MOSFET或IGBT保护方法有很多，有专门带保护的驱动电路，也有用康铜丝做电流采样的保护电路。专门带保护的驱动电路一般成本较高，用康铜丝做电流采样+比较器容易产生振荡。下面介绍一种无采样电阻的方法。
下面介绍一种无采样电阻的方法：
上图中，Q1是功率管MOSFET或IGBT，R1是负载，D1是采样二极管，R2是上拉电阻。在Q1导通时D1的K极电压就是Q1压降，D1的A极电压在其基础上高了D1压降(Q1压降+D1压降)。D1压降是恒定值，当过载时Q1压降增大，从
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采样电阻 功率器件
摘要：在电源系统设计中，当一个电源模块的功率无法满足系统的设计要求时，我们往往会考虑多个模块的并联使用。如果并联设计不合理，就会导致并联模块输出均流失效，会有烧坏电源模块、甚至损坏后级系统的风险。今天跟大家简单分享一些造成电源模块并联失效的真正原因。
目前电源系统的发展趋势采用新型的功率器件实现小型、轻量、高效率的电源模块化，通过并联进行扩容。电源并联运行是电源产品模块化、大容量化的一个有效方案，是电源技术发展的趋势之一，是实现组合大功率电源系统的重点。
1.不
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电源模块 功率器件
根据YoleDeveloppement指出，氮化镓(GaN)元件即将在功率半导体市场快速发展，从而使专业的半导体业者受惠;另一方面，他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际整流器(InternationalRectifier;IR)等大型厂商的竞争或并购压力。
Yole估计，2015年GaN在功率半导体应用的全球市场规模约为1千万美元。但从2016-2020年之间，这一市场将以93%的年复合成长率(CAGR)成长，预计在2020年时可望达到3千万美元的产值。
目前销售Ga
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氮化镓 GaN
根据Yole Development预测，功率晶体管将从硅晶彻底转移至碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)基板，以期能在更小的空间中实现更高功率。
在最新出版的“GaN与SiC器件驱动电力电子应用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)报告中，Yole Development指出，促进这一转型的巨大驱动力量之一来自电动车(EV)与混合动力车(HEV)产业。Yole预期EV/HEV产业将持续大力推动Si
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SiC GaN
目前，电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统，其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器·转换器·马达等装置的开发与测试则需要相较以前有着更高精度、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。
各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量，利用它们的差和比
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SiC GaN 电流传感器
1月出席DesignCon 2015时，我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲，谈到以氮化镓(GaN)技术进行高功率开关组件(Switching Device)的研发。我也有幸遇到“电源完整性 --在电子系统测量、优化和故障排除电源相关参数(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
三菱电机今年以“创新功率器件构建可持续未来”为题，携带九款全新功率器件，于6月24至26日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2015(展位号4A08)中隆重亮相。
今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域，包括：工业传动、光伏发电、变频家电、轨道牵引及电动汽车，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。
工业及光伏发电市场
针对工业光伏逆变器市场的需要，三菱电机将展出四款新型功率模块，包括第7代IGBT模块、DIPIPM+模块、4in1 T型三电平逆变器用IGBT模
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三菱电机 功率器件
英飞凌科技股份公司今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前，英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台，包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。GaN技术可以大幅地缩小电源的尺寸和减轻电源的重量，这将为GaN产品在诸如超薄LED电视机等终端产品市场开辟新的机会。
英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌的硅基GaN产品组合，结合公司了所
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英飞凌 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合，双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 松下 GaN
近日，德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线 (QFN) 封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成，使之非常易于设计。如需了解更多信息，敬请访问www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化，此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供更高的功率密度和效率。
TI高压电源
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德州仪器 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 GaN
英飞凌和松下联合开发GaN器件，将松下的增强型GaN材料技术与英飞凌的SMD封装技术相结合。
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英飞凌 松下 GaN
氮 化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体 文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损 耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!帅呆了!
至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射频
摘要：探讨了SiC的技术特点及其市场与应用。
近期，全球知名半导体制造商ROHM在清华大学内举办了以“SiC功率元器件技术动向和ROHM的SiC功率元器件产品”为主题的交流学习会。此次交流学习会上，ROHM在对比各种功率器件的基础上，对SiC元器件的市场采用情况和发展趋势做了分析，并对ROHM的SiC产品阵容、开发以及市场情况做了详尽的介绍。
各种功率器件的比较
功率元器件主要用于转换电源，包括四大类：逆变器、转换器(整流器)、直流斩波器DC/DC转换器、矩阵
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SiC 功率器件 ROHM IGBT 201503
功率器件在我国还属于朝阳产业，就其在中国发展的历程来看，从20世纪50年底的可控硅SCR发展到80年代的较为成熟的绝缘栅双极晶体管IGBT，发展时间较短。就其增长速度来看，市场规模增长速度较快，高于我国制造业的平均增长速度，并已经成为了全球最大的功率器件市场。
根据统计局的数据显示，2013年，我国功率器件销售额比2012年增长9.9%，销售金额达到1804.87亿元。就其下游需求行业来看，无论是从生活联系紧密的数码相机、LED电视、手机到新能源汽车、工业控制，均是目前成长良好需求广阔甚至在未来
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功率器件 半导体 LED
600v氮化镓（gan）功率器件介绍
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欢迎您创建该词条，阐述对600v氮化镓（gan）功率器件的理解，并与今后在此搜索600v氮化镓（gan）功率器件的朋友们分享。
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