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闪速(flash)存储器 文章 最新资讯

存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世

  • 近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/
  • 关键字： 300层  NAND Flash  SK海力士  

平面→立体，3D DRAM重定存储器游戏规则？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
  • 关键字： 3D DRAM  存储器  

均价跌幅扩大，2022年第四季NAND Flash总营收环比下跌25%

  • TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季NAND Flash合约价格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最剧烈的产品，跌幅约23~28%。在原厂积极降价求量的同时，客户为避免零部件库存再攀高，备货态度消极，使得第四季NAND Flash位元出货量环比增长仅5.3%，平均销售单价环比减少22.8%，2022年第四季NAND Flash产业营收环比下跌25.0%，达
  • 关键字： 集邦  NAND Flash  

人大代表冯丹：加快国家存储器基地建设，真正实现自主可控

  • 信息社会离不开数据存储，金融、电信、互联网等，更需要高可靠、高安全的海量存储系统，存储器和存储系统是数据的载体，关乎数字经济产业安全、国家安全。在今年全国两会期间，全国人大代表、华中科技大学计算机学院教授冯丹提出了《关于加快国家存储器基地建设的建议》。冯丹认为，应加快数据存储产业强链补链，助力数字经济发展。“从战略高度重视数据存力产业高质量发展，将数据存力指标纳入国家体系，尽快形成我国数据存储产业发展的顶层规划和具体目标，打造一批典型示范项目，加快先进存力的开发与应用。”冯丹建议，制定独立的存储产业强链补
  • 关键字： 存储器  自主可控  

格芯收购瑞萨非易失性电阻式RAM技术，加强存储器产品组合

  • 当地时间2月9日，晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布，已收购瑞萨电子（Renesas）的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器（CBRAM）技术，这是一种低功耗的存储器解决方案，旨在实现家庭、工业物联网及智能移动设备的一系列应用。格芯表示，这项交易进一步加强了格芯的存储器产品组合，并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器（NVM）解决方案的路线图。这项技术将使客户能够进一步区分其SoC设计，并推动新一代安全和智能
  • 关键字： 格芯  瑞萨  易失性电阻式  RAM  存储器  

笔电存储器新标准，CAMM有望取代SO-DIMM

  • SO-DIMM（Small Outline DIMM）因小巧尺寸设计，适合空间有限的系统，例如笔电、小型工业电脑、NAS、路由器等。根据外媒报导，JEDEC固态技术协会可能将戴尔和英特尔合作开发的CAMM（Compression Attached Memory Module）作为下一代标准，取代SO-DIMM。近日，国外媒体PCWorld引用戴尔资深工程师、JEDEC委员会成员Tom Schnell的说法表示，JEDEC固态技术协会考虑采用CAMM成为正式标准，并让其他制造商加以使用。Tom Sc
  • 关键字： 笔电  存储器  CAMM  SO-DIMM  

随机存取存储器有哪些特点?寄存器和存储器有什么区别?

  • 存储器相当于我们的大脑的存储单元，能够保存我们的电子数据。为增进大家对存储器的认识，本文将对随机存取存储器、寄存器和存储器的区别予以介绍。如果你对存储器具有兴趣，不妨和小编一起来继续认真地往下阅读哦。一、随机存取存储器随机存取存储器(randomaccessmemory，RAM)又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无
  • 关键字： 寄存器  存储器  

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

  • 消费性固态硬盘（Client SSD）受惠于疫情红利，在过去二年作为推动全球NAND Flash需求位成长的要角，市调机构集邦预估，2022年消费性SSD在笔电的渗透率达92％，2023年约96％。但随疫情红利退场，加上总经不佳导致消费性电子需求急冻，未来消费性SSD需求放缓最明显，连带使整体NAND Flash需求位成长受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消费性SSD于笔电搭载容量已逾500GB，512GB消费性SSD在近期迅速跌价后，已与半年前256GB报价相近，甚至
  • 关键字： NAND Flash  

基于FPGA的NAND FLASH坏块表的设计与实现

  • 在现代电子设备中，越来越多的产品使用NAND FLASH芯片来进行大容量的数据存储，而且使用FPGA作为核心处理芯片与NAND FLASH直接交联。根据NAND FLASH的特点，需要识别NAND FLASH芯片的坏块并进行管理。FPGA对坏块的管理不能按照软件的坏块管理方式进行。本文提出了一种基于FPGA的NAND FLASH芯片坏块表的设计方法，利用FPGA中RAM模块，设计了状态机电路，灵活地实现坏块表的建立、储存和管理，并且对该设计进行测试验证。
  • 关键字： NAND FLASH  FPGA  坏块  坏块检测  202212  

MCU三巨头，三种选择

  • 半导体技术持续更新迭代，MCU也要与时俱进。为了更好地迎接未来趋势，有的厂商选择从内核下手，比如，由Arm Cortex-M内核转向RISC-V内核；也有选择集成AI，通过在MCU中加入AI加速器，让MCU更加智能；还有一种就是本文将主要介绍的，集成新型存储器。MCU作为一款需要集成CPU、SRAM、非易失性存储器，以及专用外设的芯片，最常见的存储器形式主要包括了 eDRAM 、SRAM 易失性存储器、闪存、EEPROM 非易失性存储器，这其中集成式闪存是MCU的重要特征。然而，随着时间的推移，闪存却逐渐
  • 关键字： MCU  存储器  英飞凌  ST  瑞萨  

美光宣布推出适用于数据中心的DDR5存储器

  • 当地时间11月10日，美光宣布推出适用于数据中心的DDR5存储器，该存储器已针对新的AMD EPYC™ 9004系列处理器进行了验证。随着现代服务器将更多处理内核装入CPU，每个CPU内核的存储器带宽一直在下降。与前几代相比，美光DDR5提供了更高的带宽，从而缓解了这一瓶颈，提高了可靠性和可扩展性。据介绍，美光将配备其DDR5的单个第4代AMD EPYC处理器系统的STREAM基准性能与3200MT/秒的第3代AMD EPYC处理器系统和美光DDR4进行了比较。使用第4代AMD EPYC处理器系统
  • 关键字： 美光  数据中心  DDR5  存储器  

三星推出面向人工智能的全新存储器技术

  • 据韩媒《BusinessKorea》报道，三星于近日宣布，公司已经成功运行了HBM-PIM芯片的AMD GPU加速器MI-100，并展示了其性能。三星称，与其他没有HBM-PIM芯片的GPU加速器相比，HBM-PIM芯片将AMD GPU加速卡的性能提高了一倍，能耗平均降低了约50%。与仅配备HBM的GPU加速器相比，配备HBM-PIM的GPU加速器一年的能耗降低了约2100GWh。2021年2月，三星推出了其首个HBM-PIM，这是业界第一个高带宽存储器（HBM）集成人工智能（AI）处理能力的芯片。HBM
  • 关键字： 三星  人工智能  存储器  

TrendForce：存储器厂聚焦CXL存储器扩充器产品

  • 据TrendForce集邦咨询最新服务器相关报告指出，CXL（Compute Express Link）原是希望能够整合各种xPU之间的性能，进而优化AI与HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU为源头去考虑，但由于可支援CXL功能的服务器CPU Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa现阶段仅支援至CXL 1.1规格，而该规格可先实现的产品则是CXL存储器扩充（CXL Memory Expander）。因此，TrendForce认为
  • 关键字： TrendForce  集邦咨询  存储器  CXL  AI/ML  DRAM  

集邦：第四季NAND Flash价格续跌15～20％

  • 根据集邦科技研究显示，目前NAND Flash正处于供过于求，下半年起买方着重去化库存而大幅减少采购量，卖方开出破盘价以巩固订单，使第三季NAND晶圆（wafer）价格跌幅达30～35％，但各类NAND Flash终端产品仍疲弱，原厂库存因此急速上升，预期将导致第四季NAND Flash总体平均价格跌幅扩大至15～20％。集邦表示，因为需求低迷导致NAND Flash下半年价格大跌，多数原厂的NAND Flash产品销售也将自今年底前正式步入亏损，意即部分供货商在运营陷入亏损的压力下，对于采取减产以降低亏
  • 关键字： 集邦  NAND Flash  

应需而生！兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

  • 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平，在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。  随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求，这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求，希
  • 关键字： 兆易创新  1.2V  SPI NOR Flash  
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