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EEPW首页 >> 主题列表 >> 碳化硅（sic）

碳化硅（sic） 文章 进入碳化硅（sic）技术社区

Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。 DMWS120H100SM4 在高电压 (1200V) 和汲极电流 (可达 37A) 的条件下运作，同时维持低导
  • 关键字： Diodes  碳化硅 MOSFET  

贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案

  • 2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工业应用需要高击穿电压 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
  • 关键字： 贸泽  安森美  EliteSiC  碳化硅  

功率半导体市场需求攀升，盛美上海首获Ultra C SiC衬底清洗设备采购订单

  • 今日，盛美上海宣布，首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单。盛美上海指出，该订单来自中国领先的碳化硅衬底制造商，预计将在2023年第三季度末发货。当前，以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为主的第三代半导体迅速发挥发展，其中整体产值又以碳化硅占80%为重。据悉，碳化硅衬底用于功率半导体制造，而功率半导体被广泛应用于功率转换、电动汽车和可再生能源等领域。碳化硅技术的主要优势包括更少的开关能量损耗、更高的能量密度、更好的散热，以及更强的带宽能力。汽车和可再生能源等行业对功率半导体需求的增加
  • 关键字： 功率半导体  盛美上海  Ultra C SiC  衬底清洗  

连接与电源：新Qorvo为行业提供更全面的解决方案

  • ３月下旬，全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® 在京召开了以“连接与电源——新主题、新Qorvo”的媒体活动。通过此次活动，Qorvo旨在向业内介绍Qorvo在自身移动产品和基础设施应用上的射频领导地位进面向电源、物联网和汽车等领域的最新进展。Matter出世，化解万物互联生态壁垒物联网让我们曾经畅想的万物互联生活逐渐成为现实，但要将数以百亿计的设备进行有效的互联还面临巨大壁垒，Matter 标准的出现打破了这个局面。作为Matter的积极参与者，Qorvo 率先打造符合 Matter 标准的
  • 关键字： Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  

SiC功率半导体市场分析；厂商谈IGBT大缺货

  • 根据TrendForce集邦咨询旗下化合物半导体研究处最新报告《2023 SiC功率半导体市场分析报告-Part1》分析，随着Infineon、ON Semi等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场规模达22.8亿美元，年成长41.4%。与此同时，受惠于下游应用市场的强劲需求，TrendForce集邦咨询预期，至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元，其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源2全球车用MCU市场规模预估2022年全球车用MCU市场规模达82
  • 关键字： SiC  功率半导体  IGBT  美光  

GaN 出击

  • 自上世纪五十年代以来，以硅材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了以集成电路为核心的微电子领域迅速发展。随着时间的流逝，尽管目前业内仍然以 Si 材料作为主流半导体材料，但第二代、第三代甚至是第四代半导体材料都纷沓而至。这其中又以第三代半导体材料——氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）受到大众关注。近段时间，GaN 方面又有了新进展。本土 GaN 企业快速发展3 月 2 日，英飞凌宣布收购氮化镓公司 GaN Systems，交易总值 8.3 亿美元（约 57.3 亿人民币）。根据公告，英飞凌计划
  • 关键字： GaN  SiC  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
  • 关键字： ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工业设备功率模块   

OBC充电器中的SiC FET封装小巧，功能强大

  • EV 车载充电器和表贴器件中的半导体电源开关在使用 SiC FET 时，可实现高达数万瓦特的功率。我们将了解一些性能指标。引言在功率水平为 22kW 及以上的所有级别电动汽车 (EV) 车载充电器半导体开关领域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占据明显的优势。UnitedSiC（如今为 Qorvo）SiC FET 具有独特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 级联结构，其效率高于 IGBT，且比超结 MOSFET 更具吸引力。不过，这不仅关乎转换系统的整体损耗。对于 EV 车主来说，成本、尺寸和
  • 关键字： Qorvo  OBC  SiC  

TechInsights：2029 年碳化硅市场规模将增长至 94 亿美元，中国占一半

  • IT之家 3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日发布报告称，随着电池电动汽车的发展，汽车半导体的需求激增，宽带隙技术的使用也有所增加。SiC MOSFET 为动力系统提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市场收益在 2022 年至 2027 年期间将以 35% 的复合年增长率从 12 亿美元（IT之家注：当前约 82.44 亿元人民币）增长到 53 亿美元（当前约 364.11
  • 关键字： 碳化硅  

英飞凌持续赋能数字化和低碳化，多维度推动社会永续发展

  • 日前，英飞凌科技大中华区在京举办了2023年度媒体交流会。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技大中华区电源与传感系统事业部负责人潘大伟率大中华区诸多高管出席，分享公司在过去一个财年所取得的骄人业绩，同时探讨数字化、低碳化行业发展趋势，并全面介绍英飞凌前瞻性的业务布局。 2022财年英飞凌全球营收达到142.18亿欧元，利润达到33.78亿欧元，利润率为23.8%，均创下历史新高。其中，大中华区在英飞凌全球总营收中的占比高达37%，继续保持英飞凌全球最大区域市场的地位，为公司全球业务的发展提供
  • 关键字： 英飞凌  数字化  低碳化  SiC  

Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

  • 中国 北京，2023 年 3 月 21 日 —— 全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo® （纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装 (TOLL) 封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET 拥有全球最低的5.4 (mΩ) 的导通阻抗。这也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 产品 TOLL 封装系列中的首发产品，其导通电阻范围从 5.4 mΩ 到 60 mΩ。这些器件非常适用于空间极其有限的应用场景，如从几百瓦到千万瓦的交流 / 直流电源以及高达
  • 关键字： Qorvo  750V  SiC FETs  

SiC融资火热！今年以来超20家获融资，金额超23亿

  • 第三代半导体包括碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN），整体产值又以SiC占80%为重。据TrendForce集邦咨询研究统计，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源业者合作项目明朗化，将推动2023年整体SiC功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。△Source：TrendForce集邦咨询今年以来，SiC领域屡受资本青睐，融资不断。截至今日，已有20家SiC相关企业宣布获得融资，融资金额超23亿。融资企业包括天科合达、天域半导体、瞻芯电子、派恩杰等领先企业。天科合达天科合达完成了Pre-IPO轮融
  • 关键字： SiC  融资  

是时候从Si切换到SiC了吗？

  • 在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiC MOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏（PV）逆变器和电池电动车（BEV）驱动系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么。那么，你从哪里开始呢？工程师老前辈可能还记得双极晶体管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快，或者IGBT模块将双极达林顿晶体管模块踢出逆变器的速度有多快。电力电子的驱动力一直是降低损耗
  • 关键字： 英飞凌  SiC  

碳化硅MOSFET加速应用于光伏领域 增量市场需求望爆发

  • 据报道，近年来，光伏逆变器制造商采用SiC MOSFET的速度越来越快。最近，又有两家厂商在逆变器中采用了SiC MOSFET。1月30日，德国KATEK集团宣布，其Steca太阳能逆变器coolcept fleX系列已采用纳微半导体的GeneSiC系列功率半导体，以提高效率，同时减少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于沟槽辅助平面栅极SiC MOSFET技术，可以在高温和高速下运行，寿命最多可延长3倍，适用于大功率和快速上市的应用。1月13日，美国制造商Brek Electronics开发了采
  • 关键字： SiC MOSFET  

SiC市场产值 今年估增4成

  • 根据市调统计，随着安森美（onsemi）、英飞凌（Infineon）等与汽车、能源业者合作案明朗化，将推动2023年整体碳化硅（SiC）功率组件市场产值达22.8亿美元、年成长41.4％。 主要成长原因在于SiC适合高压、大电流的应用场景，能进一步提升电动车与再生能源设备系统效率。集邦表示，SiC功率组件的前两大应用为电动车与再生能源领域，分别在2022年已达到10.9亿美元及2.1亿美元，占整体SiC功率组件市场产值约67.4％和13.1％。车用方面，安森美与大众汽车签属战略协议，另外该系列产品亦被起亚
  • 关键字： SiC  
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碳化硅（sic）介绍

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