- DRAM拉货潮启动，加上芯片厂制程推进受阻，主流DDR3 4Gb颗粒现货报价攀上4.35美元，创近一年半新高价，本季涨幅近二成，有机会向历史新高4.6美元迈进，华亚科、南科将成为大赢家。
DRAM市调机构集邦科技表示，本季DRAM现货价与合约价价差已达20%，预估第3季合约价看涨5%至10%。IC通路商透露，三星已率先鸣枪，通知旗下通路商及委托制造厂(OEM)厂，7月起涨幅10%，揭开DRAM另一波涨势。
集邦预期，下半年DRAM因各大芯片厂并无考虑增产，加上制程推进和良率提升进度缓慢，将
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DRAM 存储器
- 全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，由于DRAM大厂持续将产能从标准型记忆体转移至行动式记忆体，加上部份DRAM厂转进25nm制程良率偏低及20nm制程转进有延宕的情形下，2014下半年已有供货吃紧的迹象。
以需求端来观察，由于PCOEM库存水位普遍不高，采购策略上除了希望原厂提供的颗粒外，亦向记忆体模组厂寻求更多的支援，DRAM市场已经酝酿第三季合约价格上涨的氛围;从现货价格来观察，目前4GB报价约在36美元间，5月合约均价在30.5美元，
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存储器 DRAM
- Compuforum2014研讨会上业界大佬云集。盛会之下，指点江山，共同勾勒2014年下半年市场发展动向与技术观点。
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存储器 触控
- 在智能手机和平板电脑市场稳好增长的驱动下，包括NAND和NOR闪存、NAND嵌入式多媒体卡(eMMC——embedded multimedia card)和移动DRAM在内的移动存储器近年已成为存储器市场的增长引擎，如果消费者对智能手机和平板电脑等移动设备的热情不减，那么移动存储器未来几年的发展更被看好。
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智能手机 存储器 201207
- DRAM供给吃紧，有厂家已准备上调价格，而手机存储器MobileRAM供给则更为吃紧，主要是智能手机大厂均已开始进入新品备货旺季。
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存储器 DRAM
- 南韩科学家运用石墨烯(graphene)发明了一款透明的存储器，未来笔记型电脑、智能手机将有望出现透明机种。
南韩媒体ETNews 24日报导，南韩科学与资讯科技未来规画部(Ministry of Science, ICT and Future Planning，MISP)23日宣布，高丽大学(Korea University)电机工程系教授Kim Tae-geun、Kim Hee-dong已联手开发出一种透明存储器的制造技术，利用还原氧化石墨烯(reduced graphene oxide
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石墨烯 存储器
- 2013年eMMC需求在智能手机市场带动下大幅成长，2014年，平板电脑应用需求亦值得期待，尤其在中国大陆销售的平板电脑中，有90%尚未采用eMMC，这可能进一步扩大eMMC市场规模，引来业内厂商混战一片......
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Flash 控制芯片
- 根据国际研究暨顾问机构Gartner统计结果，2013年全球半导体营收总计3,150亿美元，较2012年成长5%。前25大半导体厂商合计营收增幅达6.9%，远优于市场其余厂商之绩效，其余厂商营收成长率仅0.9%。其部分原因可归于领先厂商当中聚集许多记忆体厂商，而记忆体市场在上年大幅成长23.5%。
Gartner研究副总裁AndrewNorwood表示：「2013年在历经年初半导体库存过剩而不振之后，第二及第三季营收持续增强，第四季才趋于平缓。记忆体(尤其是DRAM)，带动这波成长，其原因并
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半导体 存储器
- 随着FPGA的功能日益强大和完善，FPGA在项目中的应用也越来越广泛，其技术关键在于控制日益广泛而丰富的外围器件。本文以Flash存储器件为FPGA的外围，叙述了FPGA中SPI总线接口的Flash驱动模块的设计，其接口基本符合Avalon总线的规范要求，并且通过实际的读写操作验证
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Flash 驱动 FPGA
- 全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange指出，自农历年过后，受到传统PC出货淡季、中国白牌平板出货量滑落，加上供给缺口回补，使得现货市场不论是记忆体模组或是颗粒的需求皆呈现交投清淡走势，导致现货主流颗粒DDR34Gb512Mx8eTT价格在农历年过后下滑幅度达13%。
TrendForce研究协理吴雅婷表示，由于时处传统PC出货淡季，加上2014年英特尔(Intel)新晶片组Boardwell将递延至第四季发表，以及Microsoft8.1确定无法拉抬
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DRAM 存储器
- 静态随机存储器(static RAM)，简称SRAM。在电子设备中，常见的存储器有SRAM(静态随机访问存储器)、FLASH(闪速存储器)、DRAM(动态存储器)等。其中不同的存储器有不同的特性，SRAM无需刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。与SDRAM相比，SRAM不需要时钟信号，即可保持数据不丢失。 1、VDMS16M32芯片介绍 VDSR16M32是一款工作电压3.3V，16Mbit，32位数据总线的立体封装SRAM模
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SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
- 全球半导体设备龙头美商应用材料(AppliedMaterials)昨(13)日公布上季财报优于预期，估计本季营收可望季增10%，透露主要晶圆厂设备投资升温，也预告半导体景气春燕将近。
应材供应台积电、三星、格罗方德等半导体大厂关键设备，居产业制高点位置，其财报与展望是掌握半导体市场趋势的重要指标。
法人指出，应材上季财报与本季展望均传出佳音，透露近期北美半导体设备订货出货比(B/B值)仍将处于代表景气扩张的1以上，预料半导体景气春燕，有机会提前在3月飞至，推升台积电、联电、汉微科、
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应用材料 存储器
- 本文提出一个基于FPGA的SPI Flash读写硬件实现方案，该方案利用硬件对SPI Flash进行控制，能够非常方便地完成Flash的读写、擦除、刷新及预充电等操作，同时编写的SPI Flash控制器IP核能够进行移植和复用，作为SOC芯片的功能模块。
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FPGA Flash SOC CPU VHDL
- 现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array， FPGA)是基于SRAM的一种硬件电路可重配置电子逻辑器件，可通过将硬件描述语言编译生成的硬件配置比特流编程到FPGA中，而使其硬件逻辑发生改变。
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FPGA SRAM MIPS 存储器 BIST
闪速(flash)存储器介绍
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