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闪速(flash)存储器 文章 最新资讯

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系统中的应用

  • 随着嵌入式系统产品的发展,对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例,阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法
  • 关键字: Flash  NAND  02A  1FT    

全球市占率逾6成 Kingston稳坐存储器模组龙头

  •   Kingston 金士顿本周将庆祝 29 岁生日,在第三方研究机构调查排名中,仍以超过 60% 的市场占有率,稳居全球记忆体模组第一品牌;除了营收逆势成长外, Kingston 在 2015 年第三度以“记忆”为核心推出记忆的红气球微电影,再度获得 2016《4A 创意奖》一银一铜两佳作的奖项。   Kingston 在 1987 年 10 月 17 日由杜纪川 (John Tu) 与孙大卫 (David Sun) 共同创立,不仅创业精神及成功故事在业界享有盛名,近年来更带领
  • 关键字: Kingston  存储器  

如何将“坏块”进行有效利用

  •   被广泛应用于手机、平板等数码设备中的Nand Flash由于工艺原因无法避免坏块的存在,但是我们可以凭借高科技变废为宝,将“坏块”进行有效的利用,从而满足我们的应用需求,让坏块不“坏”。   要想变废为宝,有效利用坏块。我们首先要弄明白什么是“坏块”,做到知己知彼,才能为我所用。坏块的特点是当编程或者擦除这个块时,不能将某些位拉高,从而造成编程和块擦除操作时的错误,这种错误可以通过状态寄存器的值反映出来。这些无效块无法确定编程时
  • 关键字: Nand Flash  寄存器  

大陆发展存储器大计三箭齐发 明年推首颗自制3D NAND芯片

  •   大陆发展3D NAND、DRAM、NOR Flash存储器大计正如火如荼地展开,初步分工将由长江存储负责3D NAND及DRAM生产,武汉新芯则专职NOR Flash和逻辑代工。2016年底长江存储将兴建首座12吋厂,最快2017年底生产自制32层堆叠3D NAND芯片,尽管落后目前三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)技术约2个世代,然大陆终于将全面进军NAND Flash领域。   尽管大陆并未赶上NAND Flash存储器世代,但在存储器技术改朝换代之际,大
  • 关键字: 存储器  NAND  

Microchip全新存储器系列亮相

  •   如果请嵌入式视频系统设计工程师谈谈产品设计过程中有哪些很难对付的挑战的话,可能大多数都会认为是快速且不断发展的 I/O 接口。移动应用处理器的巨大进步、低成本图像传感器和显示屏的快速普及以及 MIPI 标准接口的广泛采用在过去几年里彻底改变了嵌入式系统设计。现在,移动平台是创新的主战场,不仅是在智能手机和平板电脑领域,数码单反相机、无人机、虚拟现实(VR)系统、医疗设备和工业显示领域也是如此。理想的情况是系统中的每个器件都可以直接连接到应用处理器,但对于目前新兴的视频市场来说 并非总能如愿。经常发生的
  • 关键字: Microchip  存储器  

存储器深陷“缺芯之痛” 芯片国产化之路任重道远

  • 众声喧嚷中,随着今年下半年长江存储的正式成立,武汉新芯与紫光集团走到了一起。合流背后到底发生了什么?它们的合流又对整个存储产业的发展意味着什么?中国到底该怎样发展存储?
  • 关键字: 存储器  芯片  

大陆存储器三路追击,台湾成挖角大本营

  • 大陆近几年积极扶植半导体,诸如晶圆代工中芯国际;IC 设计海思、展讯;封测江苏长电、南通富士通都是中国 IC 潮备受关注的新势力。然而在存储器产业大陆始终难以找到突破口,只好从土法炼钢起,而台湾在这之间成了大陆挖角大本营。
  • 关键字: 存储器  长江存  

存储器市场还能热多久?SK海力士年K线飙35%、还将续涨20%?

  •   据海外媒体报道,存储器价格超夯,今年至今韩厂SK 海力士 (SK Hynix )已经飙升35%,部分外资相当乐观,预言还有20%上行空间。   巴伦(Barronˋs)14日报导,DRAM价格上涨,带动SK海力士一路攀高。DRAMeXchange预估,第三季DRAM价格将季增9%,第四季价格可能会再飙将近30%。有鉴于此,摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估计,SK海力士股价可望续涨20%。   大摩报告称,时序迈向Q4,DRAM和NAND价格表现都优于预期,也胜过SK海力士的预估。DRAM投
  • 关键字: SK海力士  存储器  

日本开发出可在600℃高温下工作的非易失性存储器

  •   日本千叶工业大学2016年10月11日宣布,与日本产业技术综合研究所(产综研)及日本物质材料研究机构(NIMS)合作开发出了采用铂纳米间隙结构、在600℃下也能工作的非易失性存储器元件。这种元件有望应用于高温环境下的存储器和传感器,例如飞行记录器、行星探测器等。        纳米间隙存储器的工作原理   随着纳米柱生长,纳米间隙的间隔发生变化(摘自千叶工业大学的发布资料,下同)        扫描型电子显微镜拍摄的铂纳米间隙电极     
  • 关键字: 存储器  

用FPGA器件提升物联网和其它联网设计的安全性

  • 在现今日益趋向超连接的世界(hyper-connected world)中,如何保护新的设计避免被克隆、反向工程和/或篡改是一项重大挑战。FPGA器件通过加入满足器件级安全需求的特性,来帮助实现这些目标。日益增长的IoT安全需求物
  • 关键字: SoC FPGA器件   智能卡芯片  存储器  PUF技术  

经验之谈,工程师在电路设计中的八大误区

  • 我们常常会发现,自己想当然的一些规则或道理往往会存在一些差错。电子工程师在电路设计中也会有这样的例子。下面是一位工程师总结的八大误区点。现象一:这板子的PCB设计要求不高,就用细一点的线,自动布吧点评:
  • 关键字: 电路设计    PCB设计    FPGA    存储器    降低功耗  

基于MSP430系列微控制器的FFT算法实现

  • 摘要:傅里叶变换算法在供电质量监测系统中被用来进行谐波分析,如何加快分析速度和降低系统成本是当前这种监测系统设计关注的主要问题。TI公司的MSP430系统微控制器具有功耗低、供电范围宽及外围模块齐全等特点,适
  • 关键字: MSP430  快速傅里叶变换  存储器  微控制器  

提高MSP430G 系列单片机的Flash 擦写寿命的方法

  • 摘要在嵌入式设计中,许多应用设计都需要使用EEPROM 存储非易失性数据,由于成本原因,某些单片机在芯片内部并没有集成EEPROM。MSP430G 系列处理器是TI 推出的低成本16 位处理器,在MSP430G 系列单片机中并不具备E
  • 关键字: MSP430G  单片机  Flash    

关于单片机中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH,早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构,现在已基本上停产了。
  • 关键字: 单片机  flash  eeprom  

单片机入门学习篇

  • 与其它的嵌入式系统相比,单片机的体积小,但是集成度高,具备较高的可靠性与控制功能;功耗低且采用低电压,因此对便携式产品的制造与生产十分有利;具备较好的扩展性与优异的性能比,其应用范围十分广泛
  • 关键字: 嵌入式系统  运算器  控制器  存储器  
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闪速(flash)存储器介绍

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