12月1日消息，近日，据外媒报道，意法半导体（STMicroelectronics）将于意大利西西里岛Catane投资50亿欧元，新建一座碳化硅、超级半导体晶圆厂。该晶圆厂将专门生产碳化硅芯片，为电动车关键技术并具强大成长潜力。报道称，此举是意法半导体继与格芯在法国东南部Crolles的75亿欧元晶圆厂计划后为平衡集团在意法两国布属所为。值得一提的是，今年6月，意法半导体宣布将与三安光电在中国重庆成立200mm碳化硅器件制造合资企业，预计2025年第四季度投产，预计到2030年碳化硅收入将超过50亿美元。
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奈梅亨，2023年11月30日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动
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11月28日消息，据外媒报道，日前，英飞凌绿色工业动力部门（GIP）总裁Peter Wawer在受访时透露，英飞凌正在其位于Villach的工厂生产8英寸SiC晶圆的电子样品。他表示，英飞凌目前使用6英寸晶圆，但已经在工厂制备了第一批8英寸晶圆机械样品，很快将它们转化为电子样品，并将在2030年之前大规模量产应用。在产能方面，英飞凌正在通过大幅扩建其Kulim工厂（在2022年2月宣布的原始投资之上）获得更多产能，信息称，英飞凌将建造世界上最大的200毫米晶圆厂SiC（碳化硅）功率工厂。值得一提的是该计划
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11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。目前芯片供应量尚未确认，预计最早将于2023年内开始供应。公开消息显示，安世半导体总部位于荷兰，目前是中国闻泰科技的子公司。11月初，安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。尽管同属功率半导体公司，三菱电机与安世半导体的侧重点不同，前者以“多个离散元件组合
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11 月 21 日消息，据晚点 LatePost 报道，在芯片自研方面，理想同时在研发用于智能驾驶场景的 AI 推理芯片，和用于驱动电机控制器的 SiC 功率芯片。报道称，理想目前正在新加坡组建团队，从事 SiC 功率芯片的研发。在职场应用 LinkedIn 上，已经可以看到理想近期发布的五个新加坡招聘岗位，包括：总经理、SiC 功率模块故障分析 / 物理分析专家、SiC 功率模块设计专家、SiC 功率模块工艺专家和 SiC 功率模块电气设计专家。报道还称，用于智能驾驶的 AI 推理芯片是理想目前的研发重
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伦敦2023年11月15日 /美通社/ -- 随着Omdia预测电动汽车 (EV) 革命将引发新型半导体激增，电力半导体行业的几十年旧规范正面临挑战。人工智能热潮是否会产生类似的影响？功率分立器件、模块和IC预测Omdia半导体元件高级分析师卡勒姆·米德尔顿表示：“长期以来依赖硅技术的行业正受到新材料制造的设备的挑战和推动。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的开发始于上个世纪，但它们的技术成熟度与可持续发展运动相匹配，新材料制造的设备在能源匮乏的世界中有着显著的效率提升。”2018 年，特斯拉首次
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Nexperia近日宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节能。该公司提供的高性能SiC模块产品性能可靠，在业界享有盛誉。日本备受赞誉的高速新干线列车采用了这些模块，并以出色的效率、安全性和可靠性闻名遐迩。N
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在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升，但是如何定量分析这三类产品的不同？Power Intergrations（PI）资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品，详细解释了三类产品的优劣，以及PI对于三种产品未来的判断，同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。在功率器件选择过程中，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视，在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅
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三菱电机将与Nexperia（安世）合力开发SiC芯片，通过SiC功率模块来积累相关技术经验。东京--(美国商业资讯)--三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体。三菱电机将利用其宽带隙半导体技术开发并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia将使用这些芯片开发SiC分离器件。电动汽车市场正在全球范围内扩大，并有助于推动Si
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11月6日，株式会社电装（Denso）宣布对Coherent的子公司SiC衬底制造商Silicon Carbide LLC注资5亿美元，入股后，电装将获得该公司12.5%的股权。电装本次投资将确保6英寸和8英寸SiC衬底的长期稳定采购。关于本次投资，市场方面早有相关消息传出。今年9月底有报道称，电装、三菱电机等多家企业对投资Coherent的SiC业务感兴趣，并且已经就收购Coherent的SiC业务少数股权进行过讨论。分拆SiC业务能够给投资者提供更多投资机会，同时也是对SiC发展前景的看好，Coher
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奈梅亨，2023年11月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的先进电子器件供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，共同生产新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模块，适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。此次发布将进一步加深双方长期以来保持的紧密合作关系。 制造商对下一代功率应用的关键需求是节省空间和减轻
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应能微电子股份有限公司是一家致力于接口保护器件、功率和模拟集成电路 (IC) 设计、制造和销售的半导体技术公司。应能成立于2012年，其核心团队来自美国硅谷，全产品线皆为自研产品，目前已有500多款产品，90%已上为量产状态。应能微的半导体芯片应用市场包括快速增长的消费电子 (智能手机、计算机、平板电脑、高清电视、机顶盒等) ，并在通讯、安防、工业和汽车上均有广泛的应用。应能微销售总监曾总表示，其高性能瞬态电压抑制器 (TVS) 产品系列在漏电、电容和钳位电压等关键性能指标上表现出色，硅基MOSFET产品
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11月2日消息，据“智新科技”官微消息，近日，首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验。该碳化硅模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。据悉，智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产
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_____近年来，在国家“双碳”战略指引下，汽车行业油电切换提速，截至2022年新能源汽车渗透率已经超过25%。汽车电动化浪潮中，半导体增量主要来自于功率半导体，根据 Strategy Analytics，功率半导体在汽车半导体中的占比从传统燃油车的21%提升至纯电动车的55%，跃升为占比最大的半导体器件。同其他车用电子零部件一样，车规级功率半导体也须通过AEC-Q100认证规范所涵盖的7大类别41项测试要求。对于传统的硅基半导体器件，业界已经建立了一套成熟有效的测试评估流程。而对于近两年被普遍应用于开发
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一些新出现的应用使地球的未来充满了激动人心的可能性，但同时也是人类所面临的最大技术挑战之一。例如，虽然太阳能可以提供无限的能源，但要想成功商业化，设计人员必须提供更高的功率和效率，同时不增加成本或尺寸。在汽车领域，目前电动汽车 (EV) 已经非常普及，但由于人们担心可用充电基础设施、充电所需时间和续航里程有限等问题，电动汽车的普及仍然受到了限制。在这种情况下，设计人员面临的挑战包括如何提高电气效率、优化动力总成的尺寸和重量，包括主驱逆变器和车载充电器 (OBC) 等元件，并不断降低成本。碳化硅器件的优势硅
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