- 储存装置市场正酝酿一波小型新创公司革命。过去由惠普(HP)、IBM、NetApp与EMC等业者把持的储存市场，目前已遭到许多小型新创公司崛起并抢走市场。调查也发现，消费者预期未来将扩大使用Flash存储器与固态硬碟(SSD)，因此，传统大厂必须调整策略才能扭转颓势。
据TechRadar报导，全球四大储存大厂惠普、IBM、NetApp与EMC近期受到甫成立不久的新创公司推出快闪技术产品，因此，其外部硬碟储存市场占有率已逐渐流失。
据IDC调查发现，截至2014年第2季为止，由四大厂供应的高
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IBM SSD Flash
- 三星电子(Samsung Electronics)领先全球同业、于去年10月抢先量产3D架构的NAND型快闪存储器(Flash Memory)产品，但三星的领先优势恐维持不了多久，因为三星NAND Flash最大竞争对手东芝(Toshiba)传出将在今年下半年量产3D NAND Flash、且其制造技术更胜三星一筹!
日本媒体产经新闻25日报导，三星于去年量产的3D NAND Flash产品为垂直堆叠32层，但东芝已研发出超越三星的制造技术、可堆叠48层，且东芝计划于今年下半年透过旗下四日市工厂
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东芝 3D Flash
- 全球存储器市场上，三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三强鼎立，让价格趋于稳定。而讲究低功率技术与微细化制程的复合解决方案商品，则带动存储器价格进一步提升。专家表示，接下来将迎接高价、高品质时代。
据韩媒Bridgenews报导，日本、台湾、韩国等半导体业者，从2007~2012年间持续存储器的削价竞争，即便存储器价格惨跌仍不断提高产量。过度竞争的结果，让德国DRAM业者奇梦达(Qimonda)在2009年破产，2012年日本尔
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存储器 SK海力士
- 全球存储器市场上，三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三强鼎立，让价格趋于稳定。而讲究低功率技术与微细化制程的复合解决方案商品，则带动存储器价格进一步提升。专家表示，接下来将迎接高价、高品质时代。
据韩媒Bridgenews报导，日本、台湾、韩国等半导体业者，从2007~2012年间持续存储器的削价竞争，即便存储器价格惨跌仍不断提高产量。过度竞争的结果，让德国DRAM业者奇梦达(Qimonda)在2009年破产，2012年日本尔
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存储器 三星
- 中国大陆智能型手机的高成长，使得内存等零组件的消耗激增。这也使得南韩的内存供应商不管是从零组件竞争还是手机整机的竞争上都倍感压力。
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DRAM NAND Flash
- 新帝(SanDisk)与多家储存设备厂分别推出采快闪存储器的储存方案，主要锁定巨量资料(big data)分析、内容储存与媒体串流等市场。分析师认为，从成本与效能角度观察，快闪存储器在储存系统扮演角色将越加吃重。
据富比士(Forbes)网站报导，新帝针对企业储存市场推出的InfiniFlash，在未经即时删除资料与压缩下，每GB成本可低于1美元水准，即时删除资料与压缩下，成本更可低到美分水准。
快闪存储器的储存每GB成本与效能已可与传统硬体相比拟。
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SanDisk 存储器
- SK海力士(SK Hynix)将PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存储器芯片列为新成长动能，2015年会先决定要将次世代产品应用在何IT装置上，以确定发展方向。
据南韩每日经济报导，SK海力士表示将PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列为次世代半导体。2015年将先明确订定产品制造方向，再着手研发合适的制程技术。
所谓的次世代半导体，是指DRAM、NAND Flash所代表的存储器芯片，在功率、容量等规格升级的半导体产品。SK海力
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SK海力士 存储器
- 近日，美光科技在上海举行以“存储及其发展如何帮助实现未来互联世界”为主题的“美光开放日”活动。美光科技高层与业内专家、学者和媒体共同分享公司在该领域的见解和创新解决方案，探讨和展望未来行业发展趋势。
美光科技作为仅有的两家能够提供提供全存储类型解决方案的厂商，占据整个存储器22%以上的市场份额，稳居第二位。如今美光科技面向网络建设、机器对机器、移动设备、云和大数据五大应用领域，提供全球最广泛的存储产品组合，包括：DRAM芯片和存储条、固态硬盘、NA
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美光 存储器 NAND 201503
- 为了达到可靠的数据传输，借助存储器来完成跨时钟域通信也是很常用的手段。在早期的跨时钟域设计中，在两个处理器间添加一个双口RAM或者FIFO来完成相互间的数据交换是很常见的做法。如今的FPGA大都集成了一些用户可灵活配置的存储块，因此，使用开发商提供的免费IP核可以很方便的嵌入一些常用的存储器来完成跨时钟域数据传输的任务。使用内嵌存储器和使用外部扩展存储器的基本原理是一样的，如图1所示。
图1 借助存储器的跨时钟域传输
双口RAM更适合于需要互通信的设计，只要双方
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FPGA 存储器
- TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMexchange 最新报告显示， 2014年第四季全球行动式记忆体总营收达到36.07亿美元，季成长4.2%，占DRAM总产值的27.8%;DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2014年行动式记忆体占总出货已接近四成，比重较过往持续增加。
虽然行动式记忆体价格于第四季小幅下滑5%，但受惠于智慧型手机的需求持续成长，尤其在 iPhone 6 与 iPhone 6 plus 的带动之下，位元出货增加，带动全球行动式记忆体营收持续向上成长。吴
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存储器 DRAM
- 为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权(IP)及服务的全球领先供应商新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：其全新DesignWare?中等容量非易失性存储器(NVM)IP产品开始供货。Medium Density NVM IP填补了小容量NVM和大容量闪存之间的空白，且无需额外的光罩或工艺步骤，从而使芯片成本降低多达25%。在把微控制器集成到面向智能传感器、电源管理和触摸屏控制器应用的模拟IC设计中时，中等容量NVM IP提供最高64 Kbyte的嵌入式存储，消除了对外部EEPRO
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Synopsys 存储器
- 2015年由行动装置带动的高规格半导体之争蓄势待发;行动应用处理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三阶储存单元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半导体需求增加，被视为半导体产业成长新动能。
据韩媒亚洲经济的报导，智慧型手机的功能高度发展，让核心零组件如应用处理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半导体的需求日渐增加。首先是AP从32位元进化到64位元，可望让多工与资料处理
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半导体 NAND Flash LPDDR4
- 根据 TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新报告显示，第四季 NAND Flash 市况虽依旧维持健康水准，但在三星电子、东芝与晟碟各自面临价格与产销端的压力影响营收、及第三季呈现微幅衰退的情况下，品牌供应商营收仅较第三季成长 2% 至 87.5 亿美元。DRAMeXchange 研究协理杨文得表示，因需求端面临淡季效应，2015 年第一季整体市况将转为供过于求，在价格滑落幅度转趋明显的情况下，业者将藉由加速先进制程的转进，改善成本架构，以减低价格跌幅的冲击。
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NAND Flash 三星 东芝
- 全球第2大NAND型快闪记忆体(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba Corp)29日于日股盘后公布今年度前三季(2014年4-12月)财报：因电力/社会基础设施部门营收大幅增长、记忆体销售也呈现增长，加上受惠日圆走贬，带动合并营收较去年同期成长4.1%至4兆7,162亿日圆，合并营益成长6.2%至1,648亿日圆、创历年同期新高纪录，合并纯益暴增85.9%至719亿日圆。
若单就上季(2014年10-12月)业绩来看，东芝合并营收较去年同期成长5%至1兆6,078亿日圆，合并营益
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东芝 存储器
闪速(flash)存储器介绍
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