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美国和韩国《芯片法案》正在推动投资，但代价高昂

  • 2021年上任后不久，美国总统约瑟夫·R·拜登（Joseph R. Biden, Jr.）支持使用联邦政府资源来增强美国生产尖端半导体的能力，以应对全球竞争对手，特别是中国。由此产生的《2022年创建有益于生产半导体的激励与科学法案》（CHIPS和Science Act）是当今世界上最雄心勃勃的产业政策之一，预计2022-2031年将提供793亿美元的补贴、贷款、税收抵免和研发支持。事实上，《芯片法案》在吸引美国投资方面比预期更成功，吸引了原本可能会被其他国家诱惑的尖端芯片制造商。韩国企业是《芯片法案》资
  • 关键字： 半导体  市场  国际  

半导体过热问题会通过量子波解决吗？

  • 摘要研究人员开发了一项技术，解决了下一代半导体技术、自旋电子学和轨道电子学的缺点。韩国科学技术院（KAIST）物理系教授金世权和浦项科技大学（POSTECH）物理系教授李贤宇领导的联合研究团队，成功观察到了可以在不产生电子热的情况下传输信息的“磁振子”新运动。这一突破于6月17日公布。研究背景传统的信息处理技术由于使用电子，在通过导体时因电阻产生热量而损失大量能量。自旋电子学利用电子的电荷和磁自旋，而轨道电子学则利用电子轨道的位置，但两者都面临过热问题。最近，人们希望通过使用称为“磁振子”的量子波来解决这
  • 关键字： 半导体  材料  

台湾的阿喀琉斯之踵——能源

  • 随着俄罗斯继续针对乌克兰的能源基础设施进行攻击，欧洲寻求与俄罗斯石油脱钩，世界各地的政府也正重新关注能源安全，视其为国家安全的重要组成部分。台湾便是其中一个能源状况极其严峻且受到巨大外部威胁的国家。该岛对外国能源进口的依赖是对其国家安全的巨大威胁，需要立即解决。形势十分严峻。台湾97.7%的能源供应依赖进口化石燃料，使其高度容易受到全球供应链中断及中东冲突或中国阴谋等事件的影响。随着北京对台湾独立举措的可能性增加，台湾的能源不安全性变得显而易见。在封锁、围困或直接入侵的情况下，中国将迅速控制台湾的能源供应
  • 关键字： 半导体  市场  国际  

电机驱动IC市场依旧火爆

  • 电机驱动IC（集成电路）是一种融合了CMOS控制电路和DMOS功率器件的芯片，它为核心的运动控制系统提供了完整的解决方案，包括与主处理器、电机和增量型编码器的无缝连接。电机驱动IC是现代电机控制系统的核心，它通过精确调节电机线圈中的电流大小和方向，实现对电机旋转速度和方向的精准控制。在嵌入式系统、机器人技术、家用电器、工业自动化设备以及电动汽车等众多领域中，电机驱动IC都扮演着至关重要的角色，助力电机高效、精确地完成各类任务。市场数据显示，全球电机驱动IC市场在2022年销售额达到了318亿元，并预计将在
  • 关键字： 电机驱动IC  PI  BridgeSwitch  

高通被曝开发低成本骁龙 WoA 芯片：AI 算力 40 TOPS、2025Q4 推出

  • IT之家 6 月 18 日消息，郭明錤通过其 Medium 账号发布博文，表示高通计划 2025 年第 4 季度推出用于主流机型（售价 599-799 美元）的低成本 WoA 处理器，代号为 Canim。郭明錤表示高通会在 2025 年推出增强版骁龙 X Plus 和骁龙 X Elite 处理器，此外还会推出代号为 Canim 的低成本 WoA 处理器。该处理器采用台积电 N4 工艺，预估 AI 算力和现有 X Elite / X Plus 相同，达到 40 TOPS（每秒执行 1 万亿次浮点运
  • 关键字： 高通  WoA 处理器  

清华大学研发光子芯片集成传感和计算功能 助力自动驾驶发展

  • 6月18日消息，近日，清华大学研究团队的展示了一项成果——新型智能光子传感计算芯片，可以在纳秒级时间内处理、传输和重建场景图像。这款名为光学并行计算阵列（OPCA）的芯片，在纳秒级时间内完成了图像的处理、传输和重建，其处理带宽高达一千亿像素，响应时间仅为6纳秒，比现有技术快了约六个数量级。速度提升的背后得益于该芯片独特的集成传感和计算功能设计。OPCA芯片的工作原理是利用光子技术，在光域内直接对图像进行处理和分析。这不仅避免了信息损失和误差，光子技术的并行处理能力也使得芯片能够同时处理大量数据，进一步提高
  • 关键字： 光子传感计算芯片  OPCA  光子技术  

三星公布新工艺节点，2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产

  • 据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。活动中，三星公布了两个新工艺节点，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工艺，采用背面电源输送网络（BSPDN）技术，通过将电源轨置于晶圆背面，以消除与电源线和信号线有关的互联瓶颈，计划在2027年大规模生产。与第一代2nm技术相比，SF2Z不仅提高了PPA，还显著降低了电压降（IR drop），从而提高了高性能计算（HPC）的性能。
  • 关键字： 三星  晶圆代工  SF2Z  SF4U  

携手北京市企业家环保基金会，英飞凌持续助力可持续发展

  • 6月12日，第二个“英飞凌生态保护林”揭牌仪式在阿拉善SEE乌兰布和生态教育示范基地举行。此次活动是英飞凌科技（中国）有限公司与北京市企业家环保基金会（SEE基金会） “一亿棵梭梭”公益项目合作的进一步延续，新增在重度沙化区种植花棒、柠条、沙拐枣等树种，通过持续投入，以切实帮助当地荒漠化防治。英飞凌科技大中华区首席财务官齐米乐先生（Thomas Zimmerle），英飞凌科技大中华区企业传播部负责人朱琳女士，SEE基金会秘书长杨彪先生，英飞凌志愿者协会代表及相关媒体共同见证了当天的揭牌仪式。SE
  • 关键字： 北京市企业家环保基金会  英飞凌  可持续发展  

UMW Toyota报告5月份马来西亚总销量为8,422辆

  • UMW Toyota（UMWT）在一篇新闻稿中表示，公司5月份包括丰田和雷克萨斯品牌在内的汽车销量达到8,422辆。今年迄今为止，公司累计销量达到39,211辆，同比增长8.3%。UMWT总裁Datuk Ravindran Kurusamy拿督表示：“我们在5月份的强劲表现，凸显了我们一直致力于为客户提供更好的车辆和卓越的服务，旨在满足客户多样化的需求。”Source：Getty Images分析观点深度解析从月度环比来看，UMWT 5月份的销量较4月份的7,345辆（包括132辆雷克萨斯车型）环比增长1
  • 关键字： UMW Toyota  

通用汽车下调2024年电动汽车产量预测，并向Cruise追加投资

  • 意义：通用汽车首席财务官Paul Jacobsen于6月11日在美国纽约举行的德意志银行全球汽车行业会议上，介绍了这家汽车制造商近期计划的最新情况。此外，通用汽车还宣布其下一次投资者日活动将于10月8日在其位于田纳西州斯普林希尔的综合大楼举行。展望：在问答环节中，通用汽车首席财务官就通用汽车未来的计划提供了背景信息，并宣布了通用汽车2024年在北美电动汽车生产计划上的调整，以及宣布向自动驾驶汽车技术子公司Cruise追加投资。Source：Stephanie Brinley通用汽车（GM）首席财务官（CF
  • 关键字： 通用汽车  电动汽车产量  Cruise  

低导通电阻SiC器件在大电流高功率应用中的优越性

  • 众所周知，SiC作为一种性能优异的第三代半导体材料，因其高击穿场强、宽禁带宽度、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特性可以辅助电子器件更好地在高温、高压、高频应用中使用，可有效突破传统Si基半导体材料的物理极限。目前使用最广泛的SiC开关器件是SiC MOSFET，与传统Si IGBT相比，SiC材料的优异性能配合MOSFET单极开关的特点可以在大功率应用中实现高频、高效、高能量密度、低成本的目标，从而推动电力电子系统的发展。图1: 碳化硅器件应用范围示意图1图2: 典型应用场景对应的功率等级2从技术上讲，
  • 关键字： 低导通电阻  SiC  大电流  高功率  

SiC 功率器件中的沟槽结构测量

  • 汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。但是，虽然基于沟槽的架构可以降低导通电阻并提高载流子迁移率，但它们也带来了更高的复杂性。对于 SiC 功率器件制造商来说，准确测量外延层生长和这些沟槽中注入层深度的能力是相当重要的，特别是在面临不断增加的制造复杂性时。今天我们分享一下来自Onto Innovation 应用开发总监Nick Keller的文章，来重点介绍下SiC 功率器
  • 关键字： SiC  功率器件  沟槽结构测量  

借助智能功率模块系列提高白色家电的能效

  • CIPOS™ Mini IM523系列是一个全新的智能功率模块（IPM）系列，这些产品采用完全隔离的双列直插式封装，通过集成第二代逆导型IGBT，可以实现更高的电流密度和系统能效。IM523智能功率模块具有一个带自举功能的集成式绝缘体上硅栅极驱动器和一个可向控制器提供模拟反馈信号的温度监测器，从而最大限度地减少了对外部元件的需求。得益于这些特性，这个新的IPM系列的产品堪称冰箱和洗衣机等家用电器所使用的变频系统的完美搭档。 文：英飞凌科技研发部首席工程师Taesung Kwon和技术营销部高级首席工程师L
  • 关键字： 智能功率模块  白色家电  能效  

涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺

  • 氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构，再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比，总结结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行对比说明。一、器件结构与制造工艺（一）器件结构对比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN异质结，目前市面上还未出现G
  • 关键字： 氮化镓  GaN  结构  制造工艺  

设计基于SiC的电动汽车直流快速充电机

  • 电动汽车（EV）直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机，直接为电池提供快速直流充电。如下图所示，直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成：图 1. 直流快速充电机由一级 AC-DC 和一级 DC-DC 组成在优化系统效率的同时最大限度缩短充电时间是直流快速充电机的主要关注点。在设计此类系统时，必须考虑器件选型、电压范围和负载要求、运行成本、温度、坚固性和环境保护，以及可靠性。相比传统硅（Si）和 IGBT 器件，基于碳化硅（SiC）的器件由于具有工作温度更高、导通损耗更小、漏电流
  • 关键字： SiC  电动汽车  直流快速充电机  Wolfspeed  
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