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良率 文章 进入良率技术社区

泛林集团边缘良率产品组合推出新功能

  • 近日,全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布其半导体制造系统产品组合推出全新功能,以进一步改善晶圆边缘的产品良率,从而提高客户的生产效率。在半导体生产工艺中,制造商希望在晶圆的整个表面搭建集成电路。然而,由于晶圆边缘的化学、物理和热不连续性都更加难以控制,良率损失的风险也随之增加。因此,控制刻蚀的不均匀度以及避免晶圆边缘缺陷是降低半导体器件制造成本的关键所在。泛林集团的Corvus刻蚀系统和Coronus等离子斜面清洁系统有效地解决了大规模生产中的边缘良率问题。这些解决方案被应用于尖端节点的制造
  • 关键字: 晶圆  良率  

利用缝隙抑制型钨填充接触区工艺来降低良率损失

  • 在早先的技术节点中,由于器件尺寸较大,能采用成核及平整化化学气相沉积(CVD)技术进行钨(W)填充。如今,由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象,因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或夹断,从而留下孔洞。
  • 关键字: 化学气相沉积  良率  化学机械抛光  
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良率介绍

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