- iDEAL Semiconductor 今日宣布，其 SuperQ™ 技术已获得 AEC-Q101 汽车应用认证，标志着公司向高可靠性市场的重大拓展。iDEAL 首款获得汽车应用认证并进入量产的产品 iS20M028S1CQ 是一款 200 V 的 MOSFET，其导通电阻 (RDS(on)) 为 25 mΩ，额定温度为 175∘C。SuperQ 代表着硅 MOSFET 的一项突破性进展，在保持硅固有的耐用性和可靠性的同时，可提供卓越的效率、降低开关损耗并增强导通性能。此次认证彰显了 Supe
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SuperQ
- 继推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此举标志着自 25 多年前超级结技术以来，硅 MOSFET 架构的首次重大进步。宾夕法尼亚州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家专注于实现突破性效率的无晶圆厂功率半导体公司，该公司宣布将与电力和射频专家 Richardson Electronics 合作。根据该协议，iDEAL 将获得 Richardson Electronics 的设计团队和销售专家的支持，以扩展其基于公司新型专利、最先进 SuperQ 技术
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SuperQ
MOSFET
- iDEAL半导体，一家专注于提供突破性效率的无晶圆厂功率半导体公司，宣布与Mouser电子签署全球分销协议。该协议涉及iDEAL基于其新颖、专利、最先进的SuperQ技术的功率器件。SuperQ与传统超级结架构相比，在效率和性能方面实现了显著提升，使功率工程师能够满足现代功率系统的需求，同时保持硅的可靠性、成本效益和供应链稳健性。在首批基于SuperQ的产品进入量产后，150V MOSFET现已立即可用。这些产品提供领先的导通电阻（RDS(on)）和优异的身形因子（FOM），包括业界最低的开关
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功率器件
- iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重大突破，在硅功率器件中实现了前所未有的性能与效率提升。该架构突破了硅材料在导通与开关方面的物理瓶颈，将n型导电区域扩大至高达95%，并将开关损耗较竞争产品降低高达2.1倍。该结构不仅改善了器件的电阻与功率损耗，同时保留了硅材料的诸多优势，包括高强度、量产能力强以及在175°C结温下的可靠性
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