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瑞萨电子推出全新超低功耗RA2L2微控制器,支持USB-C Rev. 2.4标准
- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出RA2L2微控制器(MCU)产品群,率先在业内支持USB-C Revision 2.4新标准。这款MCU基于48MHz Arm Cortex-M23处理器,拥有丰富的功能特性,使其成为便携式设备和个人电脑(PC)的理想选择。全新USB Type-C线缆和连接器规范2.4版本可降低电压检测阈值(1.5A电源为0.613V,3.0A电源为1.165V)。RA2L2 MCU是业内首款支持这一新标准的MCU。RA2L2 MCU采用专有低功耗技术,提供87.5µA/MHz
- 关键字: 瑞萨 微控制器 MCU USB-C Rev. 2.4
ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”
- 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,该模型提升了收敛性和仿真速度。功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响,因此在设计阶段的仿真验证中,模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通过提高每种特性的复现性,满足了高精度仿真的需求。然而另一方面,该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题,亟待改进。新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型
- 关键字: ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
电感的参数有什么多?
- 1. 电感本质特性电感的等效模型如下图:一个电感串联一电阻再与电容并联,正是感值、直流电阻和寄生电容的体现。电感量 (L)表示电感的自感能力,单位亨利 (H)。决定因素:线圈圈数、绕制密度、磁芯类型及其磁导率。基本物理特性,与电流大小无关。感抗 (XL)电感对交流电流的阻碍作用,单位欧姆 (Ω)。公式:XL=2πfLXL = 2pi f LXL=2πfL (与频率和电感量成正比)。分布电容线圈间及与周围结构间的寄生电容,会降低Q值并影响稳定性。可通过分段绕法减小分布电容。2. 电感性能指标品质因数 (Q)
- 关键字: 电感
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