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全系 E 核 4.6GHz，英特尔 Arrow Lake-S 处理器未锁频版频率曝光

  • IT之家 7 月 29 日消息，X 平台消息人士 Raichu (@OneRaichu) 详细爆料了代号“Arrow Lake-S”的英特尔酷睿 Ultra 200 桌面处理器首发型号 —— 即未锁频“-K (F)”版的频率信息。IT之家整理如下：酷睿 Ultra 9 285K (F)：8P16E，P 核单核睿频 5.7GHz，P 核全核睿频 5.4GHz，E 核（预计指 E 核全核睿频）可达 4.6GHz；酷睿 Ultra 7 265K (F)：8P12E，P 核单核睿频 5.5GHz，P 核
  • 关键字： 英特尔  CPU  

中国信通院：6 月国内市场手机出货量 2491.2 万部，同比增长 12.5%

  • IT之家 7 月 29 日消息，中国信通院今天下午发布了 2024 年 6 月国内手机市场运行分析报告。数据显示，2024 年 6 月，国内市场手机出货量 2491.2 万部，同比增长 12.5%，其中，5G 手机 2213.1 万部，同比增 27.8%，占同期手机出货量的 88.8%。2024 年 1-6 月，国内市场手机出货量 1.47 亿部，同比增长 13.2%，其中，5G 手机 1.24 亿部，同比增长 21.5%，占同期手机出货量的 8
  • 关键字： 智能手机  市场分析  

英特尔“组局”发掘边缘AI潜力，“酷炫”组合成关键

  • 科技飞速发展，人类正步入一个由AI驱动的新时代。在这个时代，数据无处不在，算法日益精进，AI正以前所未有的方式重塑企业的运营模式，改变着各行各业的面貌。在近期落下帷幕的第十七届英特尔网络与边缘计算行业大会上，英特尔展示了未来AI与边缘计算的结合将如何重塑企业发展模式，进而改变人们工作和生活的未来。 AI“进化”三部曲：企业数智化的未来还有多远？在AI引领的科技浪潮中，企业正处于转型的前沿。想象一下，在不久的将来，AI将形成一个高度智能化的生态系统，将企业所需执行的工作全部自动化。它们宛如一支高效
  • 关键字：   

消息称英伟达 RTX 4070 及以上显卡因 GDDR6X 显存缺货 8 月供应紧张

  • IT之家 7 月 29 日消息，消息源 ChannelGate视博合聚 7 月 24 日、25 日两次爆料称，英伟达 RTX 4070 及以上显卡将因为 GDDR6X 显存的缺货在 8 月出现供应紧张的情况，供货量较 7 月减少。IT之家注：自 RTX 4070 开始，英伟达全部 RTX 40 系中高端显卡均采用 GDDR6X 显存，由美光独家供应。消息源表示，根据其了解到的“不准确的原因”，本轮 GDDR6X 显存出现缺货是因为此前供应的一批产品可能出现了品控问题，被要求更
  • 关键字： 英伟达  GPU  

压力传感器怎么校正？这5种方法你必须要会

  • 今天给大家简单地介绍一下压力传感器怎么校正？很多种方法，都给大家总结在了一起，建议大家收藏。昨天给大家介绍了压力传感器工作原理，错过的可以点击下方标题直接跳转。压力传感器工作原理详解，几分钟带你搞懂压力传感器在这之前，先给大家介绍一下压力传感器的一些性能参数。压力传感器性能参数1 、额定压力范围额定压力范围是符合标准值的压力范围。即在最高和最低压力之间，传感器输出满足规定工作特性的压力范围。在实际应用中，传感器测得的压强在这个范围内。目前压力传感器UPB1的最高压力范围 可以达到500MPa以上。2、量程
  • 关键字： 压力传感器  电路设计  传感器矫正  

压力传感器工作原理不懂？压力传感器接线不会？

  • 压力传感器怎么安装？压力传感器主要有三种电气输出类型：毫伏 (mV)、伏特 (V) 和电流 (mA)。对于工程师来说，了解哪种适合自己应用一句确保正确选择传感器非常重要。接下来，将描述毫伏、伏特和电流输出压力传感器的优点、缺点和接线。压力传感器怎么接线？1、毫伏输出压力传感器具有毫伏输出的压力传感器通常用于实验室应用。主要特点是成本低、体积小，并且需要稳压电源，毫伏信号的电平非常低，仅限于短距离（通常认为最长可达 200 英尺）并且很容易受到附近其他电信号（其他仪器、高压交流电压线等）的杂散电干
  • 关键字： 压力传感器  电路设计  

台积电高管张晓强：不在乎摩尔定律是死是活

  • 近日，台积电业务发展高级副总裁张晓强博士在接受采访时被问到，如何看待“摩尔定律已死”的说法，而他的回答非常直接：“很简单，不在乎。只要我们能继续推动工艺进步，我就不在乎摩尔定律是活着，还是死了。”在张晓强看来，台积电的优势在于，每年都能投产一种新的制程工艺，为客户改进性能、功耗和面积 （PPA）指标进。比如说最近十年来，苹果一直是台积电的头号客户，而苹果A/M系列处理器的演进，正好反映了台积电工艺的变化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
  • 关键字： 台积电  摩尔定律  工艺  

消息称 SK 海力士考虑推动 NAND 业务子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息，综合外媒《韩国经济日报》（Hankyung）与 Blocks & Files 报道，SK 海力士考虑推动 NAND 闪存与固态硬盘子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 规格，61.44TB由于内外部因素的共同影响，Sol
  • 关键字： SK海力士  内存  NAND  

控制和防止电感器铁芯饱和

  • 磁芯饱和是磁性元件设计的主要限制之一。在这篇文章中，我们探讨了不同因素（特别是匝数）如何影响电感器的铁芯饱和度。在上一篇文章中，我们看到强磁场会导致磁性材料饱和。在饱和材料中，核心中的所有磁畴都与外部磁场对齐。超过这一点，就没有额外的域可以对齐，导致材料的渗透率显著下降。尽管有一些应用程序利用了核心饱和度，但这主要是需要避免的。当试图防止电感器饱和时，匝数是一个特别重要的设计参数。然而，决定我们是否需要增加或减少转弯次数可能有点棘手。在回顾了我们将使用的核心响应模型后，我们将了解更多关于这个主题的信息。岩
  • 关键字： 磁性元件，磁芯饱和  

利用磁导率了解磁芯饱和度

  • 在本文中，我们将了解核心饱和以及为什么在大多数应用程序中应该避免它。然后，我们研究了定义磁导率的不同方法如何帮助我们预测磁芯的饱和磁通密度。饱和和磁滞都是磁芯材料的基本特性。它们使B-H曲线非线性和多值化，使磁性元件的设计复杂化。它们还会导致失真和功率损失。我们在前两篇文章中讨论了滞后现象。在本文中，我们将了解磁芯饱和及其与非线性行为的关系。然后，我们将探索几种不同的渗透率定义，这些定义使我们能够表征非线性B-H曲线的各个方面。什么是磁芯饱和？当铁磁材料暴露在磁场中时，其磁畴与外部磁场对齐，在材料内部产生
  • 关键字： 磁导率，磁芯饱和度  

大众 ID.UNYX 与众纯电轿跑 SUV 开启交付：售 20.99 万元起，续航可达 621 公里

  • IT之家 7 月 29 日消息，大众汽车昨日宣布，ID.UNYX 与众纯电轿跑 SUV 现已开启全国交付。该车于本月中旬上市，3 款车型价格在 20.99 万到 24.99 万元之间，提供 621 公里和 565 公里两种续航版本。关于这款新车的配置信息，IT之家此前进行了详细报道。ID.UNYX 与众的长宽高分别为 4663/1860/1610 毫米，轴距为 2766 毫米。前脸配备贯穿式灯带与 LED 大灯，车身侧面采用半隐藏式车门把手设计，提供 21 英寸轮辋。内饰方面
  • 关键字： 大众  新能源汽车  ID  

英特尔 VS 三星 VS 台积电，愈演愈烈

  • 随着平面缩放优势的减弱，三维领域和新技术的代工竞争愈演愈烈。
  • 关键字： 3D晶体管  封装  

旭化成微电子和Silicon Austria Labs在车载高压应用中成功验证eFuse技术

  • 旭化成微电子株式会社（以下简称“旭化成微电子”）和欧洲的电子与软件系统研究机构Silicon Austria Labs GmbH（以下简称“SAL”）联手，在使用碳化硅（SiC）功率器件的高压应用中，成功验证了电子保险丝（eFuse）技术。获得的验证结果显示，该eFuse技术有望大幅提升车载充电器（On Board Charger：OBC）等的系统安全性，可减少元件数量并降低维护成本。旭化成微电子和SAL共同开发的eFuse系统■背景为提高电动汽车等高压应用的效率，传统硅（Si）材料的功率器件正在被碳化硅
  • 关键字：   

芯片大佬领衔，攻英伟达漏洞

  • 最近，芯片界传奇人物、处理器设计大佬、Tenstorrent 现任首席执行官吉姆·凯勒（Jim Keller）在接受采访时表示，英伟达没有很好地服务于很多市场，因此，Tenstorrent 和其它新创 AI 处理器研发公司是有机会的。Jim Keller 曾任职于多家大牌企业，包括 AMD，英特尔、苹果和特斯拉。1998~1999 年，Jim Keller 在 AMD 主导了支撑速龙系列处理器的 K7/K8 架构开发工作，2008~2012 年，在苹果牵头研发了 A4、A5 处理器，2012~2015 年
  • 关键字： 超高速以太网  边缘智能  

第三代半导体，距离顶流差了什么

  • 潮流就是即便你放弃了我，也不妨碍我越来越火。距离特斯拉宣布放弃碳化硅已经过去了一年，这个市场非但没有被抛弃，反而以 GaN、SiC 为代表的第三代半导体发展备受关注：Yole 数据显示，2026 年 GaN 市场规模预计可达 6.72 亿美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半导体市场规模有望突破 60 亿美元。预测是人算不如天算，第三代半导体优势已经被讲的翻来覆去了，市场的反馈是最真实和残酷的—很火但不是主流。碳化硅与新能源车能不能齐飞？新能源是第三代半导体应用的重要驱动力。新能源车的最大
  • 关键字： GaN  SiC  
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