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600v氮化镓(gan)功率器件 文章 进入600v氮化镓(gan)功率器件技术社区

富士通明年计划量产氮化镓功率器件

  • 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。
  • 关键字: 富士通  功率器  GaN  

电源功率器件的散热

  • 在稳压电源中主元器件采用功率半导体器件,如功率晶体管(GTR)、功率场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(I...
  • 关键字: 电源  功率器件  散热  

怎样去选择好逆变器功率器件

  • 逆变器的主功率元件的选择至关重要,目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(GTR),功率场效应管(MOSFET),绝...
  • 关键字: 逆变器  功率器件  

功放为智能手机提供最佳效率

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 智能手机  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

具集成型功率器件的I2C控制型电池电源管理IC

  • 可采用任何5V电源给高容量电池充电,同时保持低运行温度便携式电子产品设计人员面临着这样的挑战,就是要开...
  • 关键字: I2C  电源管理  功率器件  

功率器件的新时代汽车电子功率MOSFET技术

  • 过去15到20年间,汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象,且其封装简单,主要采用TO220 和 TO247
  • 关键字: MOSFET  功率器件  汽车电子    

“主流GaN”的发展和未来

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: GaN  恩智浦  氮化镓  射频功率晶体管  

科锐推出突破性GaN基固态放大器平台

  • 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管,从而提高效率和可靠性。
  • 关键字: 科锐  放大器  GaN  

电动汽车对电源芯片与功率器件挑战

  • 在汽车行业的发展方向上,电动汽车(EV)和油电混合动力汽车(HEV)正成为一个明显的趋势。从技术角度来说,目前更...
  • 关键字: 电动汽车  电源芯片  功率器件  

汽车系统中的功率电子技术

  • 一、导言汽车中使用电子产品可以追溯到使用电动启动器替代手动曲柄的20世纪初。上世纪60年代,随着固体电...
  • 关键字: 动力传动  汽车前灯  功率器件  

功率器件的开发应用与实例图解

  • 随着全球能源的日趋紧张,节能节电迫在眉睫。电能转换是节能节电的重要环节。在电能转换过程中,转换期间的...
  • 关键字: 功率器件  开发应用  实例图解  

功率器件在混合动力汽车(HEV)中的应用

  • 混合动力汽车(HEV)市场的增长在很大程度上取决于每加仑/英里这一能耗指标及追加投入的每个硬币所带来的好处以及混合系统现场的可靠性。消费者将混合汽车与标准汽车进行比较,并期待在整体更低拥有成本的前提下起码具
  • 关键字: HEV  功率器件  混合动力汽车  中的应用    

瑞萨推出14款适用于汽车车身应用的智能功率器件

  • 全球领先的先进半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE:6723,以下简称“瑞萨电子”)日前宣布推出14个针对汽车应用的新型智能功率器件(Intelligent Power Device, 以下简称“IPD”),包括µPD166023在内的该系列产品面向外部车灯驱动(如头灯和雾灯),电加热座椅和电机驱动等典型车身应用。
  • 关键字: 瑞萨  功率器件  IPD  

技术讲座:用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件(一)

  • 与SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源...
  • 关键字: SiC  功率元件  GaN  导通电阻  

硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这些芯片安装到器件中,使得内量子效率接近40%。硅衬底在
  • 关键字: GaN  LED  分析    
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600v氮化镓(gan)功率器件介绍

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