- 长江存储科技有限责任公司成立，清华紫光成为武汉新芯的新东家，正式扛起中国发展存储器产业的大旗。
自从国家计划大力发展存储器，大陆已经有三地启动了存储器发展计划，北京紫光最早，不过动作最慢，武汉新芯已经启动FLASH工厂建设，而福建晋华则联合 联电启动了DRAM工厂建设，传闻中合肥也将建设存储器基地。除紫光外，无论武汉、泉州还是合肥，都是当地政府投入巨额资金扶植发展存储器产业。
存储器是个充分市场竞争的行业，目前全球范围内五强争霸，韩国的三星、海力士，美国的Intel、美光，此外还包括日本的
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紫光 存储器
- Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该
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FD-SOI 存储器
- 据海外媒体报道，韩国三星电子为全球第一家量产 3D 架构 NAND 型快闪存储器(Flash Memory)的厂商，不过其NAND Flash 最大竞争对手东芝(Toshiba)追赶速度惊人，宣布已领先全球同业，研发出堆叠 64 层的 3D Flash 产品(见首图)，且开始进行送样。
东芝 27 日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，并自今日起领先全球同业开始进行样品出货，且预计将透过甫于 7 月完工的四日市工厂“新第 2 厂房”进行生
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东芝 Flash
- 这话说的有点大，小编不知道怎么写摘要了，网友们有什么建议。
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半导体 存储器
- 存储器行业在全国各地开花，为什么不能尝试区域融合？或许拳头出击，才最有可能打破行业垄断格局。
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存储器 存储
- 许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本，如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLCFlash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列，也改变了既有的全快闪储存市场消长
在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期，唯一的卖点便是高效能，应用面向也局限于线上交易处理等高IO需求领域。为了扩展应用环境，后来的全快闪储存阵列发展也有了不同的发展。
我们可以把全快闪储存阵列的发展分为4个阶段：
第一阶段是效能导向。提供高效能，是全快闪储存阵列这类产品诞生的目的，早期的全快闪储存阵列
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Flash 存储器
- 大力发展存储器不仅是市场需求，同时也是信息安全和产业安全的战略需要。
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存储器 芯片
- 7月16日，福建省晋华存储器集成电路生产线项目(以下简称“晋华项目”)开工仪式在泉州晋江举行。该项目一期投资370亿元，是福建省发展集成电路产业的重大战略布局，将打造成为国内首家具有自主技术及世界级制造工艺水平的存储器研发制造企业。
当天，包括国家相关部委、国家集成电路投资基金、中国科学院微电子研究所等单位近百名国内外资深专家、业界重量级嘉宾，以及近200家产业链相关企业代表出席开工仪式，共同见证晋江全新千亿集成电路产业起航，奏响“中国内存最强音”
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存储器 集成电路
- 许多厂商开始将重心转移到降低全快闪储存阵列的成本，如Dell与EMC都已在全快闪产品中导入低成本的TLC Flash记忆体;众多厂商争相发展全快闪储存阵列，也改变了既有的全快闪储存市场消长
在全快闪储存阵列这类型产品诞生初期，唯一的卖点便是高效能，应用面向也局限于线上交易处理等高IO需求领域。为了扩展应用环境，后来的全快闪储存阵列发展也有了不同的发展。
我们可以把全快闪储存阵列的发展分为4个阶段：
第一阶段是效能导向。提供高效能，是全快闪储存阵列这类产品诞生的目的，早期的全快闪储存阵
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Flash 存储器
- 投资没耐心是制约中国半导体发展的重要因素，很多投资人或企业想要三五年就获得回报，很难实现，半导体制造行业投资成功在中国可能需要十年左右的时间，不过抛开主观愿望，中国要想真正建立属于自己的记忆体产业，还需要可靠的知识产权来源与工程技术人才。
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存储器 3DNAND
- 台系存储器业者第3季可望吃下定心丸，相关业者表示存储器供给吃紧，DRAM、NAND Flash需求可望攀升，市场已经传出第3季价格可望有个位数涨幅，并且随着第3季手机品牌大厂推出新品，台系存储器业者营运可望稳定攀升。
存储器业者威刚表示，受惠于存储器价格及需求回温，6月合并营收站上近15个月的单月高点，其中固态硬碟(SSD)营收及出货量再创新高，单月营收贡献稳居各产品线龙头。
威刚表示，在供给吃紧及补库存需求的状态不变下，第3季存储器市场将呈现稳步走扬的趋势。其中SSD第2季正式跃居最大产
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存储器 SSD
- 嵌入式系统解决方案领域的领导者赛普拉斯半导体公司今日宣布其基于低引脚数HyperBus™接口的全新高速自刷新动态RAM(DRAM)现开始提供样片。该款64Mb HyperRAM™可用作汽车、工业和消费等各类应用的外置便笺式存储器，用于渲染高分辨率图形或运行数据密集型固件算法。该器件 拥有高达333 MBps的读写带宽，并支持3V和1.8V供电电压。
与赛普拉斯的HyperFlash™ NOR闪存配合使用时，HyperRAM可通过让闪存和RAM共享同一个12引脚
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赛普拉斯 存储器
- 第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬。
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新报价显示，第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显，TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续三个月份逐步走扬，而近一个月涨幅开始增加。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，NAND Flash原厂持续降低对于通路(Channel)的供货比重来满足eMMC/eMCP与固态硬碟(SS
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NAND Flash
- 三星西安工厂受到变电站爆炸停电影响，对供应紧张的NAND Flash雪上加霜，不过事故后回复速度很快，给当地供电局和三星应急处理点个赞。
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三星 Flash
闪速(flash)存储器介绍
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