- 12月4日消息，美国纽约当地时间本周一，美国半导体产业协会表示，在个人电脑需求高于预期、圣诞旺季期间销售强劲的拉动下，今年10月份全球半导体产品的销售较上年同期增长了5%。
据国外媒体报道称，今年10月份全球半导体销售额为231亿美元，与9月份的226亿美元相比增长了2%。
美国半导体产业协会在其月度报告中说，PC销售量的强劲增长推动今年头10个月微处理器的销售量较上年同期增长了15%。
美国半导体产业协会表示，今年，全球半导体产品销售的增长速度符合其3.8%的预期。报告指出，消费者
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嵌入式系统 单片机 半导体 芯片 PC IC 制造制程
- Optichron推出了 OP5000 振幅因数缩小集成电路(简称 CFR IC)，该电路能够降低所有协议通信信号的峰均比 (PAR)。OP5000 的主要功能包括能够以逐频道方式配置的插值选项和6个可编程滤波器，这样不仅能够提高所选频道的效率，同时还能达到诸如 WCDMA 和 HSDPA 等多模式运行的误差矢量振幅 (EVM) 要求。由于在保持频谱兼容性的同时增加运行端点，峰均比降低使得利用以数据为核心技术的设计人员能够提高昂贵功率放大器 (PA) 的效率。设计人员可以将
OP5000 CFR
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测试 测量 Optichron CFR IC 模拟IC
- LCD TV主流尺寸介于20寸与32-46全球平均价格呈现上涨，其中32寸与42寸为连续第二个月上涨。47寸(含)以上则呈现下跌。PDP TV方面各尺寸涨跌互见，42寸PDP TV自6月起连续下跌五个月，50寸，55寸，60寸呈现上涨，其中55寸由于机种数较少，造成价格变化较大，其余尺寸仅为小幅波动。
LCD TV本月波动较大为26寸与40寸，其中26寸下跌3.3%，达到646美元而40寸则上涨4.2%达到1,507美元，其余波动都在+/-2.5%以内。即便是65寸LCD TV仅呈现1.9%跌幅
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消费电子 LCD FPD IC 液晶显示 LCD
- NEC电子宣布，其主力业务的系统LSI(大规模集成电路)将从新一代产品开始委托给外部企业生产。最早将从2009年开始委托给合作伙伴东芝等厂商。同时正式宣布了业务体制重组计划。
计划称，将于2008年4月将6家半导体生产子公司整合为3家。此举的目的是，在尖端半导体业务费用不断增大的背景下，在与其他厂商进行合作的同时降低成本，借此建立可灵活应对需求变动的生产体制。
在日本国内，NEC电子拥有在硅晶圆上烧制电路的前工序业务子公司4家和进行封装的后工序业务子公司2家。NEC电子将把这6家子公司整合
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消费电子 NEC LSI 大规模集成电路 IC 制造制程
- 据市场调研公司ICInsights，2007年IC单位出货量有望增长10%。该公司先前的预测是增长8%。
ICInsights将调高增长率预测归因于以下器件的出货量强劲增长：DRAM(上升49%)、NAND闪存(上升38%)、接口IC(增长60%)、数据转换IC(上升58%)和汽车相关的模拟IC(上升32%)。
ICInsights表示，如果2007年IC单位出货量增长率达到10%或者更高水平，将是连续第六年以两位数的速度增长，创下前所未有的强劲增长纪录。
ICInsights认为，
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NAND 闪存 IC 元件 制造
- 继今年9月进入四核服务器CPU市场后，11月20日，AMD Spider平台的发布标志着AMD开始进入四核桌面计算市场。在此之前，来自AMD总部的专家介绍了Spider平台的特点。
Spider平台的发布也是AMD收购ATI以来，首次同步发布CPU(Phenom，弈龙处理器)、GPU(ATI Radeon HD 3800系列图形处理器)和芯片组(AMD 7系列芯片组)。
上述三种芯片并不仅仅是发布时间上的巧合，而是在设计阶段进行了相互优化，加之超频软件工具AMD OverDrive，不难看
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嵌入式系统 单片机 CPU AMD GPU IC 制造制程
- 据市场调研公司IMS Research的最新分析，预计未来五年全球电源管理市场平均每年增长10%以上。
IMS Research分析了五个关键的电压调节市场，以及其它电源控制器、驱动器IC和标准电源管理单元(PMU)市场。它预测该市场到2011年将接近150亿美元。该市场将受益于消费电子设备出货量增长、电源管理设计日益复杂和节能型产品越来越受重视。
“尽管2007年开局不利，但今年下半年电源IC需求的增长一直比较强劲。”Ash Sharma表示，“所有指标都预示2008年市场形势将非常好，
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模拟技术 电源技术 电源管理 IC PMU 电源
- 随着信号速度的快速增长和高速集成电路芯片尺寸的不断减小，对集成电路互连结构的分析受到越来越多人的重视。为了减少互连效应对IC性能的影响，需要对电路的参数进行优化设计，从而首先需要对电路参数进行灵敏度分析。传输线的灵敏度分析正是国内外研究的热点，如AWE法、特征法。本文方法基于配点法(拟谱方法)，他是继差分法和有限元法后的一种重要的求解偏微分方程的方法。将配点法应用于传输线，将带有偏导变量的状态方程组转化为简单的矩阵方程，从而直接求解相对于传输线参数和负载参数的灵敏度。
1 传输线模型表示
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- 象多数技术形式一样，手机中的射频(RF)收发器也在不断进化，以满足市场对于低成本和高性能的不懈追求。为了满足这两种相互矛盾的需求，供应商采取的是一种减少元件数量和功耗的解决方案。按照这个思路，手机市场现在开始采纳一种新的技术：DigRF。虽然2G手机也可以使用这种技术，但DigRF的主要优点是它能够降低3G手机的成本，同时保持或者改善其性能。
手机基带与RF集成电路(IC)之间的坚实接口，对于确保实现最佳性能非常关键。这个接口是基带配置RF IC和传送数据的主要手段。它还包括电源管理和睡眠功能，
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射频 RF IC RF IF
- Intersil 公司宣布推出ISL78010 - 汽车级TFT-LCD 电源 IC。该器件是 AEC-Q100 级产品，完全符合 ISO/TS 16949:2002 的要求，其在汽车温度范围(-40ºC~+105ºC)内工作。它是一款高度集成的产品，可以提升性能，并降低跟为 7~15 英寸显示器供电相关的成本。ISL78010 提供了增强型抗瞬变可靠性以及更高的电压能力，可以避免发生转换过程引起的杂散电容和寄生电感。
ISL78010 为每条输出通道都整合了排序、调节电荷泵
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- 英诺华微电子(INNOVA)日前推出专为LED照明驱动设计的基于PFM/PWM的高效率升压直流电源转换芯片，该芯片是一款低电压恒流输出DC/DC升压芯片，可提供0.5w的恒流输出，集成了同步整流管及开关管，只需要很少的外部器件。它结合了LED照明及充电电池使用中的特点，除了LED驱动必备的诸如软启动、过压过流保护等等功能以外，更具有低压自锁(UVLO)，高低档电位感应自动输出转换等功能。非常适合在单节充电电池及碱电池应用设备中的LED提供理想驱动。
该芯片所具有的低压自锁功能可以有效防止充电电池
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- SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 全球首款配合伽利略卫星 (Galileo) 的接收器IC产品SE4120L荣获著名杂志 《电子设计技术》 (EDN China) 2007年度创新奖之优秀产品奖。SE4120L器件在竞争激烈的通讯与网络IC组别中胜出。该接收器具有对软件定义的GPS和伽利略卫星信号处理的内建支持，可将高精度导航服务集成于笔记本电脑、PDA、媒体播放器、手机以及照相机等便携式设备中。
伽利略是全新的卫星系统，较之现有的GPS系统，导航和定位性能均大大增强
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消费电子 SiGe 半导体 IC 消费电子
- 11月27日消息，据香港媒体报道，台湾地区工研院工业技术产业经济与信息服务中心(IEK)主任杜紫宸昨日表示，尽管中国大陆有大规模的资金及人才储备，但台湾的芯片产业领先中国的优势将至少维持至2020年。
杜紫宸说，芯片行业需要拥有高门槛的经验作为后盾，这是中国大陆短期之内难以追上台湾地区的主要原因。他同时还认为，中国最优秀的芯片技术人才处于待遇的考虑，会优先考虑在中国投资的其他国家或地区的半导体公司，而不是本土的公司，这也是不利用中国芯片产业发展的原因。
之前，台湾地区政府一直严格管制台湾科
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芯片产业 台湾 IC 制造制程
- 据Terra Securities ASA的分析师Bruce Diesen，10月全球芯片销售额的三个月平均值从9月时的226亿美元上升到228亿美元。但是，10月未经调整的销售额同比增长率比9月下降2.5个百分点。
Diesen表示，他预计2007年全球芯片销售额增长3%，但他把2008年销售额增长率预测从9%降到了8%。“对于10月份，我们认为初始晶圆比去年同期增长了14%。据Sicas，第三季度初始晶圆强劲增长了17.6%，超过了我们预期的15%。这对于MEMC、Wacker、Hemloc
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嵌入式系统 单片机 芯片 销售额 晶圆 IC 制造制程
- 摘 要：本文给出了一个基于自主知识产权芯片实现的超宽带窄脉冲发射电路及测试结果，通过超低功耗单片机MSP430F123控制超宽带脉冲发射机芯片，可实现高速率数据的无线发射，所采用的超宽带发射机芯片基于0.18mm CMOS工艺设计和实现，能够以0~800Mpps的脉冲重复频率产生宽度约为500ps的超宽带窄脉冲信号，经过脉冲整形电路后，信号的频谱在500MHz~1.5GHz之间，发射功率谱密度低于-41.3dBm/MHz。
关键词：超宽带;窄脉冲;射频标签;无线通信芯片
前言
超宽带
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模拟技术 电源技术 超宽带 窄脉冲 射频标签 IC 制造制程
3d-ic介绍
3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴，分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating)，由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求，TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程，称之为中段，可由晶圆厂或封测 [
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