英特尔和美光科技于2015年7月28日发布了“3D XPoint技术”，英特尔称其为“自1989年NAND闪存问世以来，内存技术时隔25年多取得的新突破”。两家公司还利用该技术开发出了NAND闪存中比较普遍的容量为128GB的芯片。
设想应用于需要快速处理大量数据的领域。例如采用8K超高精细影像的游戏、面部识别及语音识别等图案匹配、基因分析等。
两家公司将于2015年底向特定客户供应样品，2016年正式开始销售。
访问时间与DRAM相当
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英特尔 美光 存储器
PC产业衰退以及市场对DRAM的需求趋缓，半导体产业销售额将因为PC与智慧型手机需求衰弱，而呈现为期两年的低潮。
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存储器 美光
过去多年时间里，来自Adobe的热门软件Flash让网络变得更丰富，然而，Flash的安全性一直饱受诟病，而近期发生的信息安全事故再次表明，Flash应当走向消亡。
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Adobe Flash
英特尔2015年第二季度(4～6月)的财报显示，其销售额为同比减少5%的131.95亿美元，营业利润为同比减少25%的28.96亿美元。该公司CEO布莱恩·柯赞尼奇(Brian Krzanich)就本季度的业绩表示，“营业利润的70%来自数据中心、存储器和IoT，弥补了形势严峻的个人电脑领域的业务。显示出了本公司业务构成的变化”。
从业务部门来看，客户端计算业务的销售额为同比减少14%的75.37亿美元，营业利润为同比减少38%的16.02亿美元。面向平板电
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英特尔 存储器 IoT
过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1：HBM模组横截面示意图
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海力士 存储器
过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1显示四个DRAM晶片与一个逻辑晶片堆叠并固定至中介层晶片。该中介
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海力士 存储器
1. DMA访问存储器的性能
EDMA3架构支持很多功能，可以实现高效的并行数据传输。本节讨论影响它性能的很多因素，如存储器类型，地址偏移等。
1.1 DMA传输的额外开销
一般的传输时延被定义为EDMA被触发到真正的数据传输开始的时间。由于数据传输开始的时间无法用简单的方法测量，所以我们用最小数据单元的传输完成时间来代表DMA传输的时延或额外开销。根据不同源/目的地址的组合，这个值会有所不同。表4列出了在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上测得的从
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TMS320C6678，存储器
摘要
TMS320C6678 有8 个C66x核，典型速度是1GHz，每个核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM和512KB LL2 SRAM;所有 DSP核共享4MB SL2 SRAM。一个64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM接口可以支持8GB外部扩展存储器。
存储器访问性能对DSP上运行的软件是非常关键的。在C6678 DSP上，所有的主模块，包括多个DSP核和多个DMA都可以访问所有的存储器。
每个DSP核每个时钟周期都可以执行最多128 b
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TMS320C6678 存储器
导读：数字系统中可对二进制数据进行存储的是存储器，FIFO、RAM等位于集成电路中可完成存储功能的是存储器，TF条、内存条等存储设备也是存储器。存储器已广泛存在于我们的生活中且为我们的生活提供诸多便利，接下来我们就一起来了解一下其工作原理到底是什么样子的吧～
一、存储器原理- -简介
存储器，英文名称为Memory，顾名思义，是一种用于存储信息的仪器，常用于计算机中的数据储存，计算机工作所需的所有数据都被存储在存储器中，包含原始数据、计算过程中所产生数据、计算所需程序、计算最终结果数据等等。存
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存储器 存储器原理
固态硬碟(SSD)走向高速规格、低成本设计趋势成形。快闪记忆体、SSD控制晶片、模组和系统厂商正有志一同发展低成本、高容量的三层式储存(TLC)和3D NAND技术，同时也积极推动SSD由现有SATA、PCIe AHCI转向更高速PCIe NVMe介面的新设计，期透过降低成本和提高储存效能的双重手段，刺激SSD市场渗透率。
SanDisk资深副总裁兼技术长Kevin Conley提到，4G LTE连线功能结合SSD后，将能为各种消费性电子提供顺畅的网路互连，更加贴近物联网理想。
SanDi
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SSD 存储器
大陆扶植半导体产业开始执行上路，近7成资金将挹注在IC制造/设备领域。法新社大陆设立大基金扶植半导体产业开始执行上路，半导体业者透露，分5年总计人民币6，000亿元资金有近7成将挹注在IC制造/设备领域，重点扶植项目包括逻辑芯片、DRAM及NAND Flash芯片等，其中，逻辑芯片将以中芯国际为首，至于存储器领域将先从DRAM芯片切入，长期目标是大陆内需50%半导体芯片全数自制。
半导体业者指出，大陆国家IC产业投资基金，每年提拨人民币1，200亿元投入自建半导体产业链，初期规划5年、共人民币6
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存储器 DRAM
DRAM双雄南亚科(2408)与华亚科5月营收均较4月呈现个位数衰退。目前DRAM产业正处于淡季效应递延状态，产品价格持续下滑，也影响业者业绩。
南亚科5月合并营收为37.98亿元，月减2.9%，年减8.6%;前五月合并营收为197.39亿元，年增1%。华亚科5月合并营收暂估数为55.12亿元，月减5.5%，年减26.3%;前五月合并营收暂估数为297.97亿元，年减14.1%。
因PC市况不振，连带使PC DRAM价格也因需求疲软而下跌，今年上半预计会维持跌势，也影响到业者营运表现。但业
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DRAM 存储器
引言：
FRAM存储器可为可穿戴电子产品带来低功耗、小尺寸、高耐用性与低成本。
正文：
铁电RAM(FRAM)存储器广泛应用于工业控制系统、工业自动化、关键任务空间应用、高可靠军事以及各种汽车应用。使FRAM适用于这些应用的特征也使之成了可穿戴应用的可行技术，因为FRAM技术与生俱来的附加属性包括低功耗与高耐用性。
电子可穿戴设计的一个主要注意事项是在提升可靠性的同时降低总体功耗。设计人员必须在增加功能的同时降低系统功耗，以便延长电池使用寿命。与此同时，嵌入式软件的大小和复杂性
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FRAM 存储器
Trendforce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，全球行动式记忆体总营收在2015年首季达到35.76亿美元，季衰退不到1%，占 DRAM 总产值的29.8%，并且有持续扩大趋势。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第一季主要受惠于三星(Samsung)来自23nm产出增加，行动式记忆体整体出货与上季增加8.2%，加上行动式记忆体平均销售单价与其他产品别相对抗跌，全球行动式记忆体整体营收规模持续扩大。
吴雅婷表示，2015上半年行动式记忆体价格呈现稳定小跌的
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存储器 DRAM
Trendforce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，今(2015)年第一季全球行动式记忆体总营收为35.76亿美元(详如下图)，季减0.9%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，上半年行动式记忆体价格呈现稳定小跌，但随着LPDDR4导入市场后，预计能衍生出更多商机，而搭载3GB LPDDR4的三星Galaxy S6出货也比预期中更佳，加上iPhone新机将搭载2GB的预期心态下，即便价格趋势向下但跌幅也非常有限。
目前行动式记忆体占整体DRAM供应已接近4成，随
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存储器 LPDDR4
闪速(flash)存储器介绍
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