本文为您详细介绍直流电机驱动设计需要注意的事项，低压驱动电路的简易栅极驱动、边沿延时驱动电路图解及其设计思路。
以上是直流电机驱动电路图，下面为您详细介绍直流电机驱动设计需要注意的事项，低压驱动电路的简易栅极驱动、边沿延时驱动电路图解及其设计思路。
一、 直流电机驱动电路的设计目标
在直流电机驱动电路的设计中，主要考虑一下几点：
1. 功能：电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动，只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机
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PWM 功率器件
随着去年Dialog取得了台湾敦宏科技40%的股份后，国际Fabless业者Dialog于今日又有重要动作。此次的重大发布是与晶圆代工龙头台积电(TSMC)在GaN(氮化镓)元件的合作。
Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall
透过台积电以六寸晶圆厂的技术，Dialog推出了DA8801，Dialog企业发展及策略资深副总裁Mark Tyndall在会后接受CTIMES采访时表示，该款元件为目前产业界首款将逻辑元件与GaN FET整合为单一
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Dialog GaN
德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的建构模组：以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器电晶体...
下一代行动无线网路——5G，将为需要极低延迟的间和/或高达10Gbps资料传输速率的创新应用提供平台。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的一种建构模组
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GaN 5G
众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。
GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 (source：www.nedo.go.jp)
不过，姑且不论摩尔定律(Moors’ Law)能否持续下去，有些电子系统的轻便度仍待改进提升，例如笔电出门经常要带着一个厚重占体积的电源配接器(Power Ad
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GaN SiC
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都是
关键字：
GaN LED
当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(Nagoya University)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都
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GaN 蓝光LED
三菱电机今年继续以“创新功率器件构建可持续未来”为主题， 携带八款新型功率器件，在今天正式亮相PCIM Asia 2016(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)，受到广大参观者的一致好评，参观者们纷纷在三菱电机展台拍照留念，三菱电机再次向公众展示其在功率半导体市场上的非凡实力(三菱电机展位号：B15)。
今年展出的功率器件应用范围跨越四大领域，包括：变频家电、轨道牵引及电力传输、电动汽车、工业和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。
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三菱电机 功率器件
当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。
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GaAs GaN
台湾台积电(TSMC)在“ISPSD 2016”上公开了受托生产服务的蓝图及试制元件的特性等。该公司将采用在直径150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN层的“硅基氮化镓”(GaN on Si)技术生产GaN晶体管。
台积电打算开展受托生产的GaN晶体管有三种类型：(1)常开型(Normal On)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(Normal Off)。按耐压高低来分有40V、100V和650V产品。
其中，耐压650V的常关
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台积电 GaN
三菱电机今年继续以“创新 功率器件构建可持续未来”为主题， 携带八款新型功率器件，于6月28至30日在上海世博展览馆举行的 PCIMAsia2016(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)中登场，向公众展示其在功率 半导体市场上的非凡实力(三菱电机展位号：B15)。
今年展出的功率器件应用范围跨越四大领域，包括：变频家电、轨道牵引及电力传输、电动 汽车、工业和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。
变频家电市场
在变频家电应用方面，三菱电机这次在去
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三菱 功率器件
移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供
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Qorvo GaN
氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被
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GaN PFC
基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应晶体管(FET)功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比，这款全新的12A LMG3410功率级与TI的模拟与数字电力转换控制器组合在一起，能使设计人员创造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中都特别重要。如需了解更多信息
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TI GaN
氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器件难以达到的更高电源转换效率和更高的功率密度水平，为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来性能飞跃。 GaN的优势 从表1可见，GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度，和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率，这意味着开关过程的反向恢复时间可忽略不计
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安森美 GaN
万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor ,AOS)为集设计、开发与销售为一体的功率半导体供应商，提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的功率MOSFET和电源管理IC产品系列。“以新能源技术的逐渐实用化为主轴，功率变换市场正经历一场历史性的变革。新能源的普及过程中电池储能技术是关键的一环。” AOS MOSFET全球市场资深总监冯雷指出。 那2016年的功率器件市场发展具体呈现出哪些特点呢?冯雷表示
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AOS 功率器件
600v氮化镓（gan）功率器件介绍
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