武汉新芯存储器芯片工厂动土 追赶三星不被看好

　　武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC)在28日动土，目标是当前最先进的3D NAND Flash，是中国公司真正走上自主生产半导体之路的里程碑。

　　以2014年数据来说，大陆芯片市场规模破兆元(人民币，下同)，占全球芯片市场的50.7%，其中储存芯片市场规模达2465.5亿元，但该产业链在大陆是空白一片，全都仰赖进口。

　　核心芯片需自制

　　去年大陆国务院总理李克强就说，进口芯片的钱居然已跟石油差不多，就是在指责中国无法自产;不少业者也说，现在网路相关产品越来越多，为了确保资讯与国家安全，以及军事使用，储存的核心芯片必须自制。

　　所以在2014年启动关于半导体的发展计画后，也成立了国家集成电路产业基金公司(国家大基金)，今年更将其列为“十三五”规画，并大力宣传包括紫光集团、 中国电子、长电科技等，已是“芯片国家队”，而武汉新芯则是补充储存芯片这一块空缺，选择与美国Spansion合作，交叉授权发展3D NAND Flash技术。

　　武汉新芯营运长洪沨表示，3D NAND Flash将成为中国记忆体芯片产业弯道超车的切入点。

　　国际NAND Flash大厂比一比

　　恐沦惩罚性业务

　　武汉新芯拿到的是国家大基金和湖北与武汉的当地政府资金，公司高层很多来自中芯，外媒戏称是“政府自己人”，目标对手是南韩三星，但分析师并不看好，认为起步已比三星晚很多，这一行投资成本极高，若做不到市占率第一，就很容易成为“惩罚性业务”。

　　外媒甚至以台湾经验为例，过去投入数百亿美元仍以失败作收，多家公司被对手收购，三星电子已能量产，若说技术可达64层，武汉新芯恐怕只有8层。

　　但台湾业者要先担心的是，大陆官方插手量产后造成的产能过剩价格战，因武汉新芯最快明年量产，但各大记忆体厂也在加大相关产能投资，SK海力士扩充产能将于2019年投产，最近东芝也宣布3年扩产计画。