电池可以用来储存太阳能和风能等可再生能源在高峰时段产生的能量，这样当环境条件不太有利于发电时，就可以利用这些储存的能量。本文回顾了住宅和商用电池储能系统 (BESS) 的拓扑结构，然后介绍了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作为硅MOSFET 或IGBT开关的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的优势最常用的储能方法有四种，分别是电化学储能、化学储能、热储能和机械储能。锂离子电池是家喻户晓的电化学储能系统，具有高功率密度、高效率、外形紧凑、模块化等特点。此外，锂离子电池技术成熟，因
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202310 碳化硅 SiC 电池储能系统
IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圆生产商环球晶圆控股（GlobalWafers）董事长徐秀兰表示，公司克服了量产碳化硅（SiC）晶圆的重重技术难关，已经将 SiC 晶圆推进至 8 英寸，和国际大厂保持同步。徐秀兰预估将会在 2024 年第 4 季度开始小批量出货 8 英寸 SiC 产品，2025 年大幅增长，到 2026 年占比超过 6 英寸晶圆。环球晶圆表示目前较好地控制了 8 英寸晶圆良率，已经超过 50%，而且有进一步改善的空间，明年上半年开始交付相关样品。IT之家从报道中
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晶圆厂 SiC
10月25日，中芯集成发布公告称，新设立合资公司芯联动力科技（绍兴）有限公司（以下简称“芯联动力”）已完成了工商注册登记手续，并取得绍兴市越城区市场监督管理局核发的《营业执照》。根据中芯集成公告，芯联动力将运营碳化硅（SiC）业务项目，注册资本人民币5亿元，中芯集成使用自有资金出资人民币2.55亿元，占注册资本总额51.00%。基于合资公司的股权结构，合资公司将被纳入公司合并报表范围，系公司控股子公司。从投资股东上看，芯联动力创始股东包括中芯集成、芯联合伙和博原资本、立讯精密家族办公室立翎基金、上汽集团旗
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中芯集成 碳化硅
安森美位于韩国富川的先进碳化硅超大型制造工厂的扩建工程已经完工，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200mm SiC晶圆。10月25日消息，安森美发布消息称，其位于韩国富川的先进碳化硅（SiC）超大型制造工厂的扩建工程已经完工，目标明年完成设备安装，到2025年该厂SiC半导体产量预计将增至每年100万颗。富川SiC生产线目前主力生产150mm晶圆，在2025年完成200mm SiC工艺验证后，将转为生产200mm晶圆。为了支持SiC产能的提升，安森美计划在未来三年内雇佣多达1000名当地员工来填补大部分高
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安森美 韩国 碳化硅
10月24日，安森美宣布其位于韩国富川的先进碳化硅(SiC)超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200mmSiC晶圆。据介绍，新的150mm/200mmSiC先进生产线及高科技公用设施建筑和邻近停车场于2022年中期开始建设，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圆厂的扩建，体现了安森美致力于在棕地（既有地点）建立垂直整合碳化硅制造供应链的战略。富川SiC生产线目前主力生产150mm晶圆开始，在2025年完成200mmSiC工艺验
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安森美 碳化硅
2023 年，中国化合物半导体产业实现历史性突破。在碳化硅（SiC）晶体生长领域，中国尤其获得国际 IDM 的认可，导致产量大幅增长。此前中国碳化硅材料仅占全球约 5% 的产能，然而业界乐观预计，2024 年中国碳化硅晶圆在全球的占比有望达到 50%。天岳先进、天科合达、三安光电等公司均斥资提高碳化硅晶圆/衬底产能，目前这些中国企业每月的总产能约为 6 万片。随着各公司产能释放，预计 2024 年月产能将达到 12 万片，年产能 150 万。根据行业消息和市调机构的统计，此前天岳先进、天科合达合计占据全球
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碳化硅 晶圆
日前，瑞能半导体CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重举行的2023中国国际半导体高管峰会（ISES，原CISES）。作为半导体原厂和设备制造商云集的平台，ISES专注于高层管理，来自世界各地的半导体领域高管和领袖受邀聚集于此，旨在探讨行业的未来趋势和挑战，分享他们如何在迅速创新和变化的行业中推动技术进步。ISES通过推动整个微电子供应链的创新、商业和投资机会，为半导体制造业赋能，促进中国半导体产业的发展。在峰会以“宽禁带功率半导体在汽车应用中的机遇”为主题的单元中，Markus Mose
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瑞能 ISES CHINA 2023 碳化硅 新能源汽车
2023年，中国化合物半导体产业实现历史性突破。 在碳化硅（SiC）晶体生长领域，尤其得到国际IDM厂商的认可，中国厂商产能大幅提升。 此前，来自中国的SiC材料仅占全球市场的5%。 然而，到2024年，预计将抢占可观的市场份额。该领域的主要中国公司，包括SICC、TankeBlue和三安，几乎都将产能扩大了千倍。我国大约有四到五家从事SiC晶体生长的龙头企业，为测算我国SiC晶体生长产能提供了依据。 目前，他们的月产能合计约为60,000单位。 随着各公司积极增产，预计到2024年月产能将达到12万单位
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SiC 碳化硅
不断增长的消费需求、持续提高的环保意识/环境法规约束，以及越来越丰富的可选方案，都在推动着人们选用电动汽车 (EV)，令电动汽车日益普及。高盛近期的一项研究显示，到 2023 年，电动汽车销量将占全球汽车销量的 10%；到 2030 年，预计将增长至 30%；到 2035 年，电动汽车销量将有可能占全球汽车销量的一半。然而，“里程焦虑”，也就是担心充一次电后行驶里程不够长，则是影响电动汽车普及的主要障碍之一。克服这一问题的关键是在不显著增加成本的情况下延长车辆行驶里程。本文阐述了如何在主驱逆变器中使用碳化
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电动汽车 逆变器 SiC MOSFET
IT之家 10 月 19 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星电子内部组建了新的碳化硅（SiC）功率半导体团队，已经任命安森美半导体前董事洪锡俊（Stephen Hong）担任副总裁，负责监管相关业务。洪锡俊是功率半导体领域的专家，在英飞凌、仙童和安森美等全球大型公司拥有约 25 年的经验，加入三星后，他负责领导这项工作。洪锡俊负责组建和带领这支 SiC 商业化团队，同时积极与韩国功率半导体产业生态系统和学术机构合作进行市场和商业可行性研究。值得注意的是，三星在正式进军 GaN（氮化镓）业
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三星 SiC
英飞凌、现代汽车和起亚汽车三方发布官方声明称，已签署一项多年期碳化硅和硅功率半导体供应协议。据外媒，10月18日，英飞凌、现代汽车和起亚汽车三方发布官方声明称，已达成战略合作，签署一项多年期碳化硅和硅功率半导体供应协议，以确保功率半导体的供应。根据战略合作协议，英飞凌将在2030年前向现代、起亚供应碳化硅和硅功率模块与芯片，而现代、起亚则会出资支持英飞凌的产能建设与储备，三方也计划在提升电动汽车的性能上紧密合作。
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英飞凌 现代 起亚 碳化硅 硅功率模块
对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压电源轨以数百 kHz 运行并非易事，即使是最好的超结硅 MOSFET 也难以胜任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾电流”且关断缓慢，因此仅限用于较低的工作频率。因此，硅 MOSFET 更适合低压、高频操作，而 IGBT 更适合高压、大电流、低频应用。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压
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SiC MOSFET IGBT WBG
10月16日，根据韩媒ETNEWS的报道，三星电子近期聘请安森美半导体前董事洪锡俊(Stephen Hong)担任副总裁，负责监督SiC功率半导体业务，并在其内部组织了SiC功率半导体业务V-TF部门。Stephen Hong是功率半导体专家，在加入三星电子之前，曾在英飞凌、仙童、安森美半导体等全球主要功率半导体公司工作约25年。目前，Stephen Hong正在寻找SiC商业化的团队成员，同时通过与韩国功率半导体产业生态圈和学术界互动，进行市场和商业可行性研究。早先三星宣布正式进军GaN业务的时候也曾提
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三星 碳化硅！
1 SiC和GaN应用及优势我们对汽车、工业、数据中心和可再生能源等广泛市场中的碳化硅(SiC) 和氮化镓（GaN）应用感兴趣。一些具体的例子包括：● 电动汽车（EV）：SiC和GaN 可用于电动汽车，以提高效率、续航里程和整车性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牵引逆变器和车载充电，以减少功率损耗并提高效率。● 数据中心：SiC 和GaN 可用于数据中心电源，以提高效率并降低运营成本。● 可再生能
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202310 SiC GaN 安世半导体
1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠，但各自解决的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐压水平和电流承载能力。这使得它们很适合于汽车牵引逆变器、车载充电器和直流/ 直流转换器、大功率太阳能发电站和大型三相电网变流器等应用。SiC 进入市场的时间略长，因此它有更多的选择，例如，相比目前可用的GaN 解决方案，SiC 支持更广泛的电压和导通电阻。
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202310 纳芯微 SiC GaN
碳化硅（sic）介绍
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