- 如何用SmartPRO 6000纠正NAND Flash烧录过程位反转,关于使用烧录器烧录Nand Flash，一直都是很多用户头疼的难点，他们强调已经使用了正确的坏块管理方案，也制定了规范的操作流程，但是烧录的良品率还是无法提高，只能每天眼睁睁看着一盘盘“废品”被烧录器筛选出来!
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烧录 SmartPRO 6000 Nand Flash
- 标准和规格一直是确保记忆体正常运作于更广泛系统中的关键，但随着技术进展以及记忆体与储存产业开始整并，改变了供应商及其客户之间的合作关系...
美光科技(Micron Technology)在今年初于德州奥斯汀成立美光储存解决方案中心(Micron Storage Solutions Center：MSSC)，一部份的原因就来自于这种新合作模式的带动。美光科技储存软体工程副总裁Steve Moyer指出，其引爆点就是业界开始转型至非挥发性记忆体技术以及快闪记忆体成为新兴的储存技术。
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存储器
- 受到第三季进入旺季需求带动，存储器、面板等关键零组件皆终止长期价格颓势。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，存储器在笔电需求回温、智能手机延续强劲成长态势与服务器需求增温带动下，DRAM与NAND Flash第四季价格预计将同步上扬，特别是DRAM合约价第四季估将再涨逾一成。
供应持续吃紧，DRAM市场至2017年维持健康供需状态
由于今年中国品牌智能手机表现超乎预期，服务器出货也受惠于中国大陆数据中心需求增温，下半年台系服务器代工厂
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存储器 DRAM
- 软、硬件共同设计趋势正在席卷整个IT部门，不论是资料分析或是机器学习，每种工作项目的分工都 将更为精细，硬件厂商也开始针对软体设计新的产品。为了维系资料中心的市场霸主地位，英特尔(Intel)瞄准机器学习的特殊需求，将推出代号为 Knights Mill的多核心处理器。
据The Next Platform报导，英特尔现有的Knights Landing Xeon Phi芯片可提供双精度(Double Precision)3.46 teraflop及单精度(Single Precision)6.
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英特尔 存储器
- IDC昨天公布，2016年第2季由于液晶显示屏幕、处理器、存储器等关键零组件短缺，全球智能手机产业制造量较首季仅成长4.8%。且因关键零组件短缺，造成排名的洗牌效应。
IDC全球硬件组装研究团队研究经理高鸿翔指出，在苹果、索尼、微软等国际大厂出货量滑落影响下，2016年第2季全球智能手机组装产业竞争，呈现大陆厂商比重持续提升(44.1%上升至46.4%)、台湾厂商比重滑落(23.4%跌至19.7%)的态势。
由于液晶显示屏幕、处理器、存储器等关键零组件短缺，形成欧、美、日与大陆一线厂商以原
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处理器 存储器
- 东京-东芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三维(3D)闪存存储器，采用了堆栈式单元结构[1]。该款64层工艺的存储器于今天成为了世界首款[2]样品出货的产品。新型存储器采用3-bit-per-cell(1个存储器储存单元可存放3比特的数据)技术，实现了256Gbit(32GB)的容量。这种进步印证了东芝专有架构的潜力。东芝将不断精进BiCS FLASHTM制造工艺，其发展蓝图中的下一个里程碑将是同样采用64层堆栈的512Gbit(64GB)容量存储器。
这款新型存储器沿袭48层BiC
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东芝 存储器
- 在全球持续突破存储器运行速度的努力进程中，全球各研究人员均对于“相变化存储器”(Phase Change Memory;PCM)领域的研究感兴趣，并投入大量时间从事研发，最新则是美国史丹佛大学(Stanford University)的研究做出了新突破，据称可让PCM的运行速度较传统DRAM快上逾1,000倍以上。
据Techspot网站报导，所谓的相变化存储器运作原理，是指在低阻抗的结晶态及高阻抗的非结晶态两种物理状态下进行移动，虽然此技术在现今全球储存技术领域中已展现
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存储器 DRAM
- 略有变化，却并不意外。随着2016中国企业500强榜单的发布，人们看到，国家电网以20713.49亿元的营业收入首次排名中国企业500强榜首， 中国石油(7.420, 0.02, 0.27%)、中国石化(4.950, 0.00, 0.00%)、工商银行(4.490, -0.01, -0.22%)等紧随其后。
“刚才我们也在讨论，中国500强越来越大，每年中国进入世界500强的企业在增加，但是大部分是央企， 是资源垄断型、市场垄断型企业，我们真正拥有自己关键技术的企业寥寥无几，像华为这
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京东方 存储器
- 8月18日，紫光国芯股份有限公司(下称“紫光国芯”)对外公布了2016年上半年(1月-6月)财务报告。
财报显示，紫光国芯2016年上半年营收和利润实现双增长，营业总收入达到6.46亿元，比上年同期增长15.76%，实现归属于上市公司股东的净利润1.50亿元，比上年同期增长12.76%。
尽管全球经济环境并不是太好，但得益于国内集成电路产业的快速发展，紫光国芯经营业绩保持了快速增长的态势。
图片来源：紫光国芯财报
存储器芯片业
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紫光 存储器
- 中国正在下大力度推进存储产业的发展，3D NAND被认为是一个有利的突破口。
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3D NAND 存储器
- 在日前举行的“国际集成电路产业发展高峰论坛”上，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武表示，目前，存储器已经成为我国进口的最大宗商品，2015年进口额超2100亿美金。
与此同时，由于存储器涉及到信息存储，信息安全等方面，其已经成为信息安全和产业安全基石。
存储器在集成电路中的地位以及我国对于存储器的旺盛需求，让全国各个地方基金对于发展存储器产业具有非常高的积极性。目前，武汉、深圳、福建、合肥、北京等针对存储器产业已经进行相应的投资与布局。
以武汉为例，武汉已经明
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存储器 集成电路
- 中中国下决心做存储器芯片，是个特别重大，而又十分艰难的决定，国存储器业要取得成功，总体上产业发展有三条路径，研发，兼并及合资，合作都是十分有效，然而经过一段时间的实践，有一定进展，但是情况也有些变化，这一切唯有通过研发的早日成功，才能扭转被动的局面。
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存储器 NAND
- 说到STM32的FLSAH，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。当然， FLASH还可以用来装数据。
自己收集了一些资料，现将这些资料总结了一下，不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了。
FLASH分类
根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。 主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里。 信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。 系统存储器存储用于存放在系统存
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STM32 存储器
- 针对近期关于“紫光收购武汉新芯”的市场传闻，《第一财经日报》记者采访武汉新芯获悉，3月28日国家存储器基地在武汉启动的四个月后，今年7月26日，长江存储科技有限责任公司(下称“长江存储”)正式成立，武汉新芯将成为长江存储的全资子公司，而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。
专家观点
为做大做强中国存储器产业开了好头
“长江存储的股权安排从根本上避免了有限资源的分散和潜在的恶性竞争，对于不同存储器产品的规划和发展也更易于实现优
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长江存储 存储器
- SamsungFoundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
三星晶圆代工业务(SamsungFoundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
SamsungFoundry行销暨业务开发负责人KelvinLow在接受EETimes欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28
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存储器 MRAM
闪速(flash)存储器介绍
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