据消息称，台积电旗下 CoWoS 先进封装工艺实现近乎完美的量产良率，稳定良率基准达到 98%。该代 CoWoS-L 方案可承载等效5.5 倍标准光罩(掩膜或Reticle） 的裸片总面积，对应硅片面积约 858 平方毫米。依托这项技术，如今单封装内可整合总硅面积达 4720 平方毫米的各类芯粒，仅有 1%~2% 的封装产品会出现工艺缺陷。这套先进封装工艺今年刚进入大规模量产阶段，该良率成果具备重大行业意义。尽管 CoWoS-L 此前已有小批量供货，但今年才首次实现 5.5 倍光罩规格芯片的稳定规模化封装
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台积电
CoWoS-L
封装
良率
掩膜
高带宽存储器正成为 3D 堆叠测试、可测性设计（DFT）与可靠性验证的前沿试验场。
2026 年 8 月 11 日
作者：Laura Peters核心要点可测性设计（DFT）对于检测存储单元、硅通孔（TSV）、微凸点与高速接口缺陷愈发关键，而电源完整性与热效应进一步提升测试难度。裕量不足或老化互连缺陷依靠多层级复合测试方案检出：内置自测试（BiST）、嵌入式监测单元、边界扫描、全速测试、冗余修复以及系统在线监测。HBM 已经成为可靠性瓶颈。在复杂 2.5D/3D AI 系统中，需要更深层次掌握单个键合
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HBM
3D堆叠
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人生最难的事之一便是主动寻求外部协助。这种思维短板长期困扰半导体行业，早在整合器件制造商（IDM）时代，企业间就形成了信息封闭、各自保密的行业壁垒。受此影响，自 14 纳米鳍式场效应晶体管（FinFET）制程节点起，英特尔便长期面临晶圆良率难题。从企业公开信息来看，PDF Solutions 是一家上市半导体数据分析与制造软件服务商（纳斯达克股票代码：PDFS），总部位于加利福尼亚州圣克拉拉。该企业通过采集、解析晶圆制造、芯片测试、封装组装及终端运维全链路数据，帮助芯片厂商提升生产良率、产品品质、器件可靠
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良率
英特尔
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先进制程
美国应用材料公司周一（15日）发布两款针对先进半导体制造的新系统，旨在解决高深宽比3D结构中精密加工的核心难题，进一步推动逻辑芯片与内存芯片的制程延伸。（图：shutterstock）在AI算力需求持续扩张的背景下，全球半导体业加速向全环绕栅极（GAA）晶体管及高层数3D NAND等架构演进。应材此次推出的Centris™ Spectral™ SiN ALD与Producer™ Selectra™ Mo Etch，分别面向介电薄膜沉积与金属选择性去除两大工艺环节。应财表示，上述系统已被重量级逻辑与记忆体芯
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蚀刻设备
3D晶圆
制程
系统级芯片（SoC）存在鲜明两面性：它简化整机电路原理图，却大幅提升后端组装工艺难度。将 CPU、GPU、内存等整套运算架构集成至单颗晶圆内，虽然大幅减少元器件用量，却让焊点互联工艺难度急剧攀升。行业工艺从常规 0.8mm 引脚间距器件，迭代至 0.35mm 超细间距 SoC 产品后，工艺容错窗口被极度压缩。在高密度贴装场景下，一次通过率（FPY）不再只是一项数据指标，更是直接决定生产线盈利与物料损耗的关键。单颗 BGA 焊点失效就会导致整板报废，且对高价值芯片进行返修，极易埋下隐性质量缺陷。想要实现稳定
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系统级芯片
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据韩媒报道，SK海力士近日宣布，其高带宽存储器（HBM）混合键合工艺的良率已实现显著提升。公司技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）透露，采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构已完成验证工作。目前，团队正集中精力优化良率，以确保该技术能够顺利投入实际生产。这一进展标志着SK海力士在高性能存储器领域的技术研发迈出了重要一步。混合键合技术被认为是推动HBM性能提升的关键工艺之一。通过该技术，存储芯片能够实现更高的带宽和更小的尺寸，从而满足人工智能、高性能计算等领域日益增长的需求。
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混合键合工艺
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三星在关键的良率与量产能力尚未全面达标之前，仍难以撼动台积电在先进制程领域的主导地位。 南韩媒体《釜山日报》报导，三星晶圆代工厂的2纳米制程良率仍低于60%的量产门槛。根据报导，三星2纳米制程初步良率约为55%，距离业界普遍认定的60%量产门槛仅差一步。 况且，若进一步纳入后端加工环节，实际有效良率甚至可能降至40%左右，使得整体量产稳定性仍存在不小变数。值得注意的是，三星在过去一年确实展现改善能力，2025年下半年，其2纳米良率仍仅约20%，但在不到一年时间内提升至接近55%，进步幅度相当显著。 不过，
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三星
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先进制程节点下，污染已成为系统级的良率限制因素，且尚无简单的解决办法核心要点最先进的制程节点中，污染物的识别难度大幅提升，晶圆厂不得不重新思考污染控制的实现方式污染引发的问题可能表现为电学异常或统计性偏差，而非颗粒杂质，且并非在制程初期就显现行业亟需可靠的污染物分类方法，以精准识别关键污染问题，减少在无影响失效问题上耗费的时间与精力在半导体行业发展的大部分历程中，污染一直被视为颗粒杂质问题。良率损失可追溯至异物进入非目标区域，而制程控制也主要围绕过滤、清洗和杂质分类展开。只要能将颗粒杂质控制在临界尺寸阈值
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芯片清洗
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三星正在推动 Exynos 的卷土重来，有报道称 Exynos 2600 在内部测试中表现出色。然而，低收益率仍可能阻碍该芯片的更广泛采用。据韩国媒体 DealSite 援引消息人士的话报道，三星代工厂已开始使用其尖端的 2600nm 工艺量产 Exynos 2。该芯片预计将为即将推出的 Galaxy S26 系列提供动力;然而，采用率可能仍然有限，据说初始产量约为 15,000 片晶圆，约占明年计划的 Galaxy S30 单元的 26%。此外，Galaxy S 系列还包括 Base
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良率
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Exynos 2600
Galaxy S26
随着台积电2纳米制程进入量产最后阶段，市场关注度持续升温。 据韩媒报导，台积电已针对2纳米晶圆订出高达每片约3万美元（约新台币90万）的价格，且坚持「不打折、不议价」，藉此凸显其在先进制程的绝对优势。 相较之下，三星则选择逆向作，透过相对低价与快速供货策略，企图吸引新客户。韩媒《Digital Daily》指出，台积电预计未来34个月内开始进行2纳米试产，初始月产能落在3万至3.5万片晶圆，并计划于2026年扩充至四座新厂，届时月产量可望提升至6万片。 从良率来看，台积电2纳米初始良率已达到64%至66%
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台积电
2纳米
良率
台积电为晶圆代工龙头，技术领先竞争对手，先前甚至传出2纳米的良率高达90%，受到市场高度关注，相较之下，英特尔18A制程的良率大约落在50%左右，距离台积电仍然有段差距，且英特尔将持续外包PC CPU给台积电生产，最新的服务器Diamond Rapids的CPU也可能会有部分产能交由台积电代工。知名科技达人、社群平台X爆料者@Jukanlosreve贴出瑞银最新的研究报告指出，未来三年内，2纳米将是台积电第二大制程节点，受惠于智慧型手机、伺服器及PC等产品的带动。至于对标台积电2纳米的英特尔18A制程，良
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虽然三星在 7nm 和 8nm 等成熟节点上获得了牵引力（据报道来自任天堂的订单），但它继续在先进的 3nm 水平上苦苦挣扎。据韩国媒体 Chosun Biz 报道，即使经过三年的量产，其 3nm 良率仍保持在 50%。这使得三星更难赢得大型科技公司的信任，Chosun Biz 报道称，谷歌的 Tensor G5 正在转向台积电的 3nm，远离三星。正如 9to5Google 所强调的那样，据报道，这家搜索引擎巨头已在未来 3 到 5 年内与台积电锁定了 Tenso
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3nm
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即使面临美国强力制裁，大陆芯片业的实力并没有落后世界太多，中芯无法取得生产先进制程芯片所需的EUV设备，但透过较旧的DUV设备就能生产5纳米芯片，芯片密度虽远不如台积电，但跟三星差不多，再度敲响美国制裁的警钟，对于中芯来说，最大问题还是良率，虽能生产5纳米芯片，但良率据称只有20%，大幅落后竞争对手。外媒Phonearena报导，华为新款笔记本电脑Mate Book Pro搭载由自行设计的麒麟X90芯片，采用5纳米生产，代表大陆具备自主完成5纳米设计与生产的技术，引发市场高度关注。由于中芯无法取得EUV机
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随着 2nm 成为芯片制造商的下一个战场，三星正在像英特尔一样竞相通过获得重大外部订单来缩小与台积电的差距。现在，它可能只差一步：根据 Chosun Biz 的说法，Samsung Foundry 已经进入了使用 NVIDIA GPU 和高通 AP 进行 2nm 性能测试的最后阶段。Chosun Biz 表示，三星在其第一个基于 GAA 的节点 3nm 上来之不易的经验现在正在得到回报——据报道，3nm 良率已超过 60%，2nm 良率已攀升至 40% 以上。据 Sedail
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3月24日消息，分析师郭明錤再度重申，2026年的iPhone 18系列将首发A20处理器，这颗芯片将会使用台积电2nm工艺制程。他表示，台积电2nm试产良率在3个多月前就达到60%-70%，现在的良率已经远在70%之上。此前摩根士丹利（Morgan Stanley）发布的研究报告指出，2025年台积电2nm月产能将从今年的1万片试产规模增加至5万片左右的量产规模。相比3nm制程，2nm制程在相同电压下可以将功耗降低24%-35%，在相同功耗下可将性能提高15%，晶体管密度比上一代3nm工艺高1.15倍，
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台积电将于明年下半年开始量产其2nm（N2）制程工艺，目前台积电正在尽最大努力完善该技术，以降低可变性和缺陷密度，从而提高良率。一位台积电员工最近对外透露，该团队已成功将N2测试芯片的良率提高了6%，为公司客户“节省了数十亿美元”。这位自称 Kim 博士的台积电员工没有透露该代工厂是否提高了 SRAM 测试芯片或逻辑测试芯片的良率。需要指出的是，台积电在今年1月份才开始提供 2nm 技术的穿梭测试晶圆服务，因此其不太可能提高之前最终将以 2nm 制造的实际芯片原型的良率，所以应该是指目前最新的2nm技术的
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2nm
11 月 25 日消息，消息源 @Jukanlosreve 于 11 月 22 日在 X 平台发布推文，曝料称从韩国芯片设计行业渠道获悉，三星正减少 2025 年的订单，因此推测三星将彻底取消量产 Exynos 2600 芯片计划。此前援引 DigiTimes 报道，称 3nm 工艺上遇到的困境，并没有击垮三星，反而让三星“越挫越勇”，正积极布局 2nm 芯片，力图在 2026 年实现强势反弹。消息称三星正积极争取来自高通和英伟达的大规模订单，目标是 2026 年初量产。而在此之前，三星计划在 2025
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根据韩国三星证券初步的预测数据显示，三星3nm GAA制程的良率约为20%，比可达成大规模生产的建议值低了三倍。因订单量不足关闭代工生产线进入5nm制程时，三星晶圆代工业务就因为无法克服良率障碍而失去了高通骁龙 8 Gen 3的独家代工订单，高通的订单全给了台积电，同样上个月最新推出的3nm芯片骁龙 8 Gen 4也是由台积电代工。为了满足客户需求，三星并不坚持使用自家代工厂，即将发布的三星Galaxy 25系列手机全系酱搭载骁龙 8 至尊版芯片，放弃自研Exynos2500版本。目前在代工领域，台积电拿
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三星
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代工
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近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧，而据TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否如期大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩局面。根据TrendForce集邦咨询最新调查，Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）与Micron（美光）已分别于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi样品，目前处于持续验证阶段。其中SK
hynix与Micron进度较快，有望于今年底完成
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验证
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三星一直想透过3纳米技术超车台积电，但结果始终不如预期，相较台积电已经取得多位大客户的订单，并反映在财报上，三星3纳米技术甚至被爆出良率一度只有0%，即使高层坚称「很稳定」自家人韩媒不买账，直言很多大厂都没有明确要下订单。 韩媒DealSite此前曾爆料，三星生产Exynos 2500处理器时，良率一度仅有0%，加上知名分析师郭明錤日前撰文表示，高通将成为三星Galaxy S25系列机型的独家SoC供货商，原因是三星自家的Exynos 2500芯片良率低于预期，因此无法出货。接二连三的消息都显示，三星3纳
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三星
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良率
6月23日消息，据媒体报道，Exynos 2500的良品率目前仅为20%，远低于量产标准，但三星仍在积极寻求解决方案，以期在今年10月前将良品率提升至60%。Exynos 2500是三星首款采用SF3工艺的智能手机SoC，该工艺相较于前代4nm FinFET工艺，在能效和密度上预计有20%至30%的提升。然而，低良品率的问题可能导致三星在Galaxy S25系列上不得不全面采用高通平台，这将增加成本并可能影响产品定价。三星对Exynos 2500寄予厚望，该芯片在性能测试中显示出超越高通第三代骁龙8的潜力
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三星
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Exynos 2500
全球半导体大厂韩国三星即将在今年上半年量产的第2代3nm制程，不过据韩媒指出，三星3nm制程目前良率仅有20%，相较于台积电N3B制程良率接近55%，还不及台积电良率的4成，使得三星在争夺英伟达（NVIDIA）代工订单受挫。外媒分析称，三星恐怕要在先进制程上多加努力，才有可能与台积电竞争，留住大客户的订单。据《芯智讯》引述韩媒的报导说，本月初EDA大厂新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗舰行动系统单芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成设计定案（tape out）。外界认为，该芯
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英伟达
台积电的先进制程技术遥遥领先其他竞争对手，也获得全球大客户肯定。不过南韩三星电子仍努力追赶，想要分一杯羹。据最新爆料，三星的3纳米良率已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后台积电。科技网站Wccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平台X（前身为推特）的发文报导，三星的3纳米制程良率一开始虽然只有10～20%，但最近已拉升至3倍以上。尽管三星如今3纳米制程良率已达30~60%之间，但Revegnus直言，相较于使用FinFET制程的台积电，三星的良率数据依然偏低。不过三星对于第二代3纳米制程寄予厚望，
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据《科创板日报》报道，针对“因4~5纳米先进制程良率逐渐稳定，客户订单正逐渐增加，稼动率也相应反弹，12英寸稼动率回升至九成。”这一市场消息，三星半导体对其进行了回应。报道指出，三星半导体相关负责人回应表示，“暂无法透露最新良率或者客户情况。正如我们在2022年4月的财务电话会议上所提及，5nm制程良率自去年年初以来已稳定下来，而4nm制程良率也已得到了提升，自2022年第一季度以来一直在预期的轨道上。自此4~5nm制程良率已经稳定了。”据韩国媒体BusinessKorea报道，三星4纳米制程良率相较之前
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三星
据韩国媒体报道，三星电子新人联合CEO Kyung Kye-hyun日前在股东大会上表态，称三星今年芯片及零件部门的增长率有望优于全球芯片市场的9%，三星会设法提高产能，满足市场需求。针对5nm及以下工艺良率偏低的问题，Kyung
Kye-hyun表示芯片扩产需要时间，但三星已经在改善中，他强调半导体芯片工艺越来越精密，复杂度也提高了，5nm以下的芯片工艺正在逼近半导体物理极限。Kyung
Kye-hyun称三星计划将生产线运营最佳化，以改善盈利及供应，并持续提升已经量产的工艺。此外，Kyun
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据媒体报道称高通已将3nm
AP代工订单独家交给了台积电。不仅如此，有业内人士称，高通还将部分4nm骁龙8旗舰处理器的部分代工订单交给台积电。当时我听到这个消息一方面为台积电感到高兴，另一方面心中出现质疑：为什么高通没有选择三星？而近期外媒的爆料给出了这个答案。2月25日，据韩国媒体爆料称，近期三星电子怀疑三星半导体代工厂的产量及良率报告存在“造假”行为，正计划开展一项内部调查。据悉，三星电子DS部门（三星电子旗下半导体事业暨装置解决方案事业部，三星晶圆代工业务隶属于该部门）近期正接受管理咨询部门就三
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三星晶圆代工
根据国外媒体tomshardware报道，由于台积电3nm工艺良率存在问题，苹果或放弃采用3nm工艺打造新一代A16芯片，这也意味着今年将要发布的iPhone 14疑似无缘3nm芯片。据了解，将搭载在iPhone 14上的苹果A16处理器计划采用台积电3nm工艺生产，但是由于台积电可能需要到2023年Q1季度才能批量交付3nm芯片，因此A16处理器智能转为使用台积电4nm工艺打造。
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近日，关于台积电3nm工艺制程有了新消息，据外媒digitimes最新报道，半导体设备厂商透露，台积电3纳米良率拉升难度飙升，台积电因此多次修正3纳米蓝图。实际上，随着晶体管数量的堆积，内部结构的复杂化，3nm工艺制程的良品率确实很难快速提升，达成比较好的量产水平。因此，台积电或将规划包括N3、N3E与N3B等多个不同良率和制程工艺的技术，以满足不同厂商的性能需求，正如同去年苹果在A15上进行不同芯片性能阉割一致，即能满足量产需求，还能平摊制造成本，保持利润。此外，还有消息称台积电将在2023年第一季度开
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根据外媒报导，日前在国际电子元件会议（International Electron Devices Meeting，IEDM）大会上，晶圆代工龙头台积电官方披露了5纳米制程的最新进展。
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近日，全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布其半导体制造系统产品组合推出全新功能，以进一步改善晶圆边缘的产品良率，从而提高客户的生产效率。在半导体生产工艺中，制造商希望在晶圆的整个表面搭建集成电路。然而，由于晶圆边缘的化学、物理和热不连续性都更加难以控制，良率损失的风险也随之增加。因此，控制刻蚀的不均匀度以及避免晶圆边缘缺陷是降低半导体器件制造成本的关键所在。泛林集团的Corvus刻蚀系统和Coronus等离子斜面清洁系统有效地解决了大规模生产中的边缘良率问题。这些解决方案被应用于尖端节点的制造
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