摘要TMS320C6678 有8 个C66x 核，典型速度是1GHz，每个核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM 和 512KB LL2 SRAM;所有 DSP 核共享 4MB SL2 SRAM。一个 64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM 接口可以支持8GB 外部扩展存储器。存储
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TMS320C6678 存储器
首先需要了解NAND FLASH的结构。如图：以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page)，64个页(page)组成1个块(block)，4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区
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Flash NAND 扇区管理
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念，及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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存储器 DRAM SDRAM
存储器是当今每一个计算机系统、存储方案和移动设备都使用的关键部件之一。存储器的性能、可扩展性，可靠性和成本是决定推向市场的每个系统产品经济上成功或失败的主要标准。目前，几乎所有产品都使用一种或组合使用
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MRAM 存储器
上两回我们分析了风口浪尖的武汉新芯和紫光集团，这回我们一起来看一下另一个可能决定中国半导体行业命运的地方合肥。
据媒体报道，由日本尔必达的元社长坂本幸雄所设立的半导体设计公司兆基科技(Sino King Technology)和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，兆基科技将主导合肥市政府总额高达8000亿日元(460亿人民币)的大规模半导体工厂兴建企划。新工厂将生产由兆基科技所设计研发、具备低耗电力的计算机内存(DRAM)，计划在2018年下半年开始量产，以12吋晶圆换算的月产能达10万片的国
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半导体 存储器
韩国三星电子将着手量产智慧手机用最尖端的三维半导体存储器(3D NAND)。三星10月7日发布的2016年7～9月的合并营业利润在坚挺的半导体业务的拉动下，较上年同期增长5%，达到7.8万亿韩元(速报值)。因市场行情好转，三星最早将于2016年内在韩国和中国的工厂投产64层3D NAND。
在智慧手机使用的DRAM和NAND两种半导体存储器领域，三星的市占率位居全球首位。DRAM在断开电源后，数据会消失，而NAND在断开电源后，可继续保存数据。2015年NAND市场行情低迷。最初有观点认为201
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三星 存储器
摘要 通过对单通道数字射频存储器的原理和结构分析，总结了单通道数字射频存储器的优缺点，并基于单通道数字射频存储结构，引入DSP模块设计了一种基带干扰源，实现了对宽带信号的处理。
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射频 存储器 DSP
JEDEC标准(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一个可供查询的描述串行Flash功能的参数表。文章主要介绍了这个串行Flash功能参数表的结构、功能和作用，并给出其在系统设计中的具体应用。
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JEDEC Flash JESD
半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。
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存储器 NAND
TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自动加载的设计,摘要 为实现数字信号处理器的加栽，介绍了TMS320C6455的各种加载模式，尤其是对外部ROM的引导方式，以及一种无需数据转换即可通过数据加载将用户程序写入Flash的方法。以TMS320C6455为例，同时结合LED灯闪烁实例验证
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DSP 加栽模式 二次加载 Flash
Dialog半导体周三发布第三季未经稽核财报，营收来到3.45亿美元，较展望中间值高出13%，与去年同期相比则成长5%。
Dialog是手机、平板电源管理、音频和短距离无线通讯芯片供应商，客户包含苹果与三星电子等。Dialog当季主要受惠于中国十一长假，部份移动产品客户提前拉货。Dialog预计在11月3日公布完整财报。
据研调机构GfK预估，中国2016全年智能手机销售量上看4.39亿部、年增率为14%。另一家市调机构IDC统计数据显示，中国第二季前五大手机厂份额依序是华为17.2%、O
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Dialog 存储器
DRAM现货价涨不停，主流规格DDR4 4Gb芯片均价昨(27)日正式站稳2美元、达2.1美元，攀上七个多月来高点，本季来大涨逾24%，第4季报价持续看涨一成，南亚科、威刚、宇瞻等记忆体族群大进补。
业界透露，在全球存储器芯片龙头三星拉抬报价带动下，DRAM涨势延续，9月以来已连续三周上涨，涨势明确，伴随追价买盘进场，涨势加大。
根据全球市场研究机构TrendForce集邦科技昨日晚间最新报价，DDR4 4Gb芯片正式站稳2美元、均价来到2.1美元，单日涨幅1.6%，合计本周以来二个交易日
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DRAM 存储器
存储器供货吃紧，价格喷发，先前韩媒预估，厂商制程转换将使产能减少，明年下半可能还有一波新行情。对此外资警告，DRAM荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。
六月以来PCDRAM现货价大涨30%，光是过去两周就飙升9%;NANDFlash也供不应求，价格挺升，存储器大厂SK海力士(SKHynix)和美光(Micron)股价都因此一飞冲天。存储器市场还能热多久?BernsteinResearch的MarkNewman说，一切要看三星。Bernstein报告称，要是D
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存储器 三星
存储器是集成电路产业的基础产品之一，产品的成熟度和产业的规模效应均较为显著，而目前中国大陆的企业在相关领域内的份额依然较低，在国家的“芯片国产化”产业政策的推动下，中央政府和地方政府在产业内的投资助推国内存储器产业崛起，市场环境及竞争状况注定了中国企业的未来崛起之路任重道远。
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半导体 存储器
受新兴市场对智能手机的热切需求和物联网正要起飞的激励，半导体的需求预料将继续扩大，但回想中国过去推动钢铁、造船、太阳能发电等产业的投资，每次都造成全球市场供需失衡，外界不得不担心，下一回供给过剩的惨况可能就轮到半导体。
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紫光 存储器
闪速(flash)存储器介绍
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