中国正急于建立自己的记忆体业务，这一点当然毋庸置疑。不过到底要如何以及何时才能实现这一愿景却仍旧是个迹，日本的几位半导体行业知情人士在接受采访时指出。
中国国家集成电路产业投资基金拥有雄厚的财力，而这笔由地方政府主导的经济资源将被用于帮助中国的“记忆体梦”一步步成为现实。
不过抛开主观愿望，中国要想真正建立属于自己的记忆体产业，还需要可靠的知识产权来源与工程技术人才。
中国代工厂商XMC于上周在武汉正式着手兴建一座新的晶圆工厂，旨在制造3D NAND闪存记忆体
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存储器
在国家意志的推动下，中国存储企业大多是不差钱的主，完全可以在没有后顾之忧的情况下，砸出工艺，暴出产能，在如此力度的政策、资金扶持下，武汉新芯、紫光等中国企业能重演京东方在面板产业的逆袭么？
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存储器 NAND
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，中国记忆体大厂武汉新芯新建记忆体晶圆厂将从本月底开始进行建厂工程，目标最快在2018年年初开始生记忆体晶片，初期规划将以目前最先进的3D-NAND Flash为主要策略产品，代表了近两年来中国极力发展记忆体产业的态势下，将开始进入新的里程碑。
DRAMeXchange研究协理杨文得指出，现阶段武汉新芯主要以生产NOR Flash为主，月产能约为2万片左右，在NAND Flash产业也展现强大的企图心。不同于国际NAND Fla
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NAND 存储器
中国正在打造世界级半导体产业，砸240亿美元巨资，以“国家队”力量来“弯道超车”！用钱可以砸出来国家队，但是技术还得靠自己。
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新芯 存储器
今天微信朋友圈被刷屏，原因只有一个：投资240亿美元的武汉新芯NAND Flash项目正式启动。
自从国家颁布集成电路产业扶植政策，投资存储器风潮开始风起云涌，不仅搅得台湾业界混乱不堪，也让全世界为之瞩目。
虽然国外同行大都对大陆投入巨资发展存储器产业持怀疑态度，众多本土地方领导、业界高管、专家甚至媒体却一致赞成，好像只要有钱，大陆发展存储器产业唾手可得。
合肥请来前尔必达CEO要做存储器，厦门请来前尔必达CTO要做存储器(目前厦门已经放弃)，紫光虽然放弃入股西部数据，从入股力成、南
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存储器 集成电路
3月28日，总投资240亿美元(约1600亿人民币)的存储器基地项目在武汉东湖高新区正式启动。 这是国家发展集成电路产业的重大战略部署。2014年，国家颁布实施《国家集成电路产业发展推进刚要(2015-2025)》，制订了今后10年发展集成电路产业战略部署，同期成立国家集成电路产业领导小组和国家集成电路产业投资基金。2015年发展存储器上升为国家战略。 据介绍，这一存储器基地项目以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产于测试、销售于一体。 存储器是信息系统的基础核心芯片。该项
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集成电路 存储器
“他山之石可以攻玉。”借鉴日韩以及我国台湾地区的经验，可以更好地探索出一条适宜中国大陆当前发展存储产业的路径——抓住重大技术变革机遇期，在打造龙头骨干IDM企业的同时，也不应放松存储业生态集群的培育。
产业面临技术革新机遇
过去30余年中，全球存储器产业经历了两次区域性的产业转移：20世纪80年代存储产业重心从欧美国家转移到日本，90年代从日本转移到韩国。
目前，从事DRAM生产开发的企业不下40家，但是这个行业一直都处于不断兼并重组之
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IDM 存储器
北京兆易创新科技股份有限公司是SPI NOR FLASH领域全球主流的Fabless供应商。公司成立于2005年4月，总部设于中国北京，在中国大陆与台湾地区、韩国、美国、英国、日本等多个国家和地区设有分支机构，营销网络遍布全球，提供优质便捷的本地化支持服务。公司致力于各类高速和低功耗存储器(NOR/NAND Flash)、微控制器(MCU)系列产品的设计研发，并以“高技术、低功耗、优成本”的特性领先于全球同类产品，被美国EETimes机构评选为全球最热门半导体初创公司60强，并
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兆易创新 存储器
俄罗斯的科学家开发出一种超导记忆体单元的控制系统，只需不到1奈秒(ns)的时间，就能实现较当今所用的类似记忆体更快几百倍的读取与写入速度。
来自莫斯科物理技术学院(MIPT)与莫斯科国立大学(Moscow State Univeristy)的科学家在最近一期的《应用物理快报》(Applied Physics Letters)中发表这项研究成果。
这项理论性的研究成果预测在复杂的Josephson Junction超导元件中存在双稳态状态。建置这种元件可能需要进行超冷却作业，使其无法真正落实
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存储器
Flash存储器，简称Flash，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还不会因断电而丢失数据，具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上，Flash总类可谓繁多，功能各异，而你对它了解有多少呢? 为了让大家更深入了解Flash，今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点，给大家一个全新认识。 一、IIC EEPROM IIC EEPROM，采用的是IIC通信协议;IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线(SDA)
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Flash EEPROM
资料储存解决方案大厂NetApp表示，经由云端与Flash两股推力驱动，让近年IT基础架构进入新一波的转型期，其中2016年经由融合式基础架构(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系统工具应用性窜升，将让2016年成为IT的精简之年。
此外值得注意的是，TLC架构的Flash存储器借由需求性提升及单位成本快速下降，预期今年每GB的FLash价格也将较SAS硬碟更低，并让All Flash资料中心的将进入主流储存领
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Flash SAS
三星半导体事业也有潜在危机，比如大客户苹果转投台积电，然而三星的策略就是以对手跟不上的高附加价值产品克服困境。
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存储器 三星
记忆体产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取记忆体(SRAM)的快速、快闪记忆体的高密度以及如同唯读记忆体(ROM)般低成本等各种优势的非挥发性记忆体。如今，透过磁阻随机存取记忆体(MRAM)，可望解决开发这种“万能”记忆体(可取代各种记忆体)的问题
遗憾的是，实际让非挥发性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承诺)的最佳化步骤，似乎总是还得再等三年之久。如今，荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technolo
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日经新闻报导,SK海力士周一宣布，将砸15.5兆韩元(125亿美元)，再盖一座新存储器工厂。
新厂选址在南韩忠清南道省北部，与原海力士旧厂比邻。据日经新闻报导，海力士已取得25万平方公尺的土地面积，并与清州市政府签订合作备忘录(MOU)，新厂预计将在2018年正式动工、2019年投产。
新厂确切的产品目前还不清楚，不过海力士某官员暗示应该为NAND存储器，若新厂全部投入生产NAND存储器，海力士现有NAND存储器产能将扩增超过两倍。
此外，海力士亦宣布已开始在现有的清州厂量产先进的3
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256GB的UFS 2.0记忆体可用来存放47部高画质电影，还可流畅地播放Ultra HD影片
你想要内建容量高达256GB的智慧型手机吗?三星电子(Samsung Electronics)周四(2/25)宣布已开始量产全球首款基于Universal Flash Storage(UFS)2.0的256GB嵌入式记忆体，将可应用在新一代的高阶智慧型手机。
目前全球高阶智慧型手机的内建储存容量最高都只到128GB，例如苹果的iPhone 6s/6s Plus或三星的
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闪速(flash)存储器介绍
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