半导体行业的不断发展是由一个基本原则驱动的:存储器。内存技术是数字时代背后的无名英雄,支撑着从智能手机的数据存储到超级计算机的效率的一切。随着对更快、更可靠、更节能的存储器的需求激增,新一波新兴的非易失性存储器技术有望重塑半导体工厂并增强我们的数字体验。半导体存储器的现状要了解新兴存储技术的重要性,了解其前辈至关重要。传统的半导体存储器分为两类:易失性和非易失性。易失性存储器,如动态随机存取存储器 (DRAM),可提供快速数据访问,但需要持续供电才能保留信息。非易失性存储器,例如 NAND 闪存,可以在没
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存储器
三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)近期接续举行法说,释出对存储器产业看法,两大厂商均表示,PC、手机终端库存去化已告一段落、传统服务器需求依然疲弱,而AI服务器需求则较为强劲。业界人士认为,存储器原厂减产以求获利的决心不容小觑,在获利数字翻正前,应会持续减产策略,预期2024年上半年内存报价向上趋势不变。台系存储器相关厂商包括南亚科、华邦电、群联、威刚、创见、十铨、宇瞻等有望受惠。时序进入第四季,三星认为,市场复苏将加速,在旺季带动之下,市场DRAM、NAND Flash位出货量,可望分别
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存储器 三星 海力士
兆易创新GigaDevice宣布,搭载了兆易创新GD25F128F车规级SPI NOR Flash的明然科技国产化主动悬架控制器(CDC)出货量已超数万台,并在奇瑞瑞虎9和星途瑶光等车型上量产。在汽车底盘悬架系统等安全性要求较高的场景中稳定运行,标志着兆易创新车规级SPI NOR Flash的可靠性得到进一步验证。悬架是车架(或车身)与车轿(或车轮)之间的传力连接装置,分为传统被动式、半主动式和主动式三类,而主动式悬架系统能根据车辆的运动状态和路面情况自适应调节减振器阻尼力,使其更好地适用于当前路段,悬架
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兆易创新 悬架控制器 SPI NOR Flash
据TrendForce集邦咨询最新研究显示,第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND
Flash方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%;由于Mobile
DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低,因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因,供应方面:三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等,持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面:2023下半年Mobile
DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate
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Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示,由于供应商严格控制产出,NAND
Flash第四季合约价全面起涨,涨幅约8~13%。展望2024年,除非原厂仍能维持减产策略,且服务器领域对Enterprise
SSD需求回温,否则在缺乏需求作为支撑的前提下,NAND Flash要延续涨势将有难度。Client SSD方面,由于原厂及模组厂均积极涨价,促使PC
OEM欲在价格相对低点预备库存,采购量会较实际需求量高。而供应商为扩大位元出货量,已在第三季推出促销,故Client
SSD价格没有
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NAND Flash TrendForce
近日,第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳隆重开启。兆易创新存储器事业部产品市场经理张静受邀出席,以“持续开拓,兆易新一代存储产品助力行业创新”为题,分享了兆易创新在嵌入式存储器领域的广泛布局,以及面向产业技术变革浪潮的创新思考,共同探讨“半导体产业波动周期”下的存储器市场发展趋势。GD Flash的开拓之路:十四载达成212亿颗出货成就众所周知,Flash是一种非易失性的存储器,在断电和掉电的情况下,存储的内容不会发生丢失,是绝大多数电子系统必备的元器件。作为一家以存
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兆易创新 存储器
人工智能浪潮之下,HBM从幕后走向台前,市场需求持续看涨。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测,2023年HBM需求量将年增58%,2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比,HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势,可以加快AI数据处理速度,更适用于ChatGPT等高性能计算场景,因而备受青睐,存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。存储大厂持续发力,三星将推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今,HBM技术已经更新迭代出多款产品,分别有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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存储器 HBM4
2023年已过去一大半,存储产业虽仍处于待复苏阶段,但历经原厂陆续减产后,业界期盼的暖风或许正在到来。从多家厂商最新营收来看,整体营收仍是下降趋势,但各厂商营收出现了环比增长的迹象,预示着需求正在慢慢升温。群联电子:9月营收月增25%存储器控制芯片商群联电子公布,其9月营收为50.04亿元新台币,月增25.38%,年增4.05%,重返50亿元新台币大关,创14个月新高。根据数据,群联电子第三季营收为123.88 亿元新台币,较第二季成长近24%,年减15%;2023年前三季累计营收324.74 亿元新台币
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存储器 控制芯片 TrendForce
10 月 6 日消息,据韩媒 Business Korea 报道,三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低,公司计划今年四季度起,调涨 NAND Flash 产品的合约价格,涨幅在 10% 以上,预计最快本月新合约便将采用新价格。▲ 图源韩媒 Business Korea自今年年初以来,三星一直奉行减产战略,IT之家此前曾报道,三星的晶圆产量大幅下降了 40%,最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域,之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量,眼下正试图推动
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三星 NAND flash 涨价
半导体存储器销售最差时期已过,价格已止跌。
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存储器
IT之家 9 月 27 日消息,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道,伴随着主要存储制造商的持续减产,已经市场去库存效果显现,预估 NAND Flash 价格回暖之后,DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损,2023 年以来已经进行了多次减产,目前相关效果已经显现,消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹,9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产,主要集中在 128 层以下产品中,在 9 月产量下降了
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存储 DRAM NAND Flash
据TrendForce集邦咨询研究显示,第二季NAND
Flash市场需求仍低迷,供过于求态势延续,使NAND
Flash第二季平均销售单价(ASP)续跌10~15%,而位元出货量在第一季低基期下环比增长达19.9%,合计第二季NAND
Flash产业营收环比增长7.4%,营收约93.38亿美元。自第二季起,三星(Samsung)加入减产行列,且预期第三季将扩大减产幅度,供给收敛的同时也在酝酿涨价,供过于求态势有望因此获得改善。不过,由于NAND
Flash产业供应商家数多,在库存仍高的情
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NAND Flash TrendForce
近日,三星(Samsung)为应对需求持续减弱,宣布9月起扩大减产幅度至50%,减产仍集中在128层以下制程为主,据TrendForce集邦咨询调查,其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度,目的加速库存去化速度,预估第四季NAND
Flash均价有望因此持平或小幅上涨,涨幅预估约0~5%。价格方面,如同年初TrendForce集邦咨询预测,NAND Flash价格反弹会早于DRAM,由于NAND
Flash供应商亏损持续扩大,销售价格皆已接近生产成本,供应商为了维持营运而选择扩大减产,以期带动价
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近日,存储器芯片供应商普冉股份披露投资者关系活动记录表。关于NOR Flash行业库存情况,普冉股份表示,NOR
Flash终端客户的原厂库存以及渠道库存已经几近健康,设计原厂的库存调整也逐步接近尾声。接下来一段时间,各厂商依然会采取适当的降价策略去化库存。但随着行业库存逐步健康,行业格局逐步出清,预计下半年会持续向好,价格也会逐步回归平稳态势,公司将密切关注后续市场走势。普冉股份强调,公司将积极地进行战略盘整,持续调整以应对市场的迅速变化。面对激烈的行业竞争格局,机遇与挑战并存,公司会充分发挥公司的
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闪速(flash)存储器介绍
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