- 摘要：为了实现GaN基量子阱红外探测器，利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应，通过设计适当的量子阱结构，利用自发极化和压电极化的互补
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设计 探测器 红外 量子 GaN
- 全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)将在3月15至17日于上海新国际博览中心举行的electronica China 2011展会上，展示超过20款用于高能效电子应用的创新解决方案，展台编号为1310。
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飞兆半导体 功率器件
- Dow Corning正式签署协议，加入imec的关于GaN半导体材料和器件技术的多方研发项目。该项目关注于下一代GaN功率器件和LED的发展。Dow Corning和imec的合作将致力于将硅晶圆上外延GaN技术带入制造阶段。
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Dow Corning 半导体材料 功率器件
- 无锡基地目前已经聚集了超过100家的集成电路设计企业，企业产品从原来传统的工艺向更小线宽、更高复杂度发展。
随着世界经济的逐步复苏，在国家“促发展、保增长”和拉动内需等各项措施激励下，无锡集成电路产业呈现快速回升的势头，企业数量、产业规模得到了发展，产品的技术水平得到了升级。
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模拟IC 功率器件
- 据连接器市场分析公司Bishopand Associates发布报告称，尽管2009年最后两个季度连接器销量连续增长，但是由于整体市场景气衰退，全球连接器市场在2009年还是下降了大约25%。其中，来自医疗和军事/航天OEM的连接器需求下降了5–7%。此外，连接器的价格也出现了疲软，下降了5%。需求量低和生产能力过剩是连接器价格下降的主要因素。
不过，由于目前各连接器厂商正在积极调整库存，并且，随着消费电子、汽车电子和通信终端市场的快速增长，未来三年，全球连接器市场的发展潜力依然很大
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连接器 功率器件 USB
- 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一，由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点，被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点，基于Agilent ADS仿真软件，利用负载／源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试，数据表明放大器在2．3～2．4 GHz范围内可实现功率超过15W，附加效率超过67％的输出。实验结果证实，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
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设计 功率放大器 GaN 一种
- 目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
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GaN LED 衬底 功率型
- 美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示，2010年的市场规模近乎为零，但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式，不断扩大市场规模。iSuppli预测，该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。
目前，GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段，或者刚开始商用化的阶段。不过，GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有导通电阻较低等优点，可提高电源电路的转
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GaN MOSFET
- Microsemi公司宣布将于本周在加利福尼亚州棕榈泉(Palm Springs)的棕榈泉会议中心(Palm Springs Convention Center)所举行的应用功率电子学会议和展览会 (APEC 2010)上展出它的一系列功率器件产品，并在2个技术交流会上进行演讲。
Microsem所展示的主要产品(展台 #122)：
· 应用于太阳能逆变器的一组超薄功率模块。
· 以太网驱动(PoE)芯片集和模块，其中包括Microsem公司第四代的IEE
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Microsemi 功率器件
- 继欧姆龙电子部件贸易(上海)有限公司成功出展“2009慕尼黑上海电子展”之后，又将于2010年3月16～18日在上海新国际博览中心参加“2010慕尼黑上海电子展”。
慕尼黑上海电子展立足于电子元器件， 快速增长的中国及亚太市场，经过8年多的培育，已经发展成为行业内具有重要影响的综合性专业电子展览会。其针对重点领域，包括功率器件、被动元件、连接器、汽车电子等设立了专区，使得综合性与专业性得到完美结合。
届时，我们将问您展示欧姆龙电子部件事业部包
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欧姆龙 功率器件 被动元件 连接器 汽车电子
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。崭新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点 (POL) 应用设计的，包括服务器、路由器、交换机，以及通用POL DC-DC转换器。
iP2010和iP2011集成了非常先进的超快速PowIRtune驱动器IC，并匹配一个多开关单片氮化镓功率器件。这些器件贴装在一个倒装芯片封装平台上，可带来比最先进的硅集成功率级器件
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IR 功率器件 氮化镓 DC-DC
- 功率半导体包括功率二极管、功率开关器件与功率集成电路。近年来，随着功率MOS(金属氧化物半导体)技术的迅速发展，功率半导体的应用范围已从传统的工业控制领域扩展到4C领域(计算机、通信、消费类电子产品和汽车电子)，渗透到国民经济与国防建设的各个方面。我国拥有国际上最大的功率半导体市场，拥有迅速发展的半导体代工线及国际上最大规模的人才培养体系，但中国功率半导体产业的发展必须改变目前封装强于芯片、芯片强于设计的局面。功率半导体行业应加强技术力量的引进和消化吸收，大力发展设计技术，以市场带动设计，以设计促进芯
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功率器件 开关 功率二极管
- 市场需求逐步恢复
● 能效需求催生功率器件应用热潮
● 扩内需政策为企业提供增长空间
陈坤和
从2008年底到2009年初，所有电子产品的需求均有减少，功率半导体也不例外。我们认识到，困难时期可能成为重新把公司塑造成一个更精简、更专注、更赢利企业的催化剂。由于各国政府的经济刺激措施纷纷把提升能效列为重点内容，许多企业开始关注功率产品。在中国，由于政府刺激消费电子市场，中国市场需求增长，推动功率管理和其他半导体产品的需求开始复苏。从长期来看，功率半导体将与许多其他领域的半导体产品
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功率器件 MOSFET
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