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闪速(flash)存储器 文章 最新资讯

基于蓝牙技术的LED点阵屏设计方案

  • 　　0 引言 　　本文设计一种内容更新便捷、可扩展、低价格的点阵LED 文字显示屏。降低成本的途径是①用几乎人人都有的手机的蓝牙数据传输功能进行LED 显示内容的更新，免去专业上位机软件和控制卡的成本，操作也更简单;②单次显示内容在5 ~ 30 个汉字或英文字母，因为显示内容较少，就可实现扩展电路的简单化。 　　1 系统设计方案 　　1. 1 系统组成 　　系统由带蓝牙功能的智能手机和LED 显示屏组成。其中，LED 显示屏由单片机、LED 点阵模块、字库芯片、蓝牙接收模块、5V 开关电源和3.3
  • 关键字： 蓝牙  LED  FLASH  

DSP编程技巧之29---答疑解惑哪家强之（4）

  • 　　答疑解惑哪家强?当属我们EEPW最强。。。接下来继续我们的答疑解惑。 　　22. 除了使用编译器的优化选项之外，还可以使用什么方法提高程序的性能? 　　编译器的优化选项，只能在代码满足众多选项的要求时，才能得到较好的优化效果。在我们编程的时候，首先要做到心里有数，尽可能使用一些高效的编程方式，例如使用右移操作代替除以2的倍数的操作，可以大幅度地减少代码运行时间等。这些技巧很多是与C/C++的熟练使用所相关的。此外，根据器件的特点，例如是否包含FPU、CLA等，把特定的代码放在不同的区域执行，也能起
  • 关键字： DSP  C/C++  Flash  

NAND吃紧！花旗：三星、hTC将学苹果加大智能机容量

  • 　　Investor.com 3日报导，花旗发表研究报告指出，三星电子、宏达电 (2498)等智慧型手机制造商有望跟随苹果 ( Apple Inc. )的脚步增加手机的储存容量，这会提高市场对SanDisk产品的需求。 　　费城半导体指数成分股SanDisk 3日闻讯上涨2.02%、收103.36美元;该档个股在11月总计劲扬了9.9%、年初迄今大涨46.53%。SanDisk 11月26日收盘(104.26美元)甫创7月16日以来收盘新高。 　　根据报告，花旗分析师Joe Yoo将SanDisk的投
  • 关键字： 花旗  三星  NAND Flash   

一场没有终点的马拉松：中国怎样发展存储器产业？

  • 　　引言：马拉松赛场上，剩余的几名选手在经过体力和精神的双重损耗和折磨后，终于看到了终点，准备用最后的气力去撞线的时候，裁判突然说“对不起，游戏规则改变了，还要再跑一个马拉松，才能决出胜负”。一场没有终点的马拉松，这就是存储器产业的现状;赛场上选手越来越少，我们跃跃欲试，准备入场，但怎样入，却还没想好，这就是中国存储器产业的现状。 　　一场没有终点的马拉松：中国怎样发展存储器产业? 　　12月2日，Cypress和Spansion宣布价值40亿美元的全股交换，两家公司合并。从对
  • 关键字： 存储器  Cypress  Spansion  

分析师：2015年NAND Flash市况“上冷下热”

  • 　　TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 调查显示， NAND Flash 成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如 SSD 与eMMC等需求则持续成长，估计 2015年 NAND Flash产值将较2014年成长12%，至276亿美元。 　　DRAMeXchange研究协理杨文得表示，由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三季和第四季，相较之下上半年缺少新产品刺激市场，受淡季效应影响情况将较为显着，因此预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局，也就是
  • 关键字： TrendForce  NAND Flash  SSD  

Andes SAG应用实例

  • 　　在嵌入式开发中,系统软件设计特别是各种存储器的规划是必不可少的一个环节,它也直接体现在链接脚本的撰写上。 因链接脚本的语法相对复杂和篇幅较大,前期撰写和后期维护对工程师来讲难度都很大, 但对使用AndesCore做开发的工程师来讲,Andes SAG是一大福音，它提供简单直观的描述语言替代了复杂的链接脚本。我们收到的反馈也证明，越来越多的工程师开始采用Andes SAG替代linker，之前我们有一篇技术文章对SAG的语法格式做了介绍并说明如何使用，本文将展示四个实际工程开发的例子，以帮助广大开发者更
  • 关键字： 晶心科技  Andes SAG  嵌入式  存储器  

2015年NAND Flash产业持续向上，产值成长超过10%

  • 　　TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示， NAND Flash成本随着制程演进而持续下滑，各种终端应用如SSD与eMMC等需求则持续成长，2015年NAND Flash产值将较2014年成长12%，达276亿美元。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，由于终端产品出货与新机上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新产品刺激市场，受淡季效应影响情况将较为显著，因此DRAMeXchange预估2015年NAND Flash市况将呈现上冷下热的格局，也就是上半年
  • 关键字： NAND Flash  SSD  

Cypress并购Spansion 抢攻存储器市场

  • 　　两家公司盘后股价皆因此狂飙逾10%，涨停板？这是Cypress宣布收购Spansion后的市场反应。而后市会否互相推举，则要取决于双方业务的契合程度。
  • 关键字： Cypress  Spansion  存储器  

SSD 2年内价格砍半　每GB首度跌破0.5美元

  • 　　次世代资料储存装置固态硬碟(SSD)市场价格，2年内下滑一半。由于NAND Flash产能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架构NAND Flash量产行列，皆让SSD加速迈向大众化阶段。而最近随著价格下滑，SSD应用范围逐渐扩大，有加速普及的倾向。 　　据韩联社引用市调机构IHS资料报导，256GB的SSD 2014年第3季平均售价(ASP)为124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，与2012年同期价格226美元相比，跌幅更达45.1%，意即最近2年内SSD价格几乎砍
  • 关键字： SSD  NAND Flash  

台内存大厂挥军日本　直闯工控和车用市场

  • 　　征战海外展览的台湾内存大厂，终于在日本找到了机会。
  • 关键字： 内存  NAND Flash  

存储器再成三星最大获利来源　4Q产值恐较前季衰退

  • 　　三星电子(Samsung Electronics)过去最大获利来源─半导体事业，自2011年第3季起被其另一获利支柱─IM(Information technology & Mobile communications)事业部取代，至3年后的2014年第3季，方因IM事业获利急转直下，供需结构已趋于稳定的半导体事业再度成为三星最大获利来源。 　　因包括标准型(Standard)、行动装置、伺服器用DRAM位元需求量皆较前季增温，三星2014年第3季DRAM营收较前季成长18.7%，达5.32兆
  • 关键字： 存储器  三星  DRAM  

突破存储器效能　HMCC发布第二代规范

  • 　　混合记忆体立方联盟(HMCC)宣布HMCC 2.0规范已定案并公开。透过将资料传输率从15Gb/秒提高到30Gb/秒，同时将相关通道模型从短距离(SR)迁移到非常短距离(VSR)，HMC第二代规范为记忆体性能建立了新的门槛，为该创新记忆体技术开发过程的一个重要里程碑，并预示其后续应用。 　　Open-Silicon矽智财(IP)和工程运营副总裁Hans Boumeester表示，HMCC 2.0为设计师提供了成熟的解决方案，以解决记忆体瓶颈并提供具有突破性记忆体性能的新一代系统。此次新标准得到批准，
  • 关键字： 存储器  HMCC  美光  

最经典的PLC实用案例汇总，包括原理、设计技巧、选型要素

  • 　　可编程逻辑控制器(PLC)，它采用一类可编程的存储器，用于其内部存储程序，执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数与算术操作等面向用户的指令，并通过数字或模拟式输入/输出控制各种类型的机械或生产过程。PLC使用方便，编程简单，性价比高，在现代工业中应用极广。本文为大家介绍10个PLC的实用案例设计方案。 　　PLC在恒压供水系统中的应用设计 　　本文设计的系统采用PLC作为控制中心，完成PID闭环运算、多泵上下行切换、显示、故障诊断等功能，由变频器调速方式自动调节水泵电机转速，达到恒压供水的目的。 　
  • 关键字： 存储器  PID  Windows CE  

三星谈存储器：稳定价格是重点、没必要扩产破坏市场

  • 　　半导体产业在经过整并之后，全球新秩序成型，对三星电子、SK海力士(SK Hynix)这两家记忆体业的领导厂商而言，如何拉高利润成为当务之急，扩产已不是他们的重点考量。以此来看，明(2015)年半导体市场供需有望更加平衡。 　　韩国时报16日报导，三星电子半导体部门一位主管表示，该公司的记忆体晶片事业会把重点放在保持供需平衡、稳定晶片价格上面，目前没有理由以扩产的方式破坏市场。 　　该名主管指出，第4季市况展望仍然强劲，因为三星将依照计画刺激行动DRAM与NAND型快闪记忆体的需求。他说，节制供应量
  • 关键字： 三星  存储器  

英特尔新技术：存储器耗电至少降低25倍

  • 　　   　　英特尔副总裁暨实验室执行总监王文汉展示与工研院合作开发的新阵列记忆体原型。 　　英特尔在台举办亚洲区创新高峰会，展示和工研院合作开发的新记忆体技术，较现有DDR DRAM记忆体更省电，耗电降低至少25倍，未来可望为行动运算装置延长电池使用时间。 　　英特尔是在2011年宣布将分5年投入500万美元，由英特尔实验室和工研院共同开发新的记忆体技术，以改善现有记忆体速度与耗电。可运用于手机、平板电脑、PC，到超级运算或大型资料中心。今天的亚洲区创新高峰会上英特尔则宣布和台湾产
  • 关键字： 英特尔  存储器  
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闪速(flash)存储器介绍

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