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闪速(flash)存储器 文章 最新资讯

三星1000层NAND目标，靠它实现

  • 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的研究
  • 关键字： 三星  NAND  Flash  

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%；NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估，第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。403地震发生前，TrendForce集邦咨询原先预估，第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%；NAND Flash为13~18%，相较第一季涨幅明显收敛，当时从合约价先行指标的现货价格就可看出，现货价已出现连续走弱，上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因，主要是除了AI以外的终端需求不振，尤其笔电、智能手机
  • 关键字： DRAM  NAND Flash  TrendForce  

Teledyne e2v宣布扩展其Flash CMOS图像传感器系列

  • Teledyne Technologies[纽交所代码：TDY]旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列，推出Flash 2K LSA，该产品专门适用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光轮廓应用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS图像传感器专为三维激光轮廓/位移应用和高速/高分辨率检测量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K传感器的衍生产品，适用于需要大沙伊姆弗勒角度的应用，其角度响应在30°角度下为四倍以上，在
  • 关键字： CMOS  图像传感器  Flash  

累计上涨100%还不停！消息称SK海力士将对内存等涨价 至少上调20%

  • 5月6日消息，供应链爆料称，SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示，三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元，环比增长11%，同比暴涨96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示，一季度存储市场总体需求强劲，特别是生
  • 关键字： SK海力士  三星  DDR5  NAND Flash  上涨  

EEPROM 和 flash 这样讲，早就懂了！

  • 前几天看到群里在讨论存储器，有些人一直搞不懂，今天给大家分享一篇文章总结一下。存储器分为两大类：RAM 和 ROM。RAM 就不讲了，今天主要讨论 ROM。rom最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。后来出现了prom，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时
  • 关键字： 存储器  flash  EEPROM  

存储大厂技术之争愈演愈烈

  • AI、大数据等应用催生海量存储数据需求，也对存储技术提出了更高要求，这一背景下，存储大厂技术竞争愈演愈烈。闪存方面，大厂聚焦层数突破。近期，韩媒报道，三星电子预计将于本月晚些时候量产第九代V-NAND闪存，该公司已于2022年量产了236层第八代V-NAND闪存，即将量产的第九代V-NAND闪存将继续使用双闪存堆栈的结构，层数将达到290层。另据业界预测，三星未来第十代V-NAND层数有望达到430层，届时三星将换用三堆栈结构。而更遥远的未来，三星、铠侠两家厂商透露将发力1000层闪存。三星计划2030年
  • 关键字： 存储器  DRAM  TrendForce  

AI PC一触即发，存储器、NPU等大放异彩！

  • AI浪潮正持续改变各行各业，此前历经下行周期的PC市场也开始迎来新的机会。今年以来，无论是美国消费电子展（CES）还是巴塞罗那世界移动通信大会（MWC），AI PC都成为了当之无愧的焦点，包括英特尔、AMD、英伟达等芯片大厂，以及联想、戴尔、宏碁、华硕、荣耀等下游厂商纷纷推出相关产品，布局AI PC。业界直言，2024年或是AI PC元年，这一风口下，半导体领域NPU以及存储器等有望持续受益。一 AI PC一触即发，半导体大厂瞄准NPUChatGPT的横空出世，让人见识到了AI大模型的威力，随后，
  • 关键字： AI PC  存储器  NPU  

群联3月营收年增73%，创历史单月新高纪录

  • 近日，存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果，合并营收为新台币67.75亿元，年成长达73%，刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元，年成长达64%，为历史同期次高。群联表示，2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%，其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%，刷新历史单月新高。此外，全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率（Bit Growth Rate）也达80%，刷新历史同期新高，显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
  • 关键字： 群联  SSD固态硬盘  NAND Flash  

3D NAND，1000层竞争加速

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字： NAND Flash  存储芯片  铠侠  

搞嵌入式，不懂DMA？笑死人

  • DMA，全称Direct Memory Access，即直接存储器访问。DMA传输将数据从一个地址空间复制到另一个地址空间，提供在外设和存储器之间或者存储器和存储器之间的高速数据传输。我们知道CPU有转移数据、计算、控制程序转移等很多功能，系统运作的核心就是CPU.CPU无时不刻的在处理着大量的事务，但有些事情却没有那么重要，比方说数据的复制和存储数据，如果我们把这部分的CPU资源拿出来，让CPU去处理其他的复杂计算事务，是不是能够更好的利用CPU的资源呢？因此：转移数据（尤其是转移大量数据）是可以不需要
  • 关键字： DMA  CPU  存储器  

AI激发存储市场潜能，SSD主控芯片国产化浪潮提速

  • 近日，国产主控芯片厂商英韧科技宣布量产其第九款主控芯片——YRS820。这也是继去年9月宣布量产PCIe 5.0 SSD企业级主控YRS900后，英韧科技官宣量产的最新款主控芯片。YRS820的4“高”2“低”据英韧科技联合创始人、数据存储技术副总裁陈杰介绍，YRS820主控芯片具备四“高”二“低”的技术亮点，即超高安全性、超高可靠性、超高容量支持、超高性能、超低功耗及超低延时。陈杰表示，YRS820主控芯片采用RISC-V（开源指令架构），配备4通道PCIe 5.0接口，8个NAND闪存通道，支持NVM
  • 关键字： 存储器  AI  

第二季NAND Flash合约价季涨13~18%，Enterprise SSD涨幅最高

  • TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面，中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源，由于部分供应商已降低供应此类别产品，中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案，助益中国模组厂技术进一步升级及
  • 关键字： TrendForce  NAND Flash  Enterprise SSD  

中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展

  • 近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应获得不同的电阻态，从而实现数据存储功能，具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，属于下一代信息存储技术，近年来在信息存储领域备受关注
  • 关键字： 存储器  存储技术  

北京大学公开存储器专利

  • 存储器是电子信息处理系统中不可或缺的组成部分。在过去，依靠CMOS工艺的不断进步，存储器的性能得以不断提高。但近年来，一方面，尺寸微缩导致的晶体管漏电问题越来越严重，在增大存储器功耗的同时，恶化了存储单元的保持特性，存储器的发展遇到较为明显的瓶颈；另一方面，人工智能和物联网等领域的快速发展又对存储器的容量速度以及功耗等性能指标提出了更高的要求。在这样的背景下，由于嵌入式铁电随机存取存储器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
  • 关键字： 存储器  存储技术  

西部数据NAND Flash业务拆分最新进展，新任CEO揭晓

  • 月5日，西部数据宣布，在NAND Flash业务拆分后，将保留原名，专注经营核心HDD业务，并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时，将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称，现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO，继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司，出任新公司执行长。图片来源：西部数据西部数据与铠侠合并进展如何？据悉，自2021年以来，西部数据及
  • 关键字： 闪存芯片  NAND Flash  西部数据  
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