问是焦点所在，当前研发工作重点放在提高电池存储容量和加快电池充电时间。通过与汽车和电池制造商的合作，TEConnectivity公司目前正在为这一新兴市场领域开发新的技术和解决方案。
下图显示了PPTC技术如何应用于混合动力汽车和电动汽车电池模块中的过温检测。该例使用了一个热敏传感器阵列来监视单节电池故障。由于给PPTC器件加热会使器件电阻迅速非
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电动汽车 电源 功率器件
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
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SiC GaN
- 与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就
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GaN 功率半导体
- 日前，电子发烧友网携手飞兆半导体等业界五大知名厂商，成功举办“2013电源管理技术研讨会”，200多位技术研发工 ...
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绿色电源 高性能 功率器件
- 发光二极体(LED)的发光效率远高于传统光源，耗电量仅约同亮度传统光源的20%，并具有体积小、寿命长、效率高、不...
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GaN on GaN LED
- GaN和SiC将区分使用 2015年，市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板。并且，届时GaN类功率元件 ...
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功率 半导体 SiC GaN
- 中国科学院近日发布的一份报告称，中国研究人员利用应变工程已将150mA的电流注入了530nm发光的二极管（LED），光的...
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LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南...
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Si基 GaN 功率器件
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