- 在早先的技术节点中，由于器件尺寸较大，能采用成核及平整化化学气相沉积(CVD)技术进行钨(W)填充。如今，由于插塞处的超小开口很容易发生悬垂现象，因此薄膜表面均匀生长的共形阶段可能在填充完成前就关闭或夹断，从而留下孔洞。
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化学气相沉积 良率 化学机械抛光
- 岳飞曾说：“阵而后战，兵法之常，运用之妙，存乎一心。”意思是说，摆好阵势以后出战，这是打仗的常规，但运用的巧妙灵活...
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化学机械抛光介绍
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