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600v氮化镓(gan)功率器件 文章 进入600v氮化镓(gan)功率器件技术社区

硅衬底LED芯片主要制造工艺解析

  • 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
  • 关键字: LED芯片  硅衬底  GaN    

硅衬底上GaN基LED的研制进展

  • Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管,高密度光学存储用的紫光激光器,紫外光探测器,...
  • 关键字: MOCVD  GaN  LED芯片    

一种S波段宽带GaN放大器的设计

  • 摘要:氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点,使其具有带宽宽,高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点,使用了Agilent ADS等仿真软件,进行电路仿真设计,设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
  • 关键字: GaN  S波段  宽带  放大器    

GaN基量子阱红外探测器的设计

  • 摘要:为了实现GaN基量子阱红外探测器,利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应,通过设计适当的量子阱结构,利用自发极化和压电极化的互补
  • 关键字: 设计  探测器  红外  量子  GaN  

飞兆半导体electronica China 2011展示高能效电子应用解决方案

  •   全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)将在3月15至17日于上海新国际博览中心举行的electronica China 2011展会上,展示超过20款用于高能效电子应用的创新解决方案,展台编号为1310。   
  • 关键字: 飞兆半导体  功率器件  

力源产品目录--功率器件

Dow Corning加入imec GaN研发项目

  •   Dow Corning正式签署协议,加入imec的关于GaN半导体材料和器件技术的多方研发项目。该项目关注于下一代GaN功率器件和LED的发展。Dow Corning和imec的合作将致力于将硅晶圆上外延GaN技术带入制造阶段。
  • 关键字: Dow Corning  半导体材料  功率器件  

无锡集成电路设计产业要实现新一轮大发展

  •   无锡基地目前已经聚集了超过100家的集成电路设计企业,企业产品从原来传统的工艺向更小线宽、更高复杂度发展。   随着世界经济的逐步复苏,在国家“促发展、保增长”和拉动内需等各项措施激励下,无锡集成电路产业呈现快速回升的势头,企业数量、产业规模得到了发展,产品的技术水平得到了升级。   
  • 关键字: 模拟IC  功率器件  

2010中国连接器和功率器件市场供求趋势调查

  •   据连接器市场分析公司Bishopand Associates发布报告称,尽管2009年最后两个季度连接器销量连续增长,但是由于整体市场景气衰退,全球连接器市场在2009年还是下降了大约25%。其中,来自医疗和军事/航天OEM的连接器需求下降了5–7%。此外,连接器的价格也出现了疲软,下降了5%。需求量低和生产能力过剩是连接器价格下降的主要因素。   不过,由于目前各连接器厂商正在积极调整库存,并且,随着消费电子、汽车电子和通信终端市场的快速增长,未来三年,全球连接器市场的发展潜力依然很大
  • 关键字: 连接器  功率器件  USB  

一种GaN宽禁带功率放大器的设计

  • 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载/源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2.3~2.4 GHz范围内可实现功率超过15W,附加效率超过67%的输出。实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
  • 关键字: 设计  功率放大器  GaN  一种  

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

  • 目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
  • 关键字: GaN  LED  衬底  功率型    

GaN功率半导体市场将迅速增长,2013年市场规模达1.8亿

  •   美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示,2010年的市场规模近乎为零,但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式,不断扩大市场规模。iSuppli预测,该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。   目前,GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段,或者刚开始商用化的阶段。不过,GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有导通电阻较低等优点,可提高电源电路的转
  • 关键字: GaN  MOSFET  

Microsemi在APEC 2010展示它的全部功率半导体器件产品

  •   Microsemi公司宣布将于本周在加利福尼亚州棕榈泉(Palm Springs)的棕榈泉会议中心(Palm Springs Convention Center)所举行的应用功率电子学会议和展览会 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件产品,并在2个技术交流会上进行演讲。   Microsem所展示的主要产品(展台 #122):   · 应用于太阳能逆变器的一组超薄功率模块。   · 以太网驱动(PoE)芯片集和模块,其中包括Microsem公司第四代的IEE
  • 关键字: Microsemi  功率器件  

欧姆龙电子将出展2010慕尼黑上海电子展

  •   继欧姆龙电子部件贸易(上海)有限公司成功出展“2009慕尼黑上海电子展”之后,又将于2010年3月16~18日在上海新国际博览中心参加“2010慕尼黑上海电子展”。   慕尼黑上海电子展立足于电子元器件, 快速增长的中国及亚太市场,经过8年多的培育,已经发展成为行业内具有重要影响的综合性专业电子展览会。其针对重点领域,包括功率器件、被动元件、连接器、汽车电子等设立了专区,使得综合性与专业性得到完美结合。   届时,我们将问您展示欧姆龙电子部件事业部包
  • 关键字: 欧姆龙  功率器件  被动元件  连接器  汽车电子  
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600v氮化镓(gan)功率器件介绍

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