- 2014第三季度 NAND Flash厂商营收排名出炉,其中东芝最为亮眼,原因是因为它最涨势最猛。
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NAND Flash 东芝 三星
- 苹果公司继推出iPhone 6/6 Plus新款智能手机后,今年底或明年初,将紧接推出Apple Watch智能手表,目前正展开一波拉货,力成最大客户美光传出大啖苹果Apple Watch存储器绝大部分订单,力成受惠度看涨,也激励今天股价逆势上涨;另一档美光受惠股华东则维持小跌与平盘间的狭幅震荡。
据了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,内建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包办绝大部分的订单,而在下游后段封测代工制程方面,目前多半由力成与华东共同负责,由于测试时
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苹果 iPhone 6 NAND Flash
- 根据DRAM研调机构DRAMeXchange最新研究报告显示,第三季三大DRAM厂积极调配旗下产能以应付苹果iPhone新机庞大行动式存储器的需求﹔在排挤效应下,标准型存储器产出减少,带动第三季合约价格持续上涨,供货吃紧下标准型存储器蝉联毛利最高的DRAM产品。DRAMeXchange表示,明年虽然平均销售单价将逐季往下,但在位元产出仍持续增加的拉抬下,DRAM整体产值将持续攀升。
该机构表示,今年第三季DRAM产值达120亿美元,较上季成长11%,单季营收再度创下新高。在产业寡占结构下,市场仍
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美光 DRAM 存储器
- IC设计第3季财报全数公布完毕,累计前3季,联发科(2454-TW)每股税后盈余23.41元,稳居IC设计每股盈余获利王,也是税后净利获利王,其次是触控IC厂F-敦泰(5280-TW),前3季每股税后盈余为13.67元,排名第二,第三名则是FLASH控制晶片厂群联(8299-TW),前3季每股盈余为13.34元,排名第三。
根据公开资讯站资料显示,联发科前3季税后净利与每股税后盈余稳居IC设计之冠,表现亮眼,显示行动装置需求持续升温,第3季旺季效应加持发威下,相关厂商营运表现都相当亮眼,联发科第
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联发科 触控IC FLASH
- TrendForce最新研究报告显示,随着中国市场近几年的蓬勃发展与政策开放,GDP成长率呈现高度的成长,所伴随而来的就是惊人的消费潜力,无论是PC、智能型手机与平板市场都把中国市场列入第一战区。TrendForce旗下权威内存研究机构DRAMeXchange最新数据显示,以2Gb颗粒来换算,2014年中国市场在DRAM与NAND的消化量已经高达47.89亿与70.36亿,分别占全球产能19.2%与20.6%。
从DRAM市场来观察,PC-DRAM在中国市场的消化量已经来到15%,内需市场的强劲
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内存 DRAM Flash
- 引言
FLASH(闪速存储器)作为一种安全、快速的存储体,具有体积小、容量大、成本低、掉电数据不丢失等一系列优点,已成为嵌入式系统中数据和程序最主要的载体。由于FLASH在结构和操作方式上与硬盘、E2ROM等其他存储介质有较大区别,使用FLASH时必须根据其自身特性,对存储系统进行特殊设计,以保证系统的性能达到最优。
FLASH的特点
FLASH是一种非易失性存储器NVM(Non-VolatileMemory),根据结构的不同可以将其分成NORFLASH和NANDFLASH两种。但不
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FLASH NAND
- 引言
近年来,消费者对电子产品的更高性能和更小尺寸的要求持续推动着SoC(系统级芯片)产品集成水平的提高,并促使其具有更多的功能和更好的性能。要继续推动这种无止境的需求以及继续解决器件集成领域的挑战,最关键的是要在深亚微米半导体的设计、工艺、封装和测试领域获得持续的进步。
SoC是采用IP复用技术的一种标准设计结构,在多功能电子产品中得到了广泛的应用。SoC的典型结构包括CPU、存储器、外围逻辑电路、多媒体数字信号编解码器和接口模块等。现在的SoC中,存储器通常占据整个芯片的大部分面积,并
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嵌入式 存储器 测试
- 在传统的大规模ASIC和SoC设计中,芯片的物理空间大致可分为用于新的定制逻辑、用于可复用逻辑(第三方IP或传统的内部IP)和用于嵌入式存储三部分。
当各厂商为芯片产品的市场差异化(用于802.11n的无线DSP+RF、蓝牙和其他新兴无线标准)而继续开发各自独有的自定义模块,第三方IP(USB核、以太网核以及CPU/微控制器核)占用的芯片空间几乎一成未变时,嵌入式存储器所占比例却显著上升(参见图1)。
图1:当前的ASIC和SoC设计中,嵌入式存储器在总可用芯片
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ASIC SoC 存储器
- 1引言
建立芯片模型是在早期进行芯片架构决策的有效方法,通过建模不仅可以对芯片的性能做出分析,还可以在硬件没有完成之前开发软件,不仅提高了产品成功率,而且缩短了研发周期。设计人员早期采用C/C++语言进行硬件建模。但是随着软硬件复杂度的提高,C/C++语言难以再满足要求。OSCI适时推出了SystemC语言来适应新的需求。如今SystemC已经被广泛应用于SoC软硬件建模中。
目前大部分SystemC建模方面的文献是作者对自己所设计芯片整体模型的描述,这种针对特定芯片设计的文献虽然都有参考
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SystemC 存储器
- 美国半导体企业美光科技(Micron Technology)将增产用于智慧手机等产品的半导体记忆体。将向去年收购的原尔必达记忆体位于日本广岛的工厂投资1千亿日元,力争2015财年(截 至15年8月)内将产能提高20%。今年美光科技在该工厂时隔3年重启大规模投资,计划通过积极投资来追赶在相关领域位居全球首位的韩国三星电子。
美光科技将在广岛增产使用最尖端微细加工技术(线宽为20奈米)的DRAM。和上一代25奈米线宽相比,从1枚晶圆上可以获得的半导体晶片数量将增加约 20%,生产效率将大幅提高。美光
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美光科技 存储器 DRAM
- 第三季NAND Flash市况在苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下,eMMC/eMCP与SSD的成长力道均高于上半年,NAND Flash价格表现也相对稳健,使得第三季NAND Flash品牌供货商营收较上季增加12.2%至85.8亿美元。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流,有助于各家业者成本结构的改善,而随着苹果第四季iPhone表现持续亮眼以及新产品的问世,整体N
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NAND Flash SSD iPhone6
- 随着来自社交网站、电子商务以及各种行动装置的数位资讯流暴增,巨量资料(big data)已经为IT基础建设带来压力;而当物联网(IoT)不断发展、可穿戴式装置开始兴盛,对记忆体以及快闪记忆体储存装置来的压力又是什么?
很明显的是,新一代装置将对记忆体以及资料储存元件的功耗、性能以及外形有独特的需求;在此同时,众多物联网设备与可穿戴式装置的功能,会只是单纯的收集与传送资讯到云端或资料中心,以进行处理。
IHS分析师Cliff Leimbach表示,在物联网世界,记忆体将会被非常广泛地使用,出
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物联网 存储器 DRAM
- 全球尖端半导体解决方案领军企业三星电子今日宣布已收购美国公司Proximal Data。作为服务器端缓存技术解决方案的先驱,Proximal Data拥有应用于虚拟系统的智能读写技术。
美国三星半导体存储器研究所高级副总裁Bob Brennan表示:“十分欢迎Proximal Data成为我们的一员,三星电子服务器固态硬盘的软件竞争力将由此得到大幅提升。通过这次收购,三星将进一步拓展面向服务器和数据中心的固态硬盘业务,并努力为客户提供最先进的固态硬盘解决方案。”
P
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三星 Proximal Data 存储器
- 游戏机、数字电视(DTV)和个人电脑等流行的消费类电子产品的功能越来越多,性能也越来越高。这些产品数据处理能力的增强使它们的DRAM存储器接口功能与产品本身的功能紧密联系在一起,以支持更多功能和更高性能。数据速率达数Gbps的存储器接口架构可以帮助这些产品实现所需的功能和性能,但是存储器接口设计必须克服艰巨的挑战才能达到想要的产品性能和质量。
更新一代的DDR3DRAM和XDR DRAM物理层接口(PHY)具有一些特殊的性能,完全可以克服数Gbps存储器接口架构带来的挑战。但是,DDR3 SDR
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存储器 DRAM DDR3
- “每道门都需要密码。”近日,记者从鲁巷广场往南走10余公里,来到了武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称:武汉新芯)总部所在地。在光谷的东南部腹地,武汉新芯给记者最深的印象就是:严谨而神秘。
一栋五层高的白色办公楼紧连着一大片封闭的生产区,在经过层层安保程序后,记者才被允许进入公司园区内。作为一家高精尖企业,为保证产品质量,该公司办公区域的每一道门都需要磁卡和密码验证才能放行。与之配套,整个园区的每一个关键区域都标注有责任人,姓名、职务和联系方式等基本信息全部公示。&
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存储器 集成电路
闪速(flash)存储器介绍
您好,目前还没有人创建词条闪速(flash)存储器!
欢迎您创建该词条,阐述对闪速(flash)存储器的理解,并与今后在此搜索闪速(flash)存储器的朋友们分享。
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