根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%,但平均销售单价(ASP)上涨7%,带动产业整体营收达176亿美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示,不同应用领域的NAND
Flash价格走势在今年第三季出现分化,企业级SSD需求强劲,推升价格季增近15%,消费级SSD价格虽有小幅上涨,但订单需求较前一季衰退。智能手机用产品因中国手机品牌严守低库存策略,订单大量减少,第三季合约价几乎与上季持平。Wafer受零售市场需求疲软影响,合约价反
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NAND Flash 企业级SSD TrendForce 集邦咨询
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布,旗下GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash获得由国际公认的测试、检验和认证机构SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证证书。这一成就不仅有力印证了GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash在严苛汽车应用场景中的卓越安全性能和可靠性,也进一步巩固了公司在SPI NOR Flash领域的领导地位。随着汽车电子电气组件数量的指数级增长,其安全性需求日益凸显。ISO 26262作为国际权威汽车功能
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兆易创新 SPI NOR Flash
11 月 7 日消息,铠侠日本当地时间昨日表示,其“创新型存储制造技术开发”提案已获日本新能源・产业技术综合开发机构(NEDO)“加强后 5G 信息和通信系统基础设施研究开发项目 / 先进半导体制造技术开发”计划采纳。铠侠表示,在后 5G 信息和通信系统时代,AI 普及等因素产生的数据量预计将变得极其庞大,从而导致数据中心的数据处理和功耗增加。因此数据中心使用的存储器必须能够在高性能处理器之间高速传输数据,提高容量并降低功耗。铠侠计划开发新型 CXL 接口存储,目标打造出较 DRAM
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铠侠 存储器 CXL接口
随着GDDR7存储器标准规格于今年确定,存储器业者开始推出GDDR7解决方案。与目前的GDDR6和GDDR6X相比,GDDR7提供大升级,提高游戏和其它类型工作负载的性能。什么是GDDR7存储器呢?其实GDDR(Graphics Double Data Rate)的「G」,可以得知是用于GPU的显示存储器,如即将推出的NVIDIA Blackwell RTX 50系列。新一代GDDR6于2018年问世,首先用于NVIDIA RTX 20系列和AMD RX 5000系列GPU,其起始的显存时脉频率为14
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HBM 存储器 GDDR7
根据TrendForce集邦咨询最新调查,由于Server(服务器)终端库存调整接近尾声,加上AI推动了大容量存储产品需求,2024年第二季NAND
Flash(闪存)价格持续上涨,但因为PC和智能手机厂商库存偏高,导致第二季NAND
Flash位元出货量季减1%,平均销售单价上涨了15%,总营收达167.96亿美元,较前一季增长了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供应商已恢复盈利状态,并计划在第三季扩大产能,以满足AI和服务器的强劲需求,但由于PC和智能手机今年上半年市场表现不佳,
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TrendForce 集邦咨询 NAND Flash AI SSD
IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上 AI 推动了大容量存储产品需求,今年第二季度 NAND Flash(闪存)价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高,导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%,平均销售单价上涨了 15%,总营收达 167.96 亿美元(IT之家备注:当前约 1193.37 亿元人民币),较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下:三星:第二季时积极回应客户对
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内存 NAND Flash
根据TrendForce集邦咨询最新调查,存储器模组厂从2023年第三季后开始积极增加DRAM(内存)库存,到2024年第二季库存水位已上升至11-17周。然而,消费电子需求未如预期回温,如智能手机领域已出现整机库存过高的情况,笔电市场也因为消费者期待AI
PC新产品而延迟购买,市场继续萎缩。这种情况下,以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱,第二季价格较第一季下跌超过30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩,但也暗示合约价的潜在趋势。TrendForce集邦咨询表示,2024年第二季模组厂在消费
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存储器 现货市场 TrendForce
第八代BiCS FLASH已然投入量产,意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升,特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制,铠侠通过专有工艺和创新架构,实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡,所开发的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)和3.6Gbps接口速度,给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。技
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BiCS FLASH 闪存 flash 铠侠
日本横滨2024年8月20日
/美通社/ -- 富士通半导体存储器解决方案株式会社(Fujitsu Semiconductor Memory Solution
Limited)欣然宣布,自2025年1月1日起,公司名称将变更为RAMXEED
LIMITED。在更名的同时,公司的电子邮件地址和网站网址也将提前更新,而邮政地址和电话号码则保持不变。新公司徽标:https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106685/202408074740/_p
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富士通半导体 存储器 RAMXEED LIMITED
简单解释一、ROM:只读存储器,内容写入后就不能更改了,制造成本比较低,常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios,在系统装好的电脑上时,计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存,然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。PROM:可编程程序只读存储器,但是只可以编写一次。EPROM:可抹除可编程只读存储器,可重复使用。EEPROM:电子式可抹除可编程只读存储器,类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场完成。二、RAM:随机存取存储器,也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器,可
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存储 存储器
Lam Research 推出低温蚀刻新技术,为 1000 层 3D NAND 铺平道路。
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NAND Flash
《科创板日报》4日讯,铠侠产线稼动率据悉已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND
Flash)产品,借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉,铠侠将开始量产的NAND
Flash产品堆叠218层数据存储元件,和现行产品相比,存储容量提高约50%,写入数据时所需的电力缩减约30%。 (MoneyDJ)
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铠侠 NAND Flash
AI人工智能应用持续推动存储器市场前行,其中HBM(高带宽内存)是当之无愧的“宠儿”,不断吸引存储器厂商加大资本支出与扩产。与此同时,存储器市场新的力量已经悄然形成,GDDR7有望接过HBM大棒,在AI浪潮下继续推动存储器市场稳步向前。GDDR7与HBM的差异GDDR7与HBM同属于图形DRAM,二者均具备高带宽和高速数据传输能力,可为AI计算提供强大支持,不过GDDR7与HBM在技术、应用场景与性能表现方面略有不同。GDDR7主要用于增强GPU的可用带宽和内存容量,是GDDR家族的最新一代技术。今年3月
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HBM 存储器
2024年第一季DRAM产业,受到主流产品合约价走扬、且涨幅较2023年第四季扩大,带动营收较前一季度成长5.1%,达183.5亿美元,推动多数业者营收呈季增趋势。TrendForce指出,第一季三大原厂出货皆季减,反映产业淡季效应,加上下游业者的库存水平垫高,采购量明显衰退。三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围,再加上库存仍处于健康水位,涨价意图强烈。其中,中系手机销售畅旺,带动mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用,而consumer DRAM的原厂库存仍待去化,拖累价格涨幅居所有应用之
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存储器 DRAM TrendForce
数字存储需求不断增长,这需要更先进的存储技术来支持强大的数字海量存储层次结构。
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存储器
闪速(flash)存储器介绍
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