闪速(flash)存储器 文章 最新资讯
手机标称16G内存，为何实际却少于16G
- 摘要：现在市面上存在NAND FLASH和eMMC这两种的大容量存储介质，就是各类移动终端及手机的主要存储介质。两者有何区别，存储芯片的实际大小与标称值又有什么关系呢? 我们总是在说手机内存，那到底是用什么介质存储的呢?99%是用NAND Flash和eMMC这两种的存储介质。eMMC是近几年智能手机兴起后，为满足不断增大的系统文件而诞生的，是NAND Flash的升级版,他的结构如下： 我们接触到的16G、32G等手机，为何实际存储容量却总是小于这些值呢?难道
- 关键字： NAND FLASH eMMC
存储器架构选项渐多 定制化将成未来趋势
- 随着存储器系统从一个固定的子系统转变成整体系统中可调整的变相，存储器控制器的重要性也越来越被重视，新的存储器架构即将出现。
- 关键字： 存储器
中国下个购并标的：NAND Flash控制芯片
- 中国政府近来积极透过中资集团陆续收购或入资海外半导体公司，期建立自有半导体供应链。现阶段，逻辑晶片从设计、制造到封装测试皆已具雏型，反观记忆体领域则为主要发展缺口。资策会MIC认为，中资集团下一波购并目标将锁定NAND Flash控制晶片业者，并设法取得大规模制造产能，以补强记忆体产业发展。 资策会MIC产业顾问兼主任洪春晖表示，中国近期积极透过购并，来改善半导体自制比例过低的情形，现今中国在本土逻辑IC设计、晶圆代工、逻辑IC封测等产业链上，已有一定程度的发展，上述领域皆具有本土厂商或已与外商
- 关键字： NAND Flash 芯片
TrendForce：经济前景未明，2016年全球NAND Flash产值增长有限
- 全球经济依旧前景不明，各项NAND Flash终端需求厂商态度相对保守，TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示，由于终端设备平均搭载量与固态硬盘(SSD)需求增长，2016年整体NAND Flash需求位量将较2015年增长44%，然而生产端为了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash厂商将会加速3D-NAND Flash的开发，整体NAND Flash年度位元产出增长率将大幅增长50%。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示，2016年NAND Fl
- 关键字： NAND Flash TLC
掌握ECC/坏区块管理眉角 NAND Flash嵌入式应用效能增
- NAND Flash记忆体在出厂时是允许部分晶片含有坏区块，或者好的区块中含有一些错误位元，因此在实际应用时，须搭配使用控制器，透过硬体与软体进行坏区块管理，以及利用错误更正编码(ECC)演算法修正错误位元，方能提升嵌入式系统储存效能。 NAND型快闪记忆体(NAND Flash) IC的技术演进快速，平均每1∼2年就前进一个制程世代来降低成本，在售价大幅下降情况下，愈来愈多嵌入式系统，例如：蓝光播放器、电视、数位相机、印表机等应用均采用NAND低成本的优势，取代原本使用的NOR型快闪记
- 关键字： NAND Flash
中国NAND Flash产业链的布局日趋完整
- 研究机构TrendForce表示，随着清华紫光投资NAND Flash储存相关公司的脚步加快，以及中国半导体业者在NAND Flash产业链的布局日趋完整，中国业者在NAND Flash产业地位也越来越关键。 TrendForce 旗下存储器储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示，虽然NAND Flash短期内受到供过于求的影响呈现较为疲软的格局，但长远来看，NAND Flash的相关应用成长依旧快速。SSD与eMMC在各种电子产品的能见度越来愈高，NAND Flash成为未来储存
- 关键字： NAND Flash SSD
闪速(flash)存储器介绍
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